Geri Dön

N tipi silisyum tabanlı altlık üzerine pyrene maddesinin kaplanarak elde edilen yapıların akım iletim mekanizmaları

The current transport mechanisms of diode structures fabricated by coating pyrene film on N type silicon wafer

  1. Tez No: 382379
  2. Yazar: MESUT TURMUŞ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. İSMAİL ARSEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Bingöl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 67

Özet

Bu tez çalışmasında organik pyrene ara yüzeyli Au/n-Si yarıiletken Schottky diyotun elektriksel karakterizasyonu sistematik bir şekilde gerçekleştirilmiştir. Numune hazırlama aşamasında öncelikle (100) doğrultusunda büyütülmüş n-Si tabakaya, Au omik kontak yapılmıştır. Daha sonra vakumda buharlaştırma yöntemiyle, n-Si tabakanın diğer yüzeyi pyrene ile kaplanmış ve bunun üzerine Au doğrultucu Schottky kontakları vakumda buharlaştırma yöntemiyle oluşturulmuştur. I-V karakteristiklerinden idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç gibi diyota ait bazı parametreler hesaplanmıştır. Bu parametreler, Cheung-Cheung ve Norde yöntemiyle hesaplanmış ve her iki yöntemden elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak verilmiştir. Ayrıca pyrene ara yüzeyli Schottky diyotun ara yüzey durumlarını belirlemek için oda sıcaklığında sığa-gerilim C-V karakteristikleri de incelenmiştir. Bu ölçümlerden, taşıyıcı yoğunluğu, engel yüksekliği gibi diyota ait bazı elektriksel parametreler belirlenmiştir. I-V ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği ile C-V ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği değerleri karşılaştırılmalı olarak verilmiştir. Sonuçta her iki yöntem ile belirlenen değerlerin uyum içinde olduğu gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, electrical characterization of an Au/n-Si semiconductor Schottky diode with organic pyrene interface has been systematically carried out over a. Au sample fabrication stage, first, the ohmic In contact has been performed on one surface of n-Si wafer grown in direction of (100). Later, the other surface of the wafer has been coated with pyrene via thermal evaporation method and then the Schottky contacts have been constituted on the organic material via thermal evaporation method.By using the I-V characteristics, the idealite factor, barrier height and some other diode parameters have been calculated for all temperatures. These parameters have also been calculated by means of Cheung-Cheung and Norde methods and given as comparatively. Besides, for determine the interface states of Schottky diode with pyrene interface, capacitance-voltage C-V characteristics have been investigated at room temperature. From these measurements, the concentration of carriers, barrier height and some other diode parameters have been obtained. The barrier heights of diode have been compared with the results obtained by I-V and C-V methods. It has been seen that there is a good agreement with each other.

Benzer Tezler

  1. P tipi silisyum tabanlı altlık üzerine CuO maddesinin kaplanarak elde edilen yapıların akım iletim mekanizmaları

    The currency transition mechanisms of structures obtained by covering CuO material on an p type silicon based graund

    MEHMET FARUK KARABAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. İSMAİL ARSEL

  2. Silisyum tabanlı organik-inorganik diyotların elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of silicon based organic-inorganic diodes

    DİLEK DUYGU ORAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YASEMİN ÇAĞLAR

  3. Yüzeyi nano boyutta kendiliğinden toplanan tekli tabaka (SAM) molekülü ile modifiye edilmiş organik arayüzeyli silisyum tabanlı schottky diyotların incelenmesi

    Investigation of schottky diodes, whi̇ch are based-silicon, at the interface of organic whose surface modified with nano size self assembled monolayer (SAM) molecules

    BAŞAK ASLIHAN BAĞCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Kimya MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER FARUK YÜKSEL

  4. Çok eklemli fotovoltaik yapılar için şeffaf elektrot temelli perovskit güneş hücresi üretimi ve performans incelemesi

    Farbrication and performance analysis of transparent electrode based perovskite solar cell suitable for multijunction photovoltaic structures

    ALPER EKİCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    EnerjiEge Üniversitesi

    Güneş Enerjisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEYLAN ZAFER

  5. Hidrojene edilmiş amorf silisyum tabanlı ince film transistör piksel üretimi ve elektriksel karakterizasyonu

    Fabrication and electrical characterization of hydrogenized based amorphous silicon thin film transistor pixels

    ÇAĞLA SELALMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN ÖZDEMİR

    DR. SEMA MEMİŞ