Metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapılarda akım iletimi ve sığa özellikleri
Current transport and capacity properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
- Tez No: 133266
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: mis yapılar, engel yüksekliği, idealite faktörü, Schottky kontaklar, Schottky kontakları, Sığa özellikleri, mis structure, barrier height, ideality factor, Schottky contacts Page Number : 75 Adviser : Asst. Prof. Dr. Metin ÖZER, Schottky contacts, Capacity properties, Ideality factor
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
METAL-YALITKAN-YARIILETKEN (M Y Y) YAPILARDA AKIM İLETİMİ VE SIĞA ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Yunus BAŞ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ekim 2003 ÖZET Bu çalışmada n-GaAs yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, oda koşullarında hava ile teması (100 saat) sağlanarak yalıtkan tabakası oluşturulup Au/n-GaAs MİS Schottky diyodu elde edildi. Çalışmada Au/n-GaAs (MİS) Schottky diyodunun temel bazı fiziksel parametrelerinin sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi amaçlandı. Au/n-GaAs (MİS) yapının I-V ve C-V ölçümleri farklı sıcaklıklar için 1MHz frekansta gerçekleştirildi. Bu ölçümlerden yapının idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç, yasak enerji aralığı, gibi bazı temel karakteristikleri sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
CURRENT TRANSPORT AND CAPACITY PROPERTIES IN METAL- INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) STRUCTURE (M.Sc. Thesis) Yunus BAŞ GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY October 2003 ABSTRACT In this study; by means of the method of evaparation on the semiconductor n-GaAs; Au/n-GaAs was obtained in the room conditions by providing ohmic and Schottky contacts with the air (100 hours) and forming on insulating layer. The investigation of the changes in some physical parameters of Au/n-GaAs Schottky diode with respect to heat is aimed in the study I-V and C-V measurement of Au/n-GaAs (MIS) were done at the frequency MHz for the different temperature values. Some of the basic characteristics such as ideality factor, barrier height, serial resistant, energy gap of the structure were computed with respect to heat by mean of the compilations done in the experiments. Science Code : 404.05.01
Benzer Tezler
- Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi
Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters
İBRAHİM TAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- Adolesan intihar girişimlerinin psiko-sosyal nedenleriyle ilgili araştırma
Başlık çevirisi yok
NAZMİYE YÜKSEL
- İnce taneli sementasyon çeliklerinde sıcak şekil verme ve ısıl işleminin ostenit tane büyüklüğüne etkisi
Başlık çevirisi yok
MERAL ŞANLI
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Metalurji MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR
- Plazma arkı eldesi ve yüzey bölgesi modifikasyonunda kullanılabilirliği
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN ÖZİPEKLİLER
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİM DEMİRCİ
- 1,3-difenil-4,5-bis(hidroksiimino)-imidazolidin ve Ni(II), Cu(II), Pd(II), UO2(VI) komplekslerinin sentezi
Başlık çevirisi yok
VEFA AHSEN
Doktora
Türkçe
1984
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZER BEKAROĞLU
- Tekstil boyamacılığında atık flottede boyama imkanları üzerine araştırma
Başlık çevirisi yok
MEHMET YAKARTEPE
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. KERİM DURAN