Geri Dön

Galyum oksit ince filmlerin elektron demeti buharlaştırma yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu

Characterization of gallium oxide thin films produced by e-beam evaporation

  1. Tez No: 292207
  2. Yazar: NAGİHAN SEZGİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. KÜRŞAT KAZMANLI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 91

Özet

Bu çalışmada, galyum oksit (Ga2O3) düz ve eğik açılı ince filmler elektron demeti buharlaştırma yöntemiyle üretilmiş ve özellikleri belirlenmiştir. Algılama katmanı olarak Ga2O3 düz ve eğik açılı ince filmlerin kaplandığı sensör yapıları oluşturulmuştur. İnce filmlerin analizinde XRD ve SEM yöntemleri kullanılmıştır. Üretilen Ga2O3 düz ve eğik açılı ince filmlerin ısıl işlemler ile yapıları optimize edilmiştir. Eğik açılı Ga2O3 ince filmlerin ısıl işlemler ile yapılarındaki porozitenin ve kolonsal yapıların değişimi incelenmiştir. Isıl işlemler ile kolonsal yapıların bir araya geldiği ve daha geniş boşlukların oluştuğu belirlenmiştir. Oluşturulan sensör yapılarının ise mavi ve beyaz floresan ışık altında fotoiletkenlik ölçümleri yapılmıştır. Eğik açılı Ga2O3 ince filmlerin, düz ince filmlerden daha yüksek hassasiyet gösterdiği belirlenmiştir. Aynı zamanda UV dalgaboyuna sahip mavi floresan ışık uygulandığında; eğik açılı ince filmin direnç değişiminin, düz ince filmin direnç değişimine oranının; beyaz floresan ışık altındakine göre daha fazla olduğu belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, gallium oxide (Ga2O3) thin and oblique angled thin films are produced by e-beam evaporation and their properties are determined. Sensor structures that have Ga2O3 thin film sensing layers are formed. XRD and SEM methods are used to analyze thin films. Produced thin and oblique angled thin films are optimized by heat treatments. Changes in porosity and columnar structures of oblique angled Ga2O3 thin films are researched after heat treatments. As a result of heat treatments, at oblique angled Ga2O3 thin films, the formation of larger columnar structures and holes are determined. Photoconductivity measurements of produced sensor structures are made under blue and white fluorescent light. Oblique angled thin films are determined that they are more sensitive to radiation. Also, when blue fluorescent is applied, the ratio of conductivity change of oblique angled thin films to conductivity change of thin films is higher than the ratio at white fluorescent light.

Benzer Tezler

  1. Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications

    Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması

    HÜSEYİN ÇAKMAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER

    DOÇ. DR. ALPAN BEK

  2. RF saçtırma yöntemi ile galyum oksit (Ga2O3) ince filmlerinin büyütülmesi yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Growth of gallium oxide (Ga2O3) thin films by RF sputter, investigation of structural, morphological and optical properties

    HÜLYA AKÇAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUTLU KUNDAKÇİ

  3. Transparan ince film transistörlerde kullanılan kanal yarıiletkeninin özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the properties of channel semiconductor used in the transparent thin film transistors

    ÖZKUR KURAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEge Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLBEYİ AVCI

  4. İndiyum oksit ve galyum katkılı indiyum oksit ince filmlerin optik ve mikroyapısal özelliklerinin incelenmesi

    Investigating optical and microstructure properties of undoped and gallium-doped indium oxide thin films

    KAMİLE BURCU ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUHAMMED HASAN ASLAN

  5. Galyum katkılı çinko-oksit ince filmlerin özelliklerine sıçratma gücünün ve kaplama sonrası uygulanan ısıl işlemin etkileri

    Effect of sputtering power and post annealing process on properties of gallium-doped zinc oxide thin films

    BİRSEN HANDEM ERGÜNHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET KARAASLAN