GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi
Preporation of GaP/metal Schottky diode and investigation of electronic properties
- Tez No: 284775
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarıiletken, Yasak enerji aralığı, Optik özellikler, Schottky diyot, Semiconductor, band gap, optical properties, Schottky diode
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada LEC tekniği ile hazırlanan Galyum Fosfat (GaP) ince filminin optik ve elektriksel özellikleri incelendi. Numunenin optiksel özellikleri soğurma ve transmitans ölçümleri elde edilerek araştırıldı. Bu ölçümlerden GaP ince filminin yasak enerji aralığı 2,24 eV olarak elde edildi. Kırılma indisi - dalga boyu değişimi ve titreşim enerjisi incelendi. Daha sonra yarıiletken tabakanın bir yüzü Alüminyum (Al) kaplandı ve omik kontak hazırlandı. Yarıiletkenin diğer yüzüne ise Gümüş metali buharlaştırıldı ve Schottky kontak hazırlandı. Elde edilen Ag/GaP/Al kontağının I-V ve C-V ölçümleri incelendi. I-V ve C-V grafikleri çizildi. Bu grafikler yardımı ile Schottky Diyotunun idealite faktörü (n), engel yüksekliği ( ? B), seri direnci (RS) ve boşluk yoğunluğu (Nd) hesaplandı.
Özet (Çeviri)
Preporation of GaP/Metal Schottky Diode and İnvestigation of Electronic PropertiesIn this study, optical and electrical properties of Gallium Phosphide (GaP) thin film prepared by Liquid-encapsulated Czochralski (LEC) technique were investigated. The optical properties of the sample were investigated by obtain absorption and transmittance measurements. In this measurements GaP thin film band gap was obtained as 2,24 eV. The change of refractive index- wavelength and oscillator energy were investigated. Later, on one surface of semiconductor layer was prepared with Al coating and ohmic contact was prepared. The other surface of semiconductor was prepared by evaporated silver metal and Schottky contact was prepared. I-V and C-V measurements of the Ag/GaP/Al contact were investigated. I-V and C-V diagrams were drown. Schottky Diode?s ideality factor (n), barrier height ( ? B), series resistance (RS) and donor concentration (Nd) were calculated.
Benzer Tezler
- Al/(BSA katkılı PANI)/p-InP schottky diyotun hazırlanması ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Preparation of Al/(BSA doped PANI)/p-InP schottky diode and investigation of frequency dependent dielectric properties
NURSEL KARAOĞLAN
Doktora
Türkçe
2020
Metalurji MühendisliğiSakarya ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CUMA BİNDAL
- Soyanın çeşitli gelişme dönemlerinde topraktan kaldırdığı besin maddeleri ve büyümesi ile verim arasındaki ilişkiler
Başlık çevirisi yok
MERAL GİRGİN
- Türkiye'de üretilen bazı kışlık el örgü ipliklerinin başlıca iplik ve lif özellikleri üzerinde bir araştırma
Başlık çevirisi yok
SEMA YÜCEBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU
- Güneş pilleri
Solar cells
ZELİHA TAŞAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ATİLLA ÖZMEN