Electrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/N-Si MIS contact
Au/ZrO2/N-Si MIS kontağın elektriksel ve fotoelektriksel karakterızasyonu
- Tez No: 413312
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 51
Özet
Metal yalıtkan yarıiletken (MIS) kontaklar birçok yarıiletken aygıtların en önemli bileşenlerinden biridir. Günümüzde klasik SiO2 kapı oksiti yerine yüksek dielektrik sabite sahip yalıtkan tabakaların kullanılması çokça çalışılmaktadır. Zirkonya geniş band aralığı (5-8 eV) ve yüksek dielektrik sabiti (ε ≈ 25) ile bu amaç için en önemli adaylardan biridir. Bu çalışmada, Au/ZrO2/n-Si MIS yapısı ZrO2 ince filminin n-Si alttaş üzerinde büyütülmesi ve ince film üzerine Au buharlaştırılması ile oluşturulmuştur. Au/ZrO2/n-Si MIS yapısının elektrik ve fotoelektrik karakterizasyonu oda sıcaklığında karanlıkta ve farklı ışık şiddetinde alınan akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile belirlenmiştir. Ayrıca, Au/ZrO2/n-Si MIS yapısının kapasite-gerilim (C-V) karakteristiği incelenmiş ve her iki yöntem ile elde edilen engel yüksekliği değerleri karşılaştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
Metal insulator semiconductor (MIS) contacts are key components for many semiconductor devices. The usage of high dielectric constant (high-) insulator layers instead of conventional SiO2 gate oxide is currently widely studied. Zirconia with very large band gap (5-8 eV) and high dielectric constant (ε ≈ 25) is one of the most important candidates for this purpose. In this study, Au/ZrO2/n-Si MIS structure was fabricated by deposition of ZrO2 thin film onto n-Si substrate and evaporating the Au metal onto thin film. Electrical and photoelectrical characteristics of Au/ZrO2/n-Si MIS structure were analyzed using its current-voltage (I-V) measurements at room temperature in dark and under a solar simulator for various illumination intensities. In addition, capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au/ZrO2/n-Si MIS structure were studied and the barrier heights obtained from both measurements were compared.
Benzer Tezler
- Organik-inorganik hibrit yapıların elektriksel ve fotoelektriksel karakterizasyonu
Electrical and photoelectrical characterization of organic-inorganic hybrid devices
YUSUF SELİM OCAK
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Makrosiklik ligandların geçiş metal kompleksleri ile oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Electrical and optical properties of heterojunction formed by metal complexes of macrocyclic ligands
CİHAT ÖZAYDIN
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KEMAL AKKILIÇ
- Integration of sol-gel derived doped zinc oxide films and solution-processed metal nanoparticles for thin film photodiode and solar cell applications
İnce film fotodiyot ve güneş hücresi uygulamaları için sol-jel yöntemiyle elde edilen katkılı çinkoksit filmleri ve çözelti-işlemli metal NP'ların entegrasyonu
MOHAMED NOURI SBETA
Doktora
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
- Yeni kitin türevlerinin sentezi, karakterizasyonu ve diyot uygulamaları
Synthesis, characterization and diode applications of novel chitin derivatives
ÖNDER AKSOY
- Kimyasal depolama yöntemiyle elde edilen CdSe ince filmlerinin optik özellikleri ve karakterizasyonu
The optical properties and the characterization of CdSe thin films prepared by chemical bath deposition
SELMA ERAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ. HÜLYA METİN