Doğrultucu yapıların sığa özellikleri, DLTS tekniği ve yapısal kusurların araştırılması
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 28564
- Danışmanlar: PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 89
Özet
ÖZET Bu tezde DLTS ( Deep Level Transient Spectroscopy ) tekniğinin tanıtılması derin tuzak seviyelerinin araştırılmasında kullanılması ve diğer kapasite teknikleri ile DLTS'nin mukayesesi yapılarak incelenmesi amaçlanmıştır. Çalışmada ilk olarak metal - yarıiletken kontak yapıları hakkında genel bilgiler verildi. Metal - yarıiletken kontağın potansiyel dağılımı ve yük yoğunluğu arasındaki“Poisson denklemi”sınır şartları altında çözülerek.kontak bölgesindeki E(x) Elektrik alanı, 0(x) potansiyel fonk siyonları bulundu. C~2-V grafiğinden VD difüzyon potansiyeli ve No donor yoğunluğunu veren ifadeler çıkarıldı. Yarıiletkenlerdeki kusurların araştırılmasında metal - yarıiletken Schottky diyotlarda arayüzey tabakasının etkilerine işaret edildi. Bu kusurların yarıiletkenin yasak enerji aralığı içinde elektronik enerji seviyelerine yol açtığı ifade edildi. Sığ ve derin seviyeler hakkında açıklamalar yapıldı. Ayrıca kusur tiplerini oluşturan katkılar, arayer atomları, boşluklar ve dislokasyonlar üzerinde durularak bunların kristal örgü İçinde oluşturduğu yapısal değişiklikler hakkında bilgi verildi. Arayer kusurları ve boşlukların meydana gelmesinde parçacık ışımaları yada ağır parçacıklar > elektronlar, nötronlar ve Z-ışınlarının etkisi üzerinde duruldu. mumu MauiDerin seviye merkezlerinin özelliklerini belirlemede rol oynayan geçici kapasite metotlarıyla hangi parametrelerin bulunabileceği ifade edildi. Daha sonra DLTS tekniği tanıtılarak, kapasite metotlarıyla bulunan özellikleri DLTS ile daha kolay tespit etmenin önemi üzerinde duruldu. DLTS metotunun çalışması anlatılarak, tuzakların karakteristik kapasite geçiciliğine sebeb olmasından dolayı ışıma ve işgal edilme yöntemleri şematik olarak gösterildi. Tuzakların spektroskopik olarak gözlenmesini veren çeşitli grafikler üzerinde duruldu ve en son olarak DLTS tekniği ile diğer kapasite tekniklerin karşılaştırılması yapılarak bu metodun üstünlükleri anlatıldı. VI
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this thesis, it has been aimed at the introduction of the DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy),the use of it at the research of the deep trap levels and the comparison with the other capacitance techniques. Firstly, the general information has been given about structures of the metal - semiconductor contacts. The electric field E(x) and potential function
Benzer Tezler
- Nötronlarla ışınlanmış P-tipi silisyumun bazı elektronik özellikleri
Başlık çevirisi yok
ABDÜLMECİT TÜRÜT
Doktora
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NECATİ YALÇIN
- N tipi silisyum tabanlı altlık üzerine pyrene maddesinin kaplanarak elde edilen yapıların akım iletim mekanizmaları
The current transport mechanisms of diode structures fabricated by coating pyrene film on N type silicon wafer
MESUT TURMUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İSMAİL ARSEL
- Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini
Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures
BAYRAM ÜNAL
- Ir ve Os katkılı NİO filmlerinin karakterizasyonu ve heteroeklem uygulamaları
Characterization of Ir and Os doped NIO films and heterojunction applications
ARSEN DEMİROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MÜJDAT ÇAĞLAR
- Organik-inorganik hibrit yapıların elektriksel ve fotoelektriksel karakterizasyonu
Electrical and photoelectrical characterization of organic-inorganic hybrid devices
YUSUF SELİM OCAK
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU