Geri Dön

Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi

Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor

  1. Tez No: 561484
  2. Yazar: SEMA YILMAZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 77

Özet

Bu çalışmada, silisyum nitrür (Si3N4) filmi, omik kontağa sahip p-GaAs üzerine dielektrik tabaka olarak radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kullanılarak biriktirildi. Böylece, film üzerine doğrultucu kontak oluşturularak Au/Si3N4/p-GaAs metal-oksit-yarıiletken (MOS) kondansatör hazırlandı. MOS kondansatörün dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε''), dielektrik kayıp tanjant (tanδ), ac iletkenlik (σac) ve kompleks elektrik modülüs (M*) gibi dielektrik özellikleri, 5 kHz-1 MHz frekans aralığında ve 150-350 K sıcaklık aralığında incelendi. Tüm dielektrik parametreler ölçülen kapasitans (C) ve kondüktans (G/ω) verileri kullanılarak hesaplandı. Elde edilen ε' ve ε'' değerleri artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Elde edilen σac değeri hem frekans hem de sıcaklıktaki artış ile artmaktadır. Ayrıca, σac'ın Arrhenius grafiği, ölçülen sıcaklık aralığında iki aktivasyon enerjisi göstermektedir. Elde edilen deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik özelliklerin frekansa ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermiştir. Sonuç olarak, hazırlanan MOS kondansatör elektronik devrelerde bir devre elemanı olarak kullanılabilir.

Özet (Çeviri)

In this study, the silicon nitride (Si3N4) film as interfacial dielectric layer was deposited by using the radio frequency (RF) magnetron sputtering method on p-GaAs having ohmic contact. Thus, the Au/Si3N4/p-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor was prepared by forming a rectifier contact on the film. Dielectric properties such as dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), dielectric loss tangent (tanδ), ac conductivity (σac) and complex electric modulus of the MOS capacitor were investigated in the frequency range of 5 kHz-1 MHz and temperature range of 150-350 K. All dielectric parameters were calculated using measured capacitance (C) and conductance (G/ω) data. While the obtained ε' and ε'' values decrease with increasing frequency, they increase with increasing temperature. The obtained σac value increases with an increase in both frequency and temperature. Also, the Arrhenius plot of σac shows two activation energies in the measured temperature range. The obtained experimental results showed that both electrical and dielectric characteristics are dependent on frequency and temperature. As a result, the prepared MOS capacitor can be used as a circuit element in electronics circuits.

Benzer Tezler

  1. Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures

    FATİH YİĞİTEROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ

  2. Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi

    The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structures

    ŞENAY SEZGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  3. Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

    An investigation into current- voltage (I-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS)structures

    FATMA ZEHRA PÜR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  4. Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si structures

    TUĞÇE ATASEVEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  5. Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri

    The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer

    RAZİYE ERTUĞRUL UYAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU