Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diyotlarının yapılması ve elektriksel özellikleri
Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diode was fabricated and electirical properties
- Tez No: 271541
- Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 64
Özet
Bu çalışmada modifiye edilmiş Brigdman - Stockbarger yöntemiyle büyütülmüş p-tipi TlGaSe2 katmanlı tek kristalinin katmanlarına paralel olan bir yüzeyine Au (altın) metali termal buharlaştırma yöntemiyle kullanılarak kaplanmıştır. Bu yüzey Ag (gümüş) pasta ile omik kontak yapılmıştır. Tabakalara paralel diğer yüzey Ag pasta ile omik kontak oluşturulmuştur. Au olan yüzeyde Schottky bariyeri gözlenmiştir ve Schottky diyot davranışının farklı sıcaklıklarda (80-296 K) akım ? voltaj (I-V) karakteristiği incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
Schottky barrier contact using Au metal and Ohmic contact using Ag paste were fabricated on as growth p-type TlGaSe2 layered crystal. Measurements were carried out using current ? voltage ? temperature (I ? V ? T) technique in the range of 80 ? 296 K. Under forward bias and room-temperature, the ideality factors (n) were determined to be 1,36. The Schottky barrier height and effective Richardson coefficient A* were measured. Barrier heights of Au/ TlGaSe2 at room temperature is 0,7 eV. Diode parameters are found to vary as a function of temperatures.
Benzer Tezler
- A^III B^III C_2^VI tabanlı yarıiletken cihazların kapasitans, dielektrik ve admitans spektroskopisi yöntemleriyle incelenmesi
Analysis of A^III B^III C_2^VI based semiconductor devices by capacitance, dielectric and admittance spectroscopy methods
SERDAR GÖREN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- AIII BIII C2VI yarı iletken kristallerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Investigation photovoltaic properties of AIII BIII C2VI semiconductor crystals
GÖKHAN ALTUNOYMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Electrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/N-Si MIS contact
Au/ZrO2/N-Si MIS kontağın elektriksel ve fotoelektriksel karakterızasyonu
MASOUD GIYATHADDIN OBAID
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Dupleks paslanmaz çeliklerin kaynağında ısıl girdilerin modellenmesi ve deneysel verilerin eldesi
Modelling of heat input and obtaining the experimental data in welding of duplex stainless steels
ALPTEKİN KISASÖZ
Doktora
Türkçe
2015
Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET KARAASLAN
- Talep tahmini için model topluluklarının kullanılması
Using ensembles of classifiers for demand forecasting
İREM İŞLEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiBilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞULE ÖĞÜDÜCÜ