Cu/CdS/Sn02 /In-Ga yapısının akım iletim mekanizmalarının incelenmesi
On the mechanism of current-transport in Cu/CdS/SnO2/In-Ga structures
- Tez No: 287208
- Danışmanlar: DOÇ. DR. EMİN BACAKSIZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karadeniz Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Bu çalışmada, kalay oksit kaplı altlıklar üzerine termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak büyütülen CdS ince filmlerin elektriksel, yapısal ve optik özellikleri incelendi. X-ışını kırınım deseni çalışması, CdS ince filmlerin (111) yansıma düzlemleri doğrultusunda kübik yapıda büyüdüğünü gösterdi. Cu/CdS/SnO2/In-Ga yapısının I?V karakteristikleri, 130 ile 325 K sıcaklığı aralığında araştırıldı. Termoiyonik emisyon (TE) akım mekanizmasına temellendirilmiş yarı-logaritmik ln(I)-V karakteristikleri, sıcaklık arttıkça idealite faktöründe (n) azalma ve sıfır besleme engel yüksekliğinde (?Bo) artma olduğu görüldü. 130 K'de ölçülen I-V değişim eğrisinden n, I0 ve ?Bo değerleri sırasıyla 8,98, 7,6 x 10-8 A ve 0,29 eV olarak hesaplandı. ln(Io/T2)-q/kT Richardson eğrisinin enerji ile lineer değişmediği tespit edildi. Doğru besleme akımı I'nın Io(T)exp(AV) ile orantılı olarak değiştiği görüldü. A sabiti [ln(I)-V eğrisinin eğimi], uygulanan voltaj ve sıcaklıktan neredeyse bağımsız, ancak Io(T) sıcaklığın zayıf bir fonksiyonudur. Bu sonuçlar, Cu/CdS/SnO2/In-Ga yapısındaki yük taşıma mekanizmasının, arayüzey durumları/tuzaklar arasındaki veya arınma bölgesinde bulunan dislokasyonlardan geçen tünelleme sonucu gerçekleştiğini gösterir. Buna ek olarak, voltaja bağlı Ri değerleri her bir sıcaklık için Ohm yasası kullanarak doğru ve ters besleme I-V karakteristiklerinden elde edildi.
Özet (Çeviri)
The structural and optical properties of CdS films deposited by evaporation were investigated. X-ray diffraction study showed that CdS films were polycrystalline in nature with zinc-blende structure and a strong (111) texture. The study has been made on the behavior of Cu/n-CdS thin film junction on SnO2 coated glass substrate grown using thermal evaporation method. The current-voltage (I-V) characteristics of Cu/CdS/SnO2/In-Ga structures have been investigated in the temperature range of 130-325 K. The semi-logarithmic lnI-V characteristics based on the Thermionic emission (TE) mechanism showed a decrease in the ideality factor (n) and an increase in the zero-bias barrier height (?Bo) with the increasing temperature. The values of n and ?Bo change from 8,98 and 0,29 eV ( at 130K) to 3,42 and 0,72 eV ( at 325 K), respectively. The conventional Richardson plots of the ln (Io/T2) vs q/kT show nonlinear behavior. The forward bias current I is found to Io(T)exp(AV), where A is the slope of ln(I)-V plot and almost independent of the bias voltage and temperature, and Io(T) is relatively a weak function of temperature. These results indicate that the mechanism of charge transport in the SnO2 /CdS/Cu structure in the whole temperature range is performed by tunneling among interface states/traps or dislocations intersecting the space-charge region. In addition, voltage dependent values of resistance (Ri) were obtained from forward and reverse bias I-V characteristics by using Ohm?s Law for each temperature level.
Benzer Tezler
- Production and characterizaton of SnO2:Cu/CdS films for solar cell applications
Güneş pili uygulamaları için SnO2:Cu/CdS filmlerinin üretim ve karakterizayonu
WALEED WASEA KHALAF ALKUBAISI
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OLCAY GENÇYILMAZ
- CdS ince film örneklerinin soğuk altlık üzerinde üretilmesi, yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Preparation of CdS thin films on cold substrate and investigation of structural, electrical and optical properties
MURAT TOMAKİN
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. MUSTAFA ALTUNBAŞ
- ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heteroeklem güneş pilinin elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell
A. SERTAP KAVASOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. HABİBE BAYHAN
- İnce film Cu x S/CdS güneş pilleri
Başlık çevirisi yok
HALUK ŞAFAK
Yüksek Lisans
Türkçe
1989
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiAtom ve Molekül Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. REMZİ ENGİN
- Fonksiyonel seramik nem dedektörleri
Electrical characterization of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell
NEŞE KAVASOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MURAT BAYHAN