Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor
- Tez No: 561484
- Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
Bu çalışmada, silisyum nitrür (Si3N4) filmi, omik kontağa sahip p-GaAs üzerine dielektrik tabaka olarak radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kullanılarak biriktirildi. Böylece, film üzerine doğrultucu kontak oluşturularak Au/Si3N4/p-GaAs metal-oksit-yarıiletken (MOS) kondansatör hazırlandı. MOS kondansatörün dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε''), dielektrik kayıp tanjant (tanδ), ac iletkenlik (σac) ve kompleks elektrik modülüs (M*) gibi dielektrik özellikleri, 5 kHz-1 MHz frekans aralığında ve 150-350 K sıcaklık aralığında incelendi. Tüm dielektrik parametreler ölçülen kapasitans (C) ve kondüktans (G/ω) verileri kullanılarak hesaplandı. Elde edilen ε' ve ε'' değerleri artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Elde edilen σac değeri hem frekans hem de sıcaklıktaki artış ile artmaktadır. Ayrıca, σac'ın Arrhenius grafiği, ölçülen sıcaklık aralığında iki aktivasyon enerjisi göstermektedir. Elde edilen deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik özelliklerin frekansa ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermiştir. Sonuç olarak, hazırlanan MOS kondansatör elektronik devrelerde bir devre elemanı olarak kullanılabilir.
Özet (Çeviri)
In this study, the silicon nitride (Si3N4) film as interfacial dielectric layer was deposited by using the radio frequency (RF) magnetron sputtering method on p-GaAs having ohmic contact. Thus, the Au/Si3N4/p-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor was prepared by forming a rectifier contact on the film. Dielectric properties such as dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), dielectric loss tangent (tanδ), ac conductivity (σac) and complex electric modulus of the MOS capacitor were investigated in the frequency range of 5 kHz-1 MHz and temperature range of 150-350 K. All dielectric parameters were calculated using measured capacitance (C) and conductance (G/ω) data. While the obtained ε' and ε'' values decrease with increasing frequency, they increase with increasing temperature. The obtained σac value increases with an increase in both frequency and temperature. Also, the Arrhenius plot of σac shows two activation energies in the measured temperature range. The obtained experimental results showed that both electrical and dielectric characteristics are dependent on frequency and temperature. As a result, the prepared MOS capacitor can be used as a circuit element in electronics circuits.
Benzer Tezler
- Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures
FATİH YİĞİTEROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi
The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structures
ŞENAY SEZGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi
An investigation into current- voltage (I-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS)structures
FATMA ZEHRA PÜR
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si structures
TUĞÇE ATASEVEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri
The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer
RAZİYE ERTUĞRUL UYAR
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU