Passivation of InSb infrared photodetectors
InSb kızılötesi detektörlerin pasifleştirilmesi
- Tez No: 275048
- Danışmanlar: PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
Kızılötesi dedektörler hem askeri hem de sivil alanda çok geniş uygulamalara sahiptir.En çok kullanılan dedektör çeşitlerinden bir tanesi InSb dedektörlerdir. InSb dedektör teknolojisi1950lerden beri gelişimini sürdürmektedir. InSb dedektör üretiminde en çok kullanılan yöntemlerdenbiri de p-n diyot yapımıdır. Oda sıcaklığında yüksek serbest taşıyıcı yoğunluğuna sahip olan InSb dedektörler etkili çalışabilmeleri için soğutulmalıdırlar, soğutma için tercihensıvı azot kullanılır. 77 K sıcaklığa rağmen, tünelleme, üretme-tüketme ve yüzey kaçağıetkileri gürültüye yani karanlık akıma neden olmaktadır. Sinyal / Gürültü oranının iyileştirilmesiana amaçtır. Gürültüyü azaltmanın yollarından biri de dedektör kenarlarının pasifleştirilmesidir.Kenarların pasifleştirilmesi yüzey durumlarını (asılı bağlar) bertaraf ederek yüzey kaçağındaazalmaya sebep olur. Pasifleştirme işleminde genellikle SiO2 ve SiNx gibi yalıtkan filmlerkullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında, değişik boyutlarda dedektörlerin üretilmesi,akım-voltaj ve tayf tepkisi ölçümleri yapılmıştır. Pasifleştirme için değişik malzemeler kullanılmışve bu değişik işlemlerin sonuçlarının detaylı bir karşılaştırması sunulmuştur.
Özet (Çeviri)
Infrared detectors have wide range applications in both military and civilian life.One of the most commonly used infrared detectors is InSb detectors. InSb detectortechnology has been developing since 1950s. Fabricating p-n diodes todetect infrared radiation is a common way of constructing InSb detectors. Dueto high free carrier concentration at room temperature, InSb detectors need tobe cooled down to operate properly and usually liquid nitrogen is preferred forcooling. However, even at 77 K, tunneling and generation-recombination andsurface leakage are not negligible and these effects result in dark current. Improvingthe photo current-to-dark current ratio is the main goal in design andfabrication of InSb photo detectors. One way of decreasing the dark current ispassivating the exposed edges of the detector to reduce surface leakage current.Passivating the edges can result in decreasing in the surface leakage by eliminatingthe surface states (dangling bonds). Dielectric thin films like SiO2 and SiNxare commonly used for passivation. In this work, different sized detectors arefabricated and characterized by measuring I-V curves and spectral response. Differentapproaches are tested for passivation and a detailed comparison betweendetectors with different treatments is presented.
Benzer Tezler
- Growth and morphological characterization of intrinsic hydrogenated amorphous silicon thin film for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells
a-Si:H/c-Si heteroeklem güneş pilleri için katkısız hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ince filmlerin büyütülmesi ve morfolojik karakterizasyonu
ÖZLEM PEHLİVAN
Doktora
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Si tabanlı solar hücrelerde pasivasyon, 2D haritalama ile karakterizasyon
Passivation of Si-based solar cells, 2D mapping characterization
ZEYNEP ELİF GÜLDÜREN
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Bilim ve TeknolojiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Interface passivation of perovskite solar cells with novel cations
Özgün katyonlar ile perovskit güneş hücrelerinin yüzey pasivasyonu
GÜLSEVİM BENSU YILDIRIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Mühendislik BilimleriOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EMRULLAH GÖRKEM GÜNBAŞ
- Development of dopant-free hole transport and passivation materials for high-performance perovskite solar cells
Yüksek performanslı perovskit güneş hücreleri için dopant gerektirmeyen boşluk geçirgen ve pasivasyon malzemelerinin geliştirilmesi
FİGEN VARLIOĞLU YAYLALI
Doktora
İngilizce
2023
Polimer Bilim ve TeknolojisiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EMRULLAH GÖRKEM GÜNBAŞ
PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
- Optimization of phosphorus emitter using POCl3 diffusion for PERC cells
PERC tipi hücreler için POCl3 difüzyonu ile emitör optimizasyonu
AHMET EMİN KEÇECİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ