P-GaAs yariiletkeni ile hazırlanan metal yariiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of diode properties of schottky barrier prepared with p-GaAs semiconductor
- Tez No: 269126
- Danışmanlar: DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 84
Özet
Bu çalışmada, (100) yönelimli, 300?m kalınlığında, 1x1018cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip p-GaAs yarıiletkeni üzerine metal buharlaştırma metodu ile Au/p-GaAs yapılar oluşturuldu. Bu yapıların temel bazı elektriksel parametreleri 80-400K sıcaklık aralığında incelendi. Hazırlanan bu yapıların yapılan akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekliği ?B ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği 0.53 eV, idealite faktörü ise 1.37 olarak bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı, engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. I-V ölçümlerinden ara yüzey durum yoğunluğu değerleri hesaplandı ve sıcaklığa bağlı olarak azaldığı görüldü. Oda sıcaklığında 10 kHz - 1000 kHz aralığında frekansa bağlı sığa-gerilim (C-V) karakteristikleri incelendi. 1/C²-V grafiği kullanılarak; difüzyon potansiyeli VD, engel yüksekliği ?B, alıcı atomların yoğunluğu NA, tüketim tabakası genişliği WD ve yalıtkan tabaka kalınlığı ? hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği C-V ölçümlerinden 0,72 eV olarak bulundu
Özet (Çeviri)
In this study, Au/p-GaAs structures were prepared on p-type GaAs semiconductor with orientation (100) and having 300 ?m thickness and carriers concentration of 1x1018cm-3 by metal evaporation method. Some basic electrical parameters of these structures were investigated in the range of 80-400K. Current-voltage (I-V) specifications of prepared structures such as ideality factor n, Schottky barrier heights ?B and other related diode parameters have been calculated. At room temperature, it has been determined for barrier height as 0.53 eV and for ideality factor as 1.37. It has been observed that ideality factor decreases barrier height increases as temperature increases. Characteristics of current-voltage (I-V) and characteristics of capacitance voltage (C-V) which is bound to frequency range of 10 kHz-1000 kHz have been analyzed. The density of interface states was evaluated from (C-V) measurements and it has been noticed that it decreases as temperature increases. Using 1/C²-V graphic data; diffusion voltage VD, barrier height ?B, concentration of acceptor NA, width of depletion layer WD and insulation layer thickness ? has been calculated. At room temperature barrier height value has been calculated as 0,72 eV from C-V measurements.
Benzer Tezler
- Magnetron saçtırma yöntemiyle hazırlanan metal/P-InP Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimlerinin incelenmesi
Investigation of changes in caharacteristic parameters of metal/P-InP Schottky diodes prepared by magnetron sputter method depend on annealing and sample temperature
KADİR EJDERHA
Doktora
Türkçe
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
PROF. DR. BAHATTİN ABAY
- Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor
SEMA YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- II-VI bileşiklerinin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigations of electrical optical properties of II-VI compounds
FUNDA KIYMET ACIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL
- Growth and characterization of sol-gel derived Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films and beta irradiation effect
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ince filmlerin sol-jel tekniğiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve beta ışınlarının etkisinin incelenmesi
ŞENGÜL AKYOL
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- III-N-V ve III-Bi-V yarı iletken alaşımlarda elektronik transport
Electronic transport in III-N-V and III-Bi-V semiconductor alloys
ERMAN ÇOKDUYGULULAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL