Geri Dön

Metal/III-V yarıiletken n-GaAs metal doğrultucu kontakların numune sıcaklığına bağlı diyot karakteristiklerinin bazı metotlarla irdelenmesi

Investigation by means of some methods of temperature-dependent diode characteristics of metal/III-V semiconductor n-GaAs rectifying contacts

  1. Tez No: 341666
  2. Yazar: DURMUS ALİ ALDEMİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALİ KÖKCE
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky diyotlar, Schottky engel inhomojenitesi, n-GaAs, I-V-T karakteristikleri, Cheung fonksiyonlar, Norde metodu, genelle#tirilmi# Norde metodu, Schottky diodes, Schottky barrier inhomogeneities, n-GaAs, I-V-T characteristics, Cheung functions, Norde method, generalized Norde method
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 111

Özet

Magnetron DC saçtırma yöntemiyle üretilen Ni/n-GaAs/In Schottky diyotlarının sıcaklık bağlı akım-gerilim (I-V) karakteristikleri çalışılmıştır. Sıfır-beslem engel yüksekliğinin sıcaklığa karşı grafiği iki farklı bölge göstermiştir. Düşük sıcaklıklarda sıfır-beslem engel yüksekliği, engel yüksekliğinin bölgesel ve yanal dağılımından dolayı artan sıcaklıkla artmıştır. Werner ve Güttler?in modelinden engel yüksekliğinin ve idealite çarpanının düşük sıcaklıklardaki sıcaklık bağlılığını analiz etmede faydalanılmıştır. Sıfır-beslem engel yüksekliğinin standart sapması 64 mV olarak hesaplanmıştır ve engel yüksekliğinin gerilim katsayıları ro2 = -6.94×10-4 ve ro3 = -5.73 mV olarak belirlenmiştir. Yüksek sıcaklıklarda sıfır-beslem engel yüksekliği yarıiletkenin yasak band aralığının sıcaklık bağlılığından dolayı artan sıcaklıkla azalmıştır. Sıfır-beslem engel yüksekliğinin sıcaklık bağlılığından dolayı Richardson eğrisinde bükülme gözlenmiştir. Etkin Richardson sabiti farklı metotların kullanılmasıyla belirlenmiştir. Ayrıca To etkisi ve diyotların düz-band engel yüksekliğinin sıcaklık bağlılığı incelenmiştir. Ni/n-GaAs/In Schottky diyotlarının önemli kontak parametreleri, geleneksel I-V metodu, Cheung fonksiyonları, Norde metodu ve genelleştirilmiş Norde metodu kullanılarak her bir sıcaklık değeri için elde edilmiştir. Daha sonra sonuçlar birbirleriyle kıyaslanmıştır. 60-320 sıcaklık değerleri arasında Ni/n-GaAs Schottky diyotlarının idealite çarpanının uygulanan gerilime bağlılığı incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

Temperature-dependent current-voltage (I-V) characteristics of Ni/n-GaAs/In Schottky diodes which are fabricated by magnetron DC sputtering system have been studied. The zero-bias barrier height (BH) versus temperature plot involves two distinct regions. At low temperatures, the zero-bias BH increases with increasing temperature due to local and lateral distribution of the barrier height. Werner and Güttler?s model has been employed to analyze the temperature dependence of barrier height and ideality factor at low temperatures. The standard deviation of the zero-bias BH was calculated as 64 mV and the voltage coefficients of the barrier height were determined as ro2 = -6.94×10-4 and ro3 = -5.73 mV. At high temperatures, the zero-bias BH decreases with increasing temperature because of the temperature dependence of semiconductor band gap. The non-linearity has been observed in the Richardson plot due to temperature dependence of the zero-bias BH. Effective Richardson constant was determined by using different methods. The To effect and the temperature dependence of flat-band BH of the diodes have been investigated. The important contact parameters of the Ni/n-GaAs/In Schottky diodes have been obtained by using conventional I-V method, Cheung functions, Norde method, and generalized Norde method for each temperature. Then, the results have been compared with each other. The bias dependence of the Ni/n-GaAs/Schottky diodes? ideality factor was investigated.

Benzer Tezler

  1. Metal/III-V yarıiletken schottky diyotların karakteristik parametrelerinin deneysel ve teorik olarak hesaplanması

    Experimental and theoretical calculating of the characteristic parameters of metal/III-V semiconductor schottky diodes

    SERDAR KOÇKANAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HÜLYA DOĞAN

  2. III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi

    The examination of effects of the elastic strain energy of dislocations on electri-city / electronic properties of III-V group compounds

    YILDIRIM AYDOĞDU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET CEYLAN

  3. Bizmut ve nitrojen içeren III-V grubu yarıiletken alaşımların fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    Examination of physical properties of III-V semiconductor alloys including bismuth and nitrogen

    BATTAL GAZİ YALÇIN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ASLAN

  4. GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu

    GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum

    MEHMET ALİ TOPRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  5. II-VI bileşiklerinin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigations of electrical optical properties of II-VI compounds

    FUNDA KIYMET ACIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL