Geri Dön

Au/p-GaAs1-xPx/n-GaAs yapılı P-N eklem diyotun tavlanma sıcaklıklarına göre elektriksel karakterizasyonu

An elecrical characterisation of the annealed P-N junction diode Au/p-GaAs1-xPx/n-GaAs

  1. Tez No: 275261
  2. Yazar: TUĞÇE MUTLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK, YRD. DOÇ. DR. ORHAN ZEYBEK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 80

Özet

Bu çalışmada p-GaAs1-xPx/n-GaAs yapısı, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) sisteminde büyütüldü. Bu yapının üzerine omik altın (Au) kontaklar yüksek vakum termal buharlaştırma sisteminde alındı. İletken teller gümüş pasta yardımı ile Au/p-GaAs1-xPx/n-GaAs yapısına tutturuldu böylece yapı elektriksel ölçümleri almak için hazır hale geldi. Yapının elektriksel karakteristikleri I-V deneysel ölçüm metotları kullanılarak belirlendi. Deneysel ölçümlerden elde edilen akım-gerilim (I-V) değerlerinden I-V grafikleri çizildi. I-V grafiklerinden doyum akımı, idealite faktörü ve bariyer yüksekliği değerleri belirlendi. Diyot yapısı ilk önce 450°C'de daha sonra 500°C sıcaklıklarda tavlandı. Tavlanma işleminden sonra yapının I-V grafiğinden doyum akımı, idealite faktörü ve bariyer yüksekliğindeki değişimler incelendi. Tavlama sonunda, metal kontak-yarıiletken arasındaki engel yüksekliğinin düştüğü ve doyum akımının artığı gözlendi. İdealite faktörünün eklem bölgesinde azaldığı ve omik kontak bölgesinde ise artığı bulundu. Sonuç olarak, tavlama sonucunda diyot özelliğinin iyileştiği belirlendi.ANAHTAR SÖZCÜKLER: p-n Eklem Diyotu/ Isıl Tavlama/ I-V karakteristiği

Özet (Çeviri)

In this study, p-GaAs1-xPx/n-GaAs structure was grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) system. Ohmic gold (Au) contacts were taken on the p-n junction diode in high vacuum thermal evaporation system. Using silver paste, the conductor wires were attached to Au/p-GaAs1-xPx/n-GaAs so that the structure was ready for the electrical measurements. Electrical characteristics of the structure were determined using I-V experimental methods. The I-V graphics were drawn using I-V data. Barrier height, an idealite factor and saturation current were determined using I-V graphics. The diode junction was annealed at temperature of 450°C and then it was annealed at temperature of 500°C. The changes of barrier height, idealite factor and saturation current were studied after annealing. It is observed that the barrier height decreased, while saturation current increased. It is also found that the idealite factor decreased in junction region although it was increased in ohmic contact region. In conclusion, the characteristic of diode was improved after annealing.KEY WORDS: p-n junction diode / Thermal Annealing / I-V characteristic

Benzer Tezler

  1. P-GaAs yariiletkeni ile hazırlanan metal yariiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of diode properties of schottky barrier prepared with p-GaAs semiconductor

    AHMET ASİMOV

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN ÖZER

  2. Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor

    SEMA YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADEM TATAROĞLU

  3. P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films

    HAYRETTİN YÜZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK

  4. GaAs tabanlı yarı iletken aygıtlar için düşük dirençli ohmik kontak yapılarının geliştirilmesi

    Development of low resistance ohmic contact structures for GaAs based semiconductor devices

    KORAY KESER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA KULAKCI

  5. Dış elektrik alanın bazı yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayısına etkisi

    The effect of external electric field on mass attenuation coefficient of some semiconductors

    SERDAR YAVUZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiRize Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN