Doğrultucu yapıların sığa özellikleri, DLTS tekniği ve yapısal kusurların araştırılması
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 28564
- Danışmanlar: PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: DLTS tekniği, Doğrultucular, Sığa özellikleri, Yapısal kusurlar, Yarı iletkenler, DLTS technique, Rectifiers, Capacity properties, Structural defects, Semiconductors
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu tezde DLTS ( Deep Level Transient Spectroscopy ) tekniğinin tanıtılması derin tuzak seviyelerinin araştırılmasında kullanılması ve diğer kapasite teknikleri ile DLTS'nin mukayesesi yapılarak incelenmesi amaçlanmıştır. Çalışmada ilk olarak metal - yarıiletken kontak yapıları hakkında genel bilgiler verildi. Metal - yarıiletken kontağın potansiyel dağılımı ve yük yoğunluğu arasındaki“Poisson denklemi”sınır şartları altında çözülerek.kontak bölgesindeki E(x) Elektrik alanı, 0(x) potansiyel fonk siyonları bulundu. C~2-V grafiğinden VD difüzyon potansiyeli ve No donor yoğunluğunu veren ifadeler çıkarıldı. Yarıiletkenlerdeki kusurların araştırılmasında metal - yarıiletken Schottky diyotlarda arayüzey tabakasının etkilerine işaret edildi. Bu kusurların yarıiletkenin yasak enerji aralığı içinde elektronik enerji seviyelerine yol açtığı ifade edildi. Sığ ve derin seviyeler hakkında açıklamalar yapıldı. Ayrıca kusur tiplerini oluşturan katkılar, arayer atomları, boşluklar ve dislokasyonlar üzerinde durularak bunların kristal örgü İçinde oluşturduğu yapısal değişiklikler hakkında bilgi verildi. Arayer kusurları ve boşlukların meydana gelmesinde parçacık ışımaları yada ağır parçacıklar > elektronlar, nötronlar ve Z-ışınlarının etkisi üzerinde duruldu. mumu MauiDerin seviye merkezlerinin özelliklerini belirlemede rol oynayan geçici kapasite metotlarıyla hangi parametrelerin bulunabileceği ifade edildi. Daha sonra DLTS tekniği tanıtılarak, kapasite metotlarıyla bulunan özellikleri DLTS ile daha kolay tespit etmenin önemi üzerinde duruldu. DLTS metotunun çalışması anlatılarak, tuzakların karakteristik kapasite geçiciliğine sebeb olmasından dolayı ışıma ve işgal edilme yöntemleri şematik olarak gösterildi. Tuzakların spektroskopik olarak gözlenmesini veren çeşitli grafikler üzerinde duruldu ve en son olarak DLTS tekniği ile diğer kapasite tekniklerin karşılaştırılması yapılarak bu metodun üstünlükleri anlatıldı. VI
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this thesis, it has been aimed at the introduction of the DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy),the use of it at the research of the deep trap levels and the comparison with the other capacitance techniques. Firstly, the general information has been given about structures of the metal - semiconductor contacts. The electric field E(x) and potential function <p{x) in the contact have found by solving the poisson equation between the charge density and the distribution of potantial function at the contact. The expression of the diffusion potantial Vd and donor (or acceptor) density Nd (or Na) have been obtained from C-2 - V plots. At the investigation of defects in the semiconductors,the effects of interfacial layer at the Schottky diodes pointed out. It has expressed that these defects led to the electronic energy levels in the forbidden gap of the semiconductor. Some explanations have been made about the shallow and deep levels. In addition, some information about changes in the crystal lattice caused by the impurities, interstitial atoms, vacancies and dislocations which are bringing out the defects were given. The effects of the radiation of particles, or heavy particles, electrons, notrons and x-rays were explained, which result in the interstitial defects and vacancies. VIIThe kind of parameters which can be found by means of the transient capacitance methods that play role in the determination of deep level centers are explained. Then by introducing DLTS technique,the importance of finding the properties by means of DLTS which is an easier way than the other capacitance methods is mentioned. In working the DLTS tecnique, the ways of radiation and the occupation of the traps has been shown shematically.The various graphics giving the traps in the spectroscopic way are dwelt on, and lastly a comparision between the DLTS and the other capacitance tecniques has been made and the superiorities of DLTS have been pointed out. VIII
Benzer Tezler
- Nötronlarla ışınlanmış P-tipi silisyumun bazı elektronik özellikleri
Başlık çevirisi yok
ABDÜLMECİT TÜRÜT
Doktora
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NECATİ YALÇIN
- Organik-inorganik hibrit yapıların elektriksel ve fotoelektriksel karakterizasyonu
Electrical and photoelectrical characterization of organic-inorganic hybrid devices
YUSUF SELİM OCAK
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Organometalik ara katmanlı metal/yarıiletken schottky fotodiyotların elektriksel ve fotoelektriksel karakteristiklerinin deneysel ve optimizasyon teknikleri ile belirlenmesi
Determination of electrical and photoelectrical characteristics of metal/semiconductor schottky photodiodes with organometallic intermediate layer using experimental and optimization techniques
FATMA ZEHRA BAYAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA DOĞAN
DOÇ. DR. MUSTAFA ŞEKER
- MgX, Mg2X (X=As, Sb, P, Ga, Cd, Si, Pb, Ni) bileşiklerinin yapısal ve elektronik özelliklerinin ab- initio çalışması
Ab-initio study of structural and electronic properties of MgX, Mg2X (X=As, Sb, P, Ga, Cd, Si, Pb, Ni) compounds
LEYLA YILDIZ KARADAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2026
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLTEN KAVAK BALCI
- Cz tekniği ile galyum katkılı silisyum külçe ve dilim geliştirilmesi
Improvement of gallium doped silicon ingot and wafer with Cz technique
ECE ÇAMKARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK