Ni/n-6H SiC schottky diyodunda bazı elektriksel özelliklerin sıcaklıkla değişiminin incelenmesi
Investigaton of some electrical properties with temperature for Ni/n-6H SiC schottky diode
- Tez No: 232789
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEYDİ DOĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 44
Özet
Bu çalışmada, geniş yasak enerjili bir yarıiletken olan Silikon Karpit (SiC)' in bazı elektriksel özellikleri, diyot fabrikasyonu yapılarak incelenmiştir. Fabrikasyonu yapılan (tavlanılmamış) ve tavlama yapılan Ni/ n-tipi 6H-SiC Schottky diyodun sıcaklığa bağlı I-V karakteristikleri 100-500 K aralığında incelenmiştir. Doğru belsem I-V karakteristikleri termoiyonik emisyon teorisi esas alınarak incelenmiştir. Tavlamanın ve sıcaklığın idealite faktörüne (n) ve Schottky engel yüksekliğine ( ) etkileri detaylı bir şekilde tartışıldı. Artan sıcaklıkla n değerinin azaldığı ve değerinin artığı gösterildi. Tavlanmadan önceki diyot için engel yüksekliğinin ve idealite faktörünün değerlerinin 100-500 K sıcaklık aralığında sırası ile 0,65-1.25eV, 1.70-1.16 aralığında ve tavlanmadan sonraki diyot için ise 0.74-1.70eV ve 1.84-1.19 aralığında değişim gösterdiği elde edildi. Diyotun I-V karakteristiği, 973 K'de 2 dk tavlama işlemi yapılan diyotta sızıntı akımının azalmasıyla ilişkili olarak Schottky engel yüksekliğinin attığını gösterdi.
Özet (Çeviri)
In this study, some electrical porperties of Silicon Carbide (SiC), being a wide band gap semiconductor, have been investigated by fabricating a diode. The temperature dependence of current?voltage (I?V) characteristics of as-fabricated and annealed Ni/n-type 6H-SiC Schottky diode has been investigated in the temperature range of 100?500 K. The forward I?V characteristics have been analysed on the basis of standard thermionic emission theory. . The effects of annealing and temperature on the ideality factor (n) and Schottky barrier height ( ), in detail, been discussed. It has been shown that the n decreases while the increases with increasing temperature. The values of and n are obtained between 0.65-1.25 eV and 1.70-1.16 for as-fabricated and 0.74-1.70 eV and 1.84-1.19 for annealed diode in the temperature range of 100-500 K, respectively.The I?V characteristics of the diode showed an increase in the Schottky barrier height, along with a reduction of the device leakage current by annealing the diode at 973 K for 2 min.
Benzer Tezler
- Ni/n-4H-SiC ve Ni/n-6H-SiC tabanlı schottky ve Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontaklarda yüksek enerjili ve düşük dozlu elektronlarla ışınlamanın etkisi
The influence of high energy and low dose electron irradiation on Ni /n-4H-SiC and Ni /n-6H-SiC based schottky and Au/Ni /n-4h-sic and au/ni /n-6h-sic ohmic contacts
KÜBRA ÇINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- N-tipi 6H-SiC tabanlı polimer arayüzeyli schottky diyotlarının üretilmesi ve elektronik parametrelerinin incelenmesi
Production of n-type 6h-sic based schottky diodes with polymer interface and investigation of the electronic parameters
HAYATİ ALTAN
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİN ÖZER
- 5-fenil-6h-1,3,4-tiyadiazin-2-aminin, salisilaldehit türevleri ile schıff bazı ligandlarının ve komplekslerinin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of schiff base ligands of salicylaldehyde derivatives with 5-phenyl-6h-1,3,4-thiadiazine-2-amine and its complexes
HÜSEYİN AYDIN
- Yeni bir sübstitüe vicdiaminoglioksim ve komplekslerinin sentez ve özelliklerinin incelenmesi
Synthesis and properties of a new substite vic-diaminoglyoxime and complexes
ŞEBNUR MEREY
- Yeni ftalosiyanin sentezleri ve özelliklerinin incelenmesi
Synthesis and properties of the new phthalocyanines
SEVGİ SARIGÜL