Geri Dön

Kinolin sarısı bileşenli Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin belirlenmesi

Determination of electrical parameters of quinoline yellow based Schottky diodes

  1. Tez No: 398790
  2. Yazar: ALİ UĞUR
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ARİFE GENÇER İMER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

Bu tez çalışmasında, (100) yönelimine sahip ve özdirenci 1-10 Ω-cm olan p-Si kristali kullanılmıştır. Kinolin sarısı (C18H11NO2, bileşiğinin 1x10-2 molarlık çözeltisi metanol kullanılarak hazırlanmıştır. Öncelikle, hazırlanan çözelti ile optik ve elektrik karakterizasyon ölçümleri için sırasıyla lam ve p-Si üzerine ince film kaplanmıştır. (α(hν))2-hν grafiği yardımıyla kinolin sarısının (KS) yasak enerji band aralığı 2.73 eV olarak belirlenmiştir. Yüksek vakum ortamında alüminyum metali termal buharlaştırılarak Al/KS/p-Si yapısı elde edilmiştir. Üretilen Al/KS/p-Si yapısının oda sıcaklığında karanlık ortamda akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri alınarak I-V grafiğinden diyotun doğrultucu özellik gösterdiği anlaşılmıştır. lnI-V grafiği yardımıyla ortalama idealite faktörü, ortalama engel yüksekliği değerleri sırasıyla 1.23 ve 0.76 eV olarak belirlenmiştir. Cheung' ve Norde fonksiyonları yardımıyla ortalama seri direnç değerleri sırasıyla 1.002 kΩ ve 1.498 kΩ olarak hesaplanmıştır. C-V ölçümleri 0.2-3.0 MHz aralığında alınmış ve C-2-V grafikleri yardımıyla engel yüksekliği hesaplanarak ve diğer bulgularla karşılaştırılmıştır. Ayrıca, Al/KS/p-Si diyotunun 40-100 mW/cm2 ışık şiddeti altında I-V ölçümleri alınmıştır. Işık şiddeti arttıkça ters beslem akımının arttığı gözlenmiştir. Üretilen yapının sahip olduğu fotodiyot özelliği sayesinde optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceği gösterilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, a p-Si wafer with (100) orientation and mobility of 1-10 Ω-cm have been used. 1x10-2 M solution of quinoline yellow (C18H11NO2) have been prepared with methanol. A thin film of quinoline yellow (QY) has been coated by using this solution on the glass and p-Si substrate for optical and electrical measurements, respectively. Optical energy band gap of QY have been defined as 2.73 eV by using an (A(hν))2-hν graph. Aluminum has been thermally evaporated on the QY thin film under high vacuum condition. Finally, the Al/QY/p-Si structure has been obtained. The current-voltage (I-V) and capasitance-voltage (C-V) measurements of fabricated Al/QY/p-Si structure were taken under dark at room temperature. It is understood from the I-V measurements that the fabricated heterostructure showed rectification property. The mean value of ideality factor and barrier height of the diode has been defined as 1.23 ve 0.76 eV from lnI-V graphs, respectively. The mean value of series resistance of contacts has been calculated as 1.002 kΩ and 1.498 kΩ by Cheungs' and Norde functions, respectively. C-V measuremants have been performed in the range 0.2-3.0 MHz, and the barrier height of diode has been recalculated by C-2-V graphs and compared the previous results. In addition, the I-V measurements of Al/KS/p-Si structure have been repeated under the light which had intensity of 40-100 mW/cm2. It has been observed that the reverse bias current of the diode increased with the incresing the illumination intensity. Therefore, it can be used optoelectronic applications such as photodiode.

Benzer Tezler

  1. İlaç materyallerinde spektrofotometrik yöntemlerle renklendiricilerin birarada tayinleri

    Spectrophotometric determination of artificial colorants in pharmaceuticals by spectrophotometric methods

    MERVE TARHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    KimyaYıldız Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MAHMURE ÜSTÜN ÖZGÜR

  2. Bazı kozmetik ürünlerinde renklendirici maddelerin kemometrik yöntemlerle tayinleri

    Determinations of coloring agents in some cosmetic products by chemometric methods

    SEDA ALKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    KimyaSüleyman Demirel Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET HAKAN AKTAŞ

  3. Bazı gıda boyar maddelerinin analizi için yeni bir ters faz yüksek performanslı sıvı kromotografisi (RP-HPLC) medotu geliştirme

    Developing a new reversed phase high performance liquid chromotography (RP-HPLC) for determination of some of food colarants substances

    DAVUT BAŞKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    KimyaKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRAÇ OCAK

  4. Bakırın kinolin sarısı ve müreksid kaplanmış XAD reçineleri üzerinde zenginleştirilmesi

    Preconcentration of copper on XAD resins impreqnated with murexide and quinoline yellow

    AYFER ÇORBACIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    KimyaYıldız Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SIDIKA SUNGUR

  5. Gıda katkı maddelerinin HPLC ile analizi ve validasyonu

    Analysis and validation of food additives with HPLC

    DİLEK KÜÇÜKKARACA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    KimyaYıldız Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BÜRGE AŞÇI