Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations
Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi
- Tez No: 93205
- Danışmanlar: DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Aygıt Modellemesi, Monte Carlo, Delta Katkılı MODFET, Homojen Katkılı MODFET. VI, Device Modeling, Monte Carlo, Delta-Doped MODFET, Uniformly Doped MODFET. IV
- Yıl: 2000
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 102
Özet
oz Özer, Selçuk Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Cengiz Beşikçi Temmuz 2000, 89 sayfa Modüle katkılı alan etkili tranzistörler günümüzde mikrodalga, milimetre dalga devrelerinde ve yüksek hızlı sayısal elektronik uygulamalarda yaygın bir şekilde kullanılmaktadır. Çeşitli araştırma grupları değişik katman yapılarında tasarımlar gerçekleştirmişler-ve bunları test etmişlerdir. Bu yapıların performans optimizasyonu için hassas ve detaylı analiz edebilen modellere ihtiyaç vardır. Bu tez çeşitli katman yapılarındaki modüle katkılı alan etkili GaInP/InxGaı.xAs/GaAs tranzistörlerinin performanslarının model bazlı karşılaştırılmasını sunmaktadır. Bu amaçla hassas bir Monte Carlo simülasyon programı geliştirilmiştir. Bu program, en alt üç alt-bandı içerecek şekilde boyut kuantizasyonunu, bütün önemli saçılma mekanizmalarım, detaylı band yapılarını ve gerçek konum transferini hesaba katar. Programın hassasiyetini arttırmak için, Schrödinger ve Poisson denklemlerinden gerçek dalga fonksiyonları elde edilerek iki boyutlu saçılma olasılıkları hesaplanmıştır.Sonuçlar göstermektedir ki, kesme frekansında %40'lık ve transkondüktansda %100'lük bir gelişim sağlayarak, delta katkılı yapılar homojen katkılı yapılara üstünlük sağlamaktadır. İyi tasarlanmış basit katman yapılı delta katkılı tranzistörlerin, 77K sıcaklıkta 2750 mS/mm transkondüktansa ve 100 GHz kesme frekansına ulaşılabileceği simülasyon sonuçlarında öngörülmektedir. 50Â'luk ayırıcı katmanın yapıya katılması, aygıt performansını 77K sıcaklıkta farkedilebilir bir oranda azaltmaktadır. Kanal in mol katsayısı pratik olarak en yüksek (-0.3) ve olası en geniş kanala (~70Â) sahip delta katkılı yapıların en iyi katman yapılan olduğu sonucuna varılmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT PERFORMANCE ASSESSMENT OF PSEUDOMORPHIC MODFETs THROUGH MONTE CARLO SIMULATIONS Özer, Selçuk M.Sc, Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Cengiz Beşikçi July 2000, 89 pages Modulation doped field-effect transistors are now widely used in microwave and millimeter wave circuits, as well as high speed digital applications. Various layer structure designs have been proposed and experimentally and individually tested by other groups. Obviously, an accurate and detailed model based comparison of these designs would be invaluable for optimizing the device structure for the best performance. This thesis presents a model based assessment of the performances of GaInP/InxGai.xAs/GaAs modulation doped field-effect transistors with various layer structures. An accurate Monte Carlo simulation program has been developed for this purpose. The program considers size quantization by taking the lowest three subbands in the channel into account, inludes all the major scattering mechanisms, detailed bandstructure, and real space transfer. In order to improve the accuracy, the two dimensional scattering rates are calculated by using the exact wave functions obtained through the solution of Schrodinger and Poisson's equations. IllThe results show that delta-doped structures are superior to uniformly doped barrier structures providing improvements in cut-off frequency and transconductance of approximately %40 and %1005 respectively. The simulations predict that a 77 K transconductance of as high as 2750 mS/mm and a cut-off frequency of almost 100 GHz can be achieved in a well-designed delta-doped transistor with a simple layer structure. Including a 50Â thick spacer layer considerably degrades the performance of the device at 77 K. The optimum layer structure seems to be a delta-doped one with the highest practically possible channel Indium (In) mole fraction (~0.3) and the widest possible channel (~70 Â).
Benzer Tezler
- Bir yolcu iskelesinin performans değerlendirmesi: Bodrum iskelesi örneği
Performance assesment of a passenger wharf: Bodrum wharf
MEHMET BÜLENT KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Deniz BilimleriDokuz Eylül Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜRKAN ÖZDEN
- Performance assesment of a BPSK CDMA system using an urban radio channel model
Başlık çevirisi yok
ALİME YANARTAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
1991
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPROF. DR. YALÇIN TANIK
- Performance assesment of indium antimonide photodetectors on silicon substrates
Silisyum taban üzerinde indiyum antimon fotodedektörlerinin performans değerlendirmesi
ÜMİD TÜMKAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
PROF.DR. İBRAHİM GÜNAL
- Mevcut 25 katlı betonarme bir yapının deprem performansının incelenmesi
Seismic performance assesment of an existing reinforced concrete tall building
AHMET CAN ÖZGELDİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Deprem Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN BODUROĞLU
- Su dağıtım şebekelerinin deprem performansının coğrafi bilgi sistemleri (CBS) ile değerlendirilmesi
Earthquake performance assesment of water supply system using geographical information system (GIS)
FİLİZ TAŞKIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Deprem MühendisliğiPamukkale Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SELÇUK TOPRAK