Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diyotlarının yapılması ve elektriksel özellikleri
Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diode was fabricated and electirical properties
- Tez No: 271541
- Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 64
Özet
Bu çalışmada modifiye edilmiş Brigdman - Stockbarger yöntemiyle büyütülmüş p-tipi TlGaSe2 katmanlı tek kristalinin katmanlarına paralel olan bir yüzeyine Au (altın) metali termal buharlaştırma yöntemiyle kullanılarak kaplanmıştır. Bu yüzey Ag (gümüş) pasta ile omik kontak yapılmıştır. Tabakalara paralel diğer yüzey Ag pasta ile omik kontak oluşturulmuştur. Au olan yüzeyde Schottky bariyeri gözlenmiştir ve Schottky diyot davranışının farklı sıcaklıklarda (80-296 K) akım ? voltaj (I-V) karakteristiği incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
Schottky barrier contact using Au metal and Ohmic contact using Ag paste were fabricated on as growth p-type TlGaSe2 layered crystal. Measurements were carried out using current ? voltage ? temperature (I ? V ? T) technique in the range of 80 ? 296 K. Under forward bias and room-temperature, the ideality factors (n) were determined to be 1,36. The Schottky barrier height and effective Richardson coefficient A* were measured. Barrier heights of Au/ TlGaSe2 at room temperature is 0,7 eV. Diode parameters are found to vary as a function of temperatures.
Benzer Tezler
- A^III B^III C_2^VI tabanlı yarıiletken cihazların kapasitans, dielektrik ve admitans spektroskopisi yöntemleriyle incelenmesi
Analysis of A^III B^III C_2^VI based semiconductor devices by capacitance, dielectric and admittance spectroscopy methods
SERDAR GÖREN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- AIII BIII C2VI yarı iletken kristallerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Investigation photovoltaic properties of AIII BIII C2VI semiconductor crystals
GÖKHAN ALTUNOYMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Laser asisted photorefractive correction surgery
Laser destekli fotorefraktif düzeltim cerrahisi
BAHAA BOU KHZAM
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Tıbbi BiyolojiBoğaziçi ÜniversitesiBiyomedikal Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET ÖZKAN
- İdeal ve ideal olmayan omik doğrultucu kontaklı Au/n-Si schottky diyotlarda doğru beslen kapasite-voltaj-frekans karakteristikleri
Başlık çevirisi yok
BAHRİ BATI
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. A. MECİT TÜRÜT
- Au/n-GaAs schottky diyotların karakteristik parametreleri üzerine hidrostatik basıncın etkisi
Hydrostatic pressure effect on caracteristic parameter of Au/n-GaAs schottky diodes
GÜVEN ÇANKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NAZIM UÇAR