Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor
- Tez No: 561484
- Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, silisyum nitrür (Si3N4) filmi, omik kontağa sahip p-GaAs üzerine dielektrik tabaka olarak radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kullanılarak biriktirildi. Böylece, film üzerine doğrultucu kontak oluşturularak Au/Si3N4/p-GaAs metal-oksit-yarıiletken (MOS) kondansatör hazırlandı. MOS kondansatörün dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε''), dielektrik kayıp tanjant (tanδ), ac iletkenlik (σac) ve kompleks elektrik modülüs (M*) gibi dielektrik özellikleri, 5 kHz-1 MHz frekans aralığında ve 150-350 K sıcaklık aralığında incelendi. Tüm dielektrik parametreler ölçülen kapasitans (C) ve kondüktans (G/ω) verileri kullanılarak hesaplandı. Elde edilen ε' ve ε'' değerleri artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Elde edilen σac değeri hem frekans hem de sıcaklıktaki artış ile artmaktadır. Ayrıca, σac'ın Arrhenius grafiği, ölçülen sıcaklık aralığında iki aktivasyon enerjisi göstermektedir. Elde edilen deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik özelliklerin frekansa ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermiştir. Sonuç olarak, hazırlanan MOS kondansatör elektronik devrelerde bir devre elemanı olarak kullanılabilir.
Özet (Çeviri)
In this study, the silicon nitride (Si3N4) film as interfacial dielectric layer was deposited by using the radio frequency (RF) magnetron sputtering method on p-GaAs having ohmic contact. Thus, the Au/Si3N4/p-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor was prepared by forming a rectifier contact on the film. Dielectric properties such as dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), dielectric loss tangent (tanδ), ac conductivity (σac) and complex electric modulus of the MOS capacitor were investigated in the frequency range of 5 kHz-1 MHz and temperature range of 150-350 K. All dielectric parameters were calculated using measured capacitance (C) and conductance (G/ω) data. While the obtained ε' and ε'' values decrease with increasing frequency, they increase with increasing temperature. The obtained σac value increases with an increase in both frequency and temperature. Also, the Arrhenius plot of σac shows two activation energies in the measured temperature range. The obtained experimental results showed that both electrical and dielectric characteristics are dependent on frequency and temperature. As a result, the prepared MOS capacitor can be used as a circuit element in electronics circuits.
Benzer Tezler
- Pirinç kabuklarından karbotermal redüksiyon ve nitrürleme yöntemiyle Sic-SiN4 seramik kompozit tozu sentezi
Başlık çevirisi yok
ATİLLA SİNAN SAYGINER
- Tekil yük altında ray eğilme momenti travers eğilme momenti ilişkisi
The relation between rail bending moment and sleepers bending moment
BATUHAN BARIŞ KUNTER
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
İnşaat Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İNAL SEÇKİN
- NiMn,NiMnP+ ve CrFe alaşım ince filmlerinde elektron spin rezonans (ESR) ve direnç ölçümleri
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi
The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structures
ŞENAY SEZGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si structures
TUĞÇE ATASEVEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU