Geri Dön

Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diyotlarının yapılması ve elektriksel özellikleri

Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diode was fabricated and electirical properties

  1. Tez No: 271541
  2. Yazar: BUKET BİLGEN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 64

Özet

Bu çalışmada modifiye edilmiş Brigdman - Stockbarger yöntemiyle büyütülmüş p-tipi TlGaSe2 katmanlı tek kristalinin katmanlarına paralel olan bir yüzeyine Au (altın) metali termal buharlaştırma yöntemiyle kullanılarak kaplanmıştır. Bu yüzey Ag (gümüş) pasta ile omik kontak yapılmıştır. Tabakalara paralel diğer yüzey Ag pasta ile omik kontak oluşturulmuştur. Au olan yüzeyde Schottky bariyeri gözlenmiştir ve Schottky diyot davranışının farklı sıcaklıklarda (80-296 K) akım ? voltaj (I-V) karakteristiği incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

Schottky barrier contact using Au metal and Ohmic contact using Ag paste were fabricated on as growth p-type TlGaSe2 layered crystal. Measurements were carried out using current ? voltage ? temperature (I ? V ? T) technique in the range of 80 ? 296 K. Under forward bias and room-temperature, the ideality factors (n) were determined to be 1,36. The Schottky barrier height and effective Richardson coefficient A* were measured. Barrier heights of Au/ TlGaSe2 at room temperature is 0,7 eV. Diode parameters are found to vary as a function of temperatures.

Benzer Tezler

  1. A^III B^III C_2^VI tabanlı yarıiletken cihazların kapasitans, dielektrik ve admitans spektroskopisi yöntemleriyle incelenmesi

    Analysis of A^III B^III C_2^VI based semiconductor devices by capacitance, dielectric and admittance spectroscopy methods

    SERDAR GÖREN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  2. AIII BIII C2VI yarı iletken kristallerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation photovoltaic properties of AIII BIII C2VI semiconductor crystals

    GÖKHAN ALTUNOYMAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  3. Laser asisted photorefractive correction surgery

    Laser destekli fotorefraktif düzeltim cerrahisi

    BAHAA BOU KHZAM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Tıbbi BiyolojiBoğaziçi Üniversitesi

    Biyomedikal Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET ÖZKAN

  4. Au/n-GaAs schottky diyotların karakteristik parametreleri üzerine hidrostatik basıncın etkisi

    Hydrostatic pressure effect on caracteristic parameter of Au/n-GaAs schottky diodes

    GÜVEN ÇANKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NAZIM UÇAR