Kuantum nokta temelli bellek yapılarda kuantum noktalarının elektronik özelliklerinin derin seviye geçiş spektroskopisi ile belirlenmesi
Detection of electronic structure of quantum dots based on flash memory structures via deep level transient spectroscopy
- Tez No: 299592
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HÜSEYİN SARI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında; kuantum nokta temelli bellek aygıt olabilecek GaAs/GaSb kuantum noktalı örnek ile GaAs/GaSb kuantum noktası içermeyen örneklerin elektronik özellikleri incelenmiştir. Bu incelemelerden yola çıkarak kuantum noktalarının varlığı her iki örnek için yapılan ölçümler karşılaştırılarak gösterilmiştir.Örneklerin her ikisi de aynı fiziksel koşullarda Moleküler Işın Epitaksi (MBE) sistemi ile büyütülmüştür. Kuantum noktası içeren örnekler büyütülürken Stranski-Kranstanow yöntemi kullanılarak büyültmüştür.Her iki örnek için 55 K ile 300 K sıcaklık aralıklarında akım-voltaj (I-V) ve sığa ?voltaj (C-V) ölçümleri yapılarak derin seviye geçiş spektroskopisi (DLTS) ile kuantum noktasının varlığı gösterildi. Kuantum noktası içeren örnek için aktivasyon enerjileri belirlenmiştir. GaAs/GaSb kuantum noktası içeren örnek için lokalizasyon enerjisi (temel seviye aktivasyon enerjisi) 450 meV civarında bulundu
Özet (Çeviri)
In this thesis work, the samples which can be used for quantum dots based on flash memory devices having with GaAs/GaSb and without GaAs/GaSb quantum dots of electronic structure have been investigated. In this researches show the existence of quantum dots with compare both samples.The samples have been grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) in the same physical condition. The sample which includes the quantum dots have been grown by Stranski - Kranstanow method.For each one of the two samples, the current-voltage (I-V) and the capacity-voltage measurements have been done between 55 K-300 K. The existence of quantum dots was showed by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS). The activation energy of the quantum dots is determined from DLTS. The localization energy (ground state activation energy) of the GaAs/GaSb quantum dots was found to be 450 meV.
Benzer Tezler
- Targeting and activation of antigen specific CD8+ T cells with peptide-major histocompatibility complex I tetramers
Peptit-majör histokompatibilite kompleks I tetramerleri ile antijen spesifik CD8+ T hücrelerin hedeflenmesi ve aktivasyonu
ŞAFAK CEREN USLU ŞIVGIN
Doktora
İngilizce
2025
BiyoteknolojiHacettepe ÜniversitesiTemel Onkoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HANDE CANPINAR
- Kuantum noktacık temelli hibrit güneş pillerine yönelik kuantum nokta yapıların eldesi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of quantum dots for hybrid solar cell
ESMA YENEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
EnerjiSelçuk ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MAHMUT KUŞ
PROF. DR. YUNUS ÇENGELOĞLU
- Ağır metal temelli alaşım kuantum nokta yapıların elde edilmesi, optik ve membran özelliklerinin incelenmesi
Obtaining of heavy metal alloyed quantum dots and investigation of their optic and membrane properties
CANAN BAŞLAK
- Kadmiyum ve kurşun kalkojen kuantum nokta- çekirdek/kabuk kuantum nokta temelli güneş hücrelerinin araştırılması
Investigation of solar cells based on cadmium and lead cahalcogenide quantum dot- core/shell quantum dot
SELÇUK BİRDOĞAN
- Development of colloidal alloyed nanocrystals for quantum dot based device applications
Kuantum nokta temelli cihaz uygulamaları için kolloidal alaşım nanokristallerin geliştirilmesi
SEÇİL SEVİM ÜNLÜTÜRK
Doktora
İngilizce
2018
Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERDAR ÖZÇELİK
PROF. DR. CANAN VARLIKLI