Geri Dön

A Study of the staeblerwronski effects in hydrogenated amorphous silicon films

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 28571
  2. Yazar: AYDIN AKKAYA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. GÜLEN AKTAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1993
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 70

Özet

KISA ÖZET Bu çalışmada hidroj enlenmiş amorf silisyum ince filmlerde ışığa bağlı olarak ortaya çıkan ve kararlı gibi davranan (metastable) değişmeler ele alınmış, Staebler- Wronski olayı gözlemlenmiş ve incelenmiştir. Uzun süre ışık altında bırakılan filmlerin iletkenliklerine, fotoiletkenliklerine ve iletkenliklerinin sıcaklığa bağlı davranışına ilişkin deneysel verilerden hareket edilerek, ışığa bağlı kusurları ortaya çıkaran mekanizmayı açıklamak üzere ortaya atılmış iki temel model birbiriyle karşılaştırılmış ve bu modellerden yük-tuzaklayıcı kusur modelinin Staebler- Wronski olayını zayıf-bağ kopması modelinden daha iyi açıkladığı sonucuna varılmıştır. îleride yapılabilecek çalışmalara yönelik öneriler sonuç bölümünde sunulmuştur.

Özet (Çeviri)

IV ABSTRACT In this thesis, light-induced metastable changes in hydrogenated amorphous silicon thin films are investigated. The Staebler-Wronski effect is observed and studied. On the basis of the experimental data concerning the changes in dark conductivity, photoconductivity, and temperature dependence of dark conductivity of the films upon prolonged light-soaking, it is found that among the two basic models recently proposed to account for the mechanism of the light-induced metastable defect formation, the charge-trapping defect model seems to be much more adequate than the weak-bond breaking model. A future work is also formulated and suggested in the conclusion part. ÎETİM Wmni MOM M£jjftt,.,

Benzer Tezler

  1. Sub-gap absorption spectroscopy and its applications to amorphous semiconductor materials

    Düşük enerjili ışık soğrulma spektroskopisi ve amorf yarıiletken malzemelere uygulamaları

    DENİZ AKDAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2002

    Metalurji Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET GÜNEŞ

    PROF. DR. ORHAN ÖZTÜRK

  2. Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde konuma bağımlı fotogerilim ölçümleri

    Lateral photovoltage measurements in hydrogenated amorphous silicon

    BANU ÇOMAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  3. Mikro kristal silisyum ince film malzemelerdeki kararsızlık probleminin fotoiletkenlik yöntemi ile incelenmesi

    Investigation of instability problem on hidrogenated microcrystalline silicon thin film material by using photoconductivity method

    GÖKHAN YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET GÜNEŞ