Ni/n-GaP Schottky diyodunun kontak parametrelerinin incelenmesi
Determination of contact parameters of Ni/n-GaP Schottky contacts
- Tez No: 284363
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Bu çalışmada, aynı şartlarda hazırlanmış 15 adet Ni/n-GaP Schottky diyotlarının akım?voltaj karakteristikleri oda sıcaklığında tayin edilmiş ve bu diyotlara ait bazı parametreler hesaplanmıştır. Akım-voltaj karakteristiklerinden elde edilen Schottky engel yüksekliklerinin 0,87 eV ve 0,97 eV arasında ve idealite faktörü değerlerinin ise 1,76 ve 1,08 arasında değiştiği belirlenmiştir. Bu Schottky diyotlardan birinin akım-voltaj ve kapasite-frekans ölçümleri, karanlık ortamda 120-320 K sıcaklık aralığında 20 K'lik adımlarla alınmıştır. Numune sıcaklığına bağlı olarak, Schottky diyodun engel yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnç gibi karakteristik parametreleri hesaplanmıştır. Yarıiletken bant aralığında arayüzey seviyeleri ve zaman sabiti kapasite-frekans karakteristiğinden belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, current-voltage (I?V) characteristic of 15 dot Ni/n-GaP Schottky diodes identically prepared was determined in room temperature and some parameters of these diodes was calculated. It was determined that Schottky barrier heights (BH) obtained from current-voltage characteristics changed between 0,87 eV and 0,97 eV and ideality factor values changed between 1,76 and 1,08. Current-voltage and capacitance-frequency measurements of one of these Schottky diodes was performed in the range of 120-320 K with a temperature step of 20 K under dark conditions. The characteristic parameters of Schottky diode such as barrier height (BH), ideality factor and series resistance were calculated depending on the temperature of the sample. The interface states in the semiconductor bandgap and their relaxation times were determined from the capacitance-frequency characteristics.
Benzer Tezler
- Au/CdTe ve Ag/CdTe eklemlerin yapısal ve opto-elektronik özellikleri
Structural and opto-electronic properties of Au/CdTe and Ag/CdTe junctions
MURAT ÇALIŞKAN
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TAYYAR CAFEROV
- Ni/n-6H SiC schottky diyodunda bazı elektriksel özelliklerin sıcaklıkla değişiminin incelenmesi
Investigaton of some electrical properties with temperature for Ni/n-6H SiC schottky diode
ASLIHAN SEFAOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEYDİ DOĞAN
- Metal (Au, Ni, Cr)/GO-Fe3O4 (NP)/ n-Si /Al heteroyapıların üretimi ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Fabrication and investigation of electrical properties of Metal/GO-Fe3O4(NP)/n-Si/Al heterojunctions dependent on temperature
İLKNUR GÜMÜŞ
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
- Karbon nanotüp arayüzeyli n-GaP schottky diyot üretilmesi ve akım iletim mekanizmasından parametrelerinin belirlenmesi
Production of n-GaP schottky diode with carbon nanotube interface and determination its parameters from the currentconduction mechanism
KÜRŞAT EKİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİN ÖZER
- Ni/n-4H-SiC ve Ni/n-6H-SiC tabanlı schottky ve Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontaklarda yüksek enerjili ve düşük dozlu elektronlarla ışınlamanın etkisi
The influence of high energy and low dose electron irradiation on Ni /n-4H-SiC and Ni /n-6H-SiC based schottky and Au/Ni /n-4h-sic and au/ni /n-6h-sic ohmic contacts
KÜBRA ÇINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN