Geri Dön

Characterization of epitaxially grown iii-v nanostructures by electron microscopy

Epi̇taksi̇yel olarak büyütülen iii-v nanoyapilarin elektron mi̇kroskopi̇ i̇le karakteri̇zasyonu

  1. Tez No: 365540
  2. Yazar: YUSUF EREN SUYOLCU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN, PROF. DR. SERVET TURAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Nanoteknoloji Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 121

Özet

Epitaksiyel olarak büyütülen III-V grubu yarıiletken nanoyapılar elektron mikroskopi teknikleri ile araştırılmıştır. Özellikle, kızılötesi fotoalgılayıcı olarak tasarlanan InAs/GaSb tip-II süperörgü (SL) ve kendiliğinden oluşan InAs/GaAs kuantum nokta (QD) yapılar taramalı elektron mikroskobu (SEM), geçirimli elektron mikroskobu (TEM) ve taramalı geçirimli elektron mikroskobu (STEM) ile incelenmiştir. Bu çalışmada kullanılan yapılar, moleküler demet epitaksi (MBE) ile büyütülmüş ve tabaka kalınlıkları, arayüz özellikleri, yüzey kaliteleri gibi yapısal özellikleri ve bileşimsel özellikleri bakımından kapsamlı olarak karakterize edilmiştir. Aynı görüntüleme teknikleri GaSb epikatmanların yüzey karakterizasyonu ve AlSb kuantum noktaların gözlenmesi için de kullanılmıştır. Elde edilen sonuçlar, farklı koşullar altında büyütülen epikatmanların yüzeylerinde görülen istenmeyen özelliklerin ve kusurların uygun eylemler uygulandığında önlenebileceğini göstermiştir. Ayrıca, bu çalışmanın önemli bir kısmı çalışılan malzeme sistemleri için etkin, tekrarlanabilir ve güvenilir bir yan-kesit numune hazırlama reçetesi geliştirilmesine adanmıştır.

Özet (Çeviri)

Epitaxially grown III-V group semiconductor nanostructures have been investigated by means of electron microscopy techniques. Particularly, InAs/GaSb type-II superlattice (SL) structures designed as infrared photodetector and InAs/GaAs self-assembled quantum dots (QDs) have been analysed by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) techniques. Structures used in this study were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and extensively characterized for their structural properties such as layer thicknesses, interface properties, surface qualities and compositional properties. The same imaging techniques have also been used for surface characterization of GaSb epilayers and observation of both InAs and AlSb QDs. The acquired results have shown that undesired features and defects evidenced on the surfaces of the epilayers grown under different conditions can be avoided once proper actions are taken. Also, a significant amount of work in this study has been devoted to develop an effective, reproducible and reliable cross-section sample preparation recipe for the studied material systems.

Benzer Tezler

  1. Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE

    Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    BURCU ARPAPAY

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

    PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN

  2. Silikon ve safir alttaşlar üzerine epitaksiyel büyütülmüş aln ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of epitaxially grown ain thin films on silicon and sapphire substrates

    KAĞAN MURAT PÜRLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLKAY DEMİR

  3. InxGa1-xAs/InyAl1-yAs tabanlı kuantum çağlayan lazer yapılarının büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs based quantum cascade laser structures

    İLKAY DEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  4. Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu

    Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization

    İSMAİL ALTUNTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  5. III-V grubu güneş hücre yapılarının epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Epitaxial growth and characterization of III-V group solar cell structures

    BARIŞ KINACI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK