Scanning probe microscopy for optoelectronic characterization at the nanoscale
Tarama sonda mikroskobu ile nanometre düzeyinde elektriksel karakterizasyon
- Tez No: 275101
- Danışmanlar: PROF. DR. SALİM ÇIRACI, YRD. DOÇ. DR. AYKUTLU DÂNA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Bu çalışmada, nano yapıda olan yüzeylerin tarama sonda mikroskobukullanılarak, elektrostatik kuvvet ve tünelleme akımı ölçümleri yoluylakarakterizasyonu için yöntemler öneriyoruz. Bunun için, elektrostatik kuvvetmikroskobunda (EKM) 10 nm'den daha küçük düzeyde çözünürlük elde edildive bu neticenin elde edilebilmesinin sebepleri uç-nümune kapasitansı ve ucuntasarımından kaynaklanan mekanik titreşimler cinsinden izah edildi. EKM'deuç-nümune etkileşimleri basit bir uç-nümune kapasitansı modelinden dahagenişletilmiş bir devre ile modellenerek incelendi. Yüzey fotovoltajı ölçümleriyapıldı ve bu ölçümün EKM'de doğrulanması frekans tepkisi de ölçülereksağlandı. Ayrıca, EKM ölçümlerini, tünelleme akımı ölçümleriyle birleştirerek,grafen/grafen oksit nümunelerinin optoelektronik özellikleri karakterize edildi.
Özet (Çeviri)
In this work, we propose methods for electrical characterization of nanostructuredsurfaces using electrostatic force and tunneling current measurements inscanning probe microscopy. Resolution smaller than 10 nm in electrostatic forcemicroscopy (EFM) is attained and reasons for this attainment is explained interms of the tip-sample capacitance and mechanical vibrations of tip design. Dynamicmeasurements are done in EFM using a lumped model for tip-sampleelectrostatic interaction instead of a simple tip-sample capacitance model. Surfacephotovoltage measurements are done and assured in EFM using frequencyresponse techniques. Also, combining tunneling current measurements by EFMmeasurements, optoelectonic properties of graphene/graphene oxide samples arecharacterized.
Benzer Tezler
- Integration of sol-gel derived doped zinc oxide films and solution-processed metal nanoparticles for thin film photodiode and solar cell applications
İnce film fotodiyot ve güneş hücresi uygulamaları için sol-jel yöntemiyle elde edilen katkılı çinkoksit filmleri ve çözelti-işlemli metal NP'ların entegrasyonu
MOHAMED NOURI SBETA
Doktora
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
- SILAR tekniği ile büyütülen ZnO ve CdO ince filmlerinin karakterizasyonu ve sandviç yapilarda kullanilmasi
The characterization of ZnO and CdO thin films grown SILAR technique and using in sandwich structures
MEMET ALİ YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYTUNÇ ATEŞ
- Nanocrystalline ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip coating technique and ZnO: Al/p-Si heterojunctions
Sol-gel daldırmalı kaplama tekniği ile üretilmiş nano yapılı ZnO:Al ince filmler ve ZnO: Al/p-Si heterokavşaklar
ÖZGE KARACASU
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN