Geri Dön

Metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapılarda akım iletimi ve sığa özellikleri

Current transport and capacity properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure

  1. Tez No: 133266
  2. Yazar: YUNUS BAŞ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 88

Özet

METAL-YALITKAN-YARIILETKEN (M Y Y) YAPILARDA AKIM İLETİMİ VE SIĞA ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Yunus BAŞ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ekim 2003 ÖZET Bu çalışmada n-GaAs yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, oda koşullarında hava ile teması (100 saat) sağlanarak yalıtkan tabakası oluşturulup Au/n-GaAs MİS Schottky diyodu elde edildi. Çalışmada Au/n-GaAs (MİS) Schottky diyodunun temel bazı fiziksel parametrelerinin sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi amaçlandı. Au/n-GaAs (MİS) yapının I-V ve C-V ölçümleri farklı sıcaklıklar için 1MHz frekansta gerçekleştirildi. Bu ölçümlerden yapının idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç, yasak enerji aralığı, gibi bazı temel karakteristikleri sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : mis yapılar, engel yüksekliği, idealite faktörü, Schottky kontaklar Sayfa Adedi : 75 Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. Metin ÖZER

Özet (Çeviri)

CURRENT TRANSPORT AND CAPACITY PROPERTIES IN METAL- INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) STRUCTURE (M.Sc. Thesis) Yunus BAŞ GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY October 2003 ABSTRACT In this study; by means of the method of evaparation on the semiconductor n-GaAs; Au/n-GaAs was obtained in the room conditions by providing ohmic and Schottky contacts with the air (100 hours) and forming on insulating layer. The investigation of the changes in some physical parameters of Au/n-GaAs Schottky diode with respect to heat is aimed in the study I-V and C-V measurement of Au/n-GaAs (MIS) were done at the frequency MHz for the different temperature values. Some of the basic characteristics such as ideality factor, barrier height, serial resistant, energy gap of the structure were computed with respect to heat by mean of the compilations done in the experiments. Science Code : 404.05.01 Key Words : mis structure, barrier height, ideality factor, Schottky contacts Page Number : 75 Adviser : Asst. Prof. Dr. Metin ÖZER

Benzer Tezler

  1. Al-siox-psi aygıtların ve güneş pillerinin elektriksel karakteristikleri

    Electrical characteristics of al-siox-psi devices and solar cells

    ŞEMSETTİN ALTINDAL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ATİLLA ÖZMEN

  2. Metal-oksit ara tabakalı myy yapıların dielektrik özellikleri

    Dielectric properties of mis structures with metal-oxide interlayer

    MUSTAFA COŞKUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET ALTINDAL

    YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ

  3. Metal-yalıtkan-yarı iletken yapıdaki gözenekli silisyum güneş pillerinin elektriksel karakteristikleri

    Electrical characteristics of porous silicon solar cells at metal-insulator-semiconductor structure

    ÖZGE TÜZÜN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ŞENER OKTİK

  4. Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures

    DİLBER ESRA YILDIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures

    FATİH YİĞİTEROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ