Geri Dön

Mikrodalga transistörlerinin performans eğrilerinin bilgisayarla simülasyonu

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 29225
  2. Yazar: MEHMET FİDAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Makine Mühendisliği, Mechanical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1993
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 181

Özet

ÖZET Bu çalışmada, mikrodalga transistorun verilen bir frekansta ve kutuplama noktasında, geometrik yönteme dayandırılmış bir analiz kullanılarak performansı bilgisayarla simüle edilerek performans eğrileri elde edilmiştir. Bu yöntemde bütün tasarım bilgileri giriş empedans düzleminde yer almaktadır. Bilineer dönüşümlere gereksinim sonucu olarak, bütün tasarım parametreleri, merkez ve yarıçapları giriş empedans düzleminde bulunan dairelerle temsil edilebilmektedir. Verilen bir gürültü faktörü ve giriş VSWR çifti için elde edilebilecek kararlı maksimum transdüser güç kazancı ve karşılığı giriş ve çıkış sonlandırmaları grafikten analizle bulu nabilir. Daha da önemlisi bunların analitik ifadeleri, hesaplamaları çok hızlandırır. Analiz sonucunda Gürültü faktörü, Giriş VSWR ve Kazanç değişimleri bir dosyaya kaydedilerek doğrudan gözlenebilir. VStfR-KAZANÇ-GüRüLTO parametrelerine bağlı ikili kom binezonlar yatay ve düşey ekseni değişken yaparak değişik eğri grupları bilgisayar ekranında çizdirilir. Programda kullanıcıya, bu çizimlerin Plotter 'a çıktıları için bir seçenek bırakılmıştır. Bu sayede mikrodalga kuvvetlendirici tasarımcısı transistor karekterizasyon eğrilerini tedarik etmiş olacak ve böylece hangi ko şul altında birinin lehine diğerinden ne kadar feda edebileceğine doğrudan karar vererek, gerçekçi bir tasarım yapma olanağı bulacaktır.

Özet (Çeviri)

SUMMARY In this study, by using a graphical design method for a low-noise low VSWR microwave amplifier, perfor mance curves of two-port systems are obtanied. In this method, all design data are included in input- empedans plane. As a result of the need for bilinear transforms, all design parameters can be represented by circles the origins and radius of which are in the input- empedans plane. For a given noise figure and input VSWR couple, maximum stable obtainable transducer power gain and its correspon ding input and output terminations can be found by graphic analzy. The analytic expressions of these, makes all the computations faster, As a result of the analysis, changes in values of Noise figure, input VSWR and Gain can be observed directly by writing them into a file. Different curve groups depending on VSWR-BAIN-NOISE parameters are plotted on computer. In the program, to help the designer an option for plotter outputs of the curves is included for the user.

Benzer Tezler

  1. Mikrodalga transistörlerinin yapay sinir ağı eşdeğerlikleri

    Artificial neural network equivalencies of active microwave devices

    HAMİD TORPİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ

  2. Quadrature signal generation in 5-6GHz range using SiGe BICMOS process

    5-6GHz aralığında SiGe BICMOS proses kullanılarak 90 derece faz farklı işaret üretimi

    PINAR TAŞCI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2002

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ TOKER

  3. Mikrodalga devrelerinde iyileştirme temelli topluluk öğrenmesi yaklaşımı

    Boosting based ensemble learning approach in microwave circuits

    HAKAN KALAYCI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UMUT ENGİN AYTEN

    DOÇ. DR. PEYMAN MAHOUTI

  4. Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations

    Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi

    SELÇUK ÖZER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ

  5. Modelling of microwave transistor based SV-regression and building performance data base with its use in novel evolutionary design optimizations of nonuniform microstrip LNAs with a typical filtenna design

    Mikrodalga transistorlerin destek vektör tabanlı performans veri kümelerinin yenilikçi evrimsel algoritmalar ile uniform olmayan mikrostrip hatlı LNA tasarım optimizasyonu ve örnek bir filtenna tasarımı

    MEHMET ALİ BELEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ GÜNEŞ