GaSb/InAs tip-II süperörgülerde elektron-deşik etkileşmeleri
Electron hole interactions in GaSb/InAs type-II superlattices
- Tez No: 269668
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 85
Özet
GaSb-InAs süperörgü yapılarında arınmış bölgedeki banddan banda uyarılma kızılötesi ışığı algılamada kullanılabilir. GaSb-InAs yapılarında elektron ve deşiklerin ayrı ara yüzeylerde bulunmalarından dolayı ara yüzeylerde dalga fonksiyonu örtüşmesi zayıf olur. Geri besleme voltajı uygulanarak elektron ve deşik dalga fonksiyonlarının örtüşmeleri artırılabilir. Böylece algılamayı azaltıcı bir mekanizma olan Auger mekanizmasını baskılanır.Bu tezde InAs/GaSb Tip II süperörgü yapılarında elektron deşik etkileşmeleri incelenmiştir. Kronig-Penney Yöntemi ve Etkin Kütle Yaklaşımı kullanılarak band aralığı enerjisi ve süperörgü minibantları hesaplanmıştır. Yapının n tipi ve p tipi katkılanması sonucu oluşan p-n ekleminde iç elektrik potansiyel değişimi ve Fermi enerjileri değişimi incelenmiştir. Ayrıca varyasyonel teknik kullanılarak eksiton bağlanma enerjisi hesaplanmıştır. Eksiton bağlanma enerjisinin elektrik alana bağlılığı incelenmiştir. Geri besleme voltajı uygulandığı durumda uygulanan voltaj arttığında periyot sayısı, arınmış bölge genişliği ve iç elektrik potansiyeli değişimi incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
Band to band excitation at depletion region is used to detect the infrared light in InAs/GaSb superlattice structures. In this system electrons and holes are spatially separated in the carrier states of InAs and GaSb layers respectively. For this reason electron hole wavefunction overlap is weak at interface. With applied reverse bias overlap can be increased. In this way Auger Recombination process which reduces the detectivity is supressedIn this thesis we present the theoretical investigation of electron hole interaction in InAs/GaSb Type II superlattices. Kronig-Penney model and Envelope function approximation (EFA) is used to calculate band gap energy and superlattice minibands. Built-in voltage and Fermi energies are calculated for p-n junction formed by n-doped InAs and p- doped GaSb. Variational method is also used to calculate exciton binding energies. Also applied voltage dependence of the number of superlattice period, width the depletion region and built-in voltage are investigated.
Benzer Tezler
- GaSb/InAs süperörgülerinde optik destekli elektron-deşik yaratılması ve Matlab'da benzeşimi
Electron hole generation in GaSb/InAs superlattice by optically and implementation in Matlab
UTKU KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnadolu Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Design and characteristics of high performance mid-wavelength type-2 superlattice sensors
Yüksek performanslı orta dalgaboyu tip-2 süperörgü sensörlerin dizayn ve karakteristikleri
FİKRİ OĞUZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALPAN BEK
DR. YETKİN ARSLAN
- InAs/GaSb tip-II süperörgü kızılötesi fotodedektör yapıların MBE tekniği ile GaSb ve GaAs alttaşlar üzerine büyütülmesi
Growth of InAs/GaSb Type-II superlattice infrared photodetector structures on GaSb and GaAs substrates by MBE technique
BÜLENT ARIKAN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- InAs/GaSb TİP-II süperörgü yapıların akım ve kapasitans ölçümleriyle karakterizasyonları
Characterization of InAs/GaSb TİP-II superlattices with current and capacitance measurements
ERDEM YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnadolu Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI
- Dark current control in InAs/GaSb superlattice photodetectors
InAs/GaSb süperörgü fotodedektörlerde karanlik akim kontrolü
ABDULLAH MUTİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI