Geri Dön

GaSb/InAs tip-II süperörgülerde elektron-deşik etkileşmeleri

Electron hole interactions in GaSb/InAs type-II superlattices

  1. Tez No: 269668
  2. Yazar: TUĞBA ERTEN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 85

Özet

GaSb-InAs süperörgü yapılarında arınmış bölgedeki banddan banda uyarılma kızılötesi ışığı algılamada kullanılabilir. GaSb-InAs yapılarında elektron ve deşiklerin ayrı ara yüzeylerde bulunmalarından dolayı ara yüzeylerde dalga fonksiyonu örtüşmesi zayıf olur. Geri besleme voltajı uygulanarak elektron ve deşik dalga fonksiyonlarının örtüşmeleri artırılabilir. Böylece algılamayı azaltıcı bir mekanizma olan Auger mekanizmasını baskılanır.Bu tezde InAs/GaSb Tip II süperörgü yapılarında elektron deşik etkileşmeleri incelenmiştir. Kronig-Penney Yöntemi ve Etkin Kütle Yaklaşımı kullanılarak band aralığı enerjisi ve süperörgü minibantları hesaplanmıştır. Yapının n tipi ve p tipi katkılanması sonucu oluşan p-n ekleminde iç elektrik potansiyel değişimi ve Fermi enerjileri değişimi incelenmiştir. Ayrıca varyasyonel teknik kullanılarak eksiton bağlanma enerjisi hesaplanmıştır. Eksiton bağlanma enerjisinin elektrik alana bağlılığı incelenmiştir. Geri besleme voltajı uygulandığı durumda uygulanan voltaj arttığında periyot sayısı, arınmış bölge genişliği ve iç elektrik potansiyeli değişimi incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

Band to band excitation at depletion region is used to detect the infrared light in InAs/GaSb superlattice structures. In this system electrons and holes are spatially separated in the carrier states of InAs and GaSb layers respectively. For this reason electron hole wavefunction overlap is weak at interface. With applied reverse bias overlap can be increased. In this way Auger Recombination process which reduces the detectivity is supressedIn this thesis we present the theoretical investigation of electron hole interaction in InAs/GaSb Type II superlattices. Kronig-Penney model and Envelope function approximation (EFA) is used to calculate band gap energy and superlattice minibands. Built-in voltage and Fermi energies are calculated for p-n junction formed by n-doped InAs and p- doped GaSb. Variational method is also used to calculate exciton binding energies. Also applied voltage dependence of the number of superlattice period, width the depletion region and built-in voltage are investigated.

Benzer Tezler

  1. GaSb/InAs süperörgülerinde optik destekli elektron-deşik yaratılması ve Matlab'da benzeşimi

    Electron hole generation in GaSb/InAs superlattice by optically and implementation in Matlab

    UTKU KAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN

  2. Design and characteristics of high performance mid-wavelength type-2 superlattice sensors

    Yüksek performanslı orta dalgaboyu tip-2 süperörgü sensörlerin dizayn ve karakteristikleri

    FİKRİ OĞUZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALPAN BEK

    DR. YETKİN ARSLAN

  3. InAs/GaSb tip-II süperörgü kızılötesi fotodedektör yapıların MBE tekniği ile GaSb ve GaAs alttaşlar üzerine büyütülmesi

    Growth of InAs/GaSb Type-II superlattice infrared photodetector structures on GaSb and GaAs substrates by MBE technique

    BÜLENT ARIKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

  4. InAs/GaSb TİP-II süperörgü yapıların akım ve kapasitans ölçümleriyle karakterizasyonları

    Characterization of InAs/GaSb TİP-II superlattices with current and capacitance measurements

    ERDEM YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI

  5. Dark current control in InAs/GaSb superlattice photodetectors

    InAs/GaSb süperörgü fotodedektörlerde karanlik akim kontrolü

    ABDULLAH MUTİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ATİLLA AYDINLI