Ni/n-GaP Schottky diyodunun kontak parametrelerinin incelenmesi
Determination of contact parameters of Ni/n-GaP Schottky contacts
- Tez No: 284363
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, aynı şartlarda hazırlanmış 15 adet Ni/n-GaP Schottky diyotlarının akım?voltaj karakteristikleri oda sıcaklığında tayin edilmiş ve bu diyotlara ait bazı parametreler hesaplanmıştır. Akım-voltaj karakteristiklerinden elde edilen Schottky engel yüksekliklerinin 0,87 eV ve 0,97 eV arasında ve idealite faktörü değerlerinin ise 1,76 ve 1,08 arasında değiştiği belirlenmiştir. Bu Schottky diyotlardan birinin akım-voltaj ve kapasite-frekans ölçümleri, karanlık ortamda 120-320 K sıcaklık aralığında 20 K'lik adımlarla alınmıştır. Numune sıcaklığına bağlı olarak, Schottky diyodun engel yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnç gibi karakteristik parametreleri hesaplanmıştır. Yarıiletken bant aralığında arayüzey seviyeleri ve zaman sabiti kapasite-frekans karakteristiğinden belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, current-voltage (I?V) characteristic of 15 dot Ni/n-GaP Schottky diodes identically prepared was determined in room temperature and some parameters of these diodes was calculated. It was determined that Schottky barrier heights (BH) obtained from current-voltage characteristics changed between 0,87 eV and 0,97 eV and ideality factor values changed between 1,76 and 1,08. Current-voltage and capacitance-frequency measurements of one of these Schottky diodes was performed in the range of 120-320 K with a temperature step of 20 K under dark conditions. The characteristic parameters of Schottky diode such as barrier height (BH), ideality factor and series resistance were calculated depending on the temperature of the sample. The interface states in the semiconductor bandgap and their relaxation times were determined from the capacitance-frequency characteristics.
Benzer Tezler
- Au/n-InP ve Au/Pyronine-B/n-InP Schottky yapıların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependence of electrical characteristics of Au/n-InP and Au/Pyronine-B/n-InP Schottky structures
MURAT SOYLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. BAHATTİN ABAY
- GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi
Preporation of GaP/metal Schottky diode and investigation of electronic properties
SEVİL EROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN
- n-InSe ve n-InSe:Sn tek kristallerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve n-InSe: Sn yarıiletkeninin schottky kontak davranışı
The electric field effect on band gap energy of n-InSe:Sn and n-InSe:Sn single crystals and schottky contact behavior of semiconductor n-InSe:Sn
SONGÜL DUMAN
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. BEKİR GÜRBULAK
- Au/CdTe ve Ag/CdTe eklemlerin yapısal ve opto-elektronik özellikleri
Structural and opto-electronic properties of Au/CdTe and Ag/CdTe junctions
MURAT ÇALIŞKAN
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TAYYAR CAFEROV
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapılarda akım iletimi ve sığa özellikleri
Current transport and capacity properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
YUNUS BAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER