Geri Dön

Sol-jel metodu ile polikristal heteroeklem güneş pili üretilmesi, yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Preparation and investigation of structural, electrical and optical properties of polycrystalline heterojunction solar cell by using the sol-gel method

  1. Tez No: 300072
  2. Yazar: FERHAT ASLAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. İBRAHİM HALİL MUTLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Harran Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 144

Özet

Bu çalışmada sol-jel daldırma yöntemiyle In2S3 ve CuInS2 ince film yarıiletkenleri oluşturuldu. Elde edilen filmlere, çözeltilerdeki Cu/In, S/In oranlarının ve tavlama sıcaklıklarının etkileri; x-ışını kırınımı analizi (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), enerji dağılımlı x-ışını spektrometresi (EDX), UV spektrometresi, dört nokta elektriksel ölçümü ve termoelektriksel ölçüm yöntemleriyle incelendi. XRD sonuçları, CuInS2 ve In2S3 filmlerinin sırasıyla (112) ve (109) karakteristik pikleri ile tetragonal yapıda olduklarını gösterdi. CuInS2 filmlerinde Cu/In oranının ve tavlama sıcaklığının artması ile kristalleşmenin arttığı ve buna bağlı olarak tanecik boyutlarının büyüdüğü gözlendi. UV spektrometresi sonuçlarına göre CuInS2 filmlerinin bant aralıkları 1.30 -1.44 eV aralığındadır. In2S3 filmlerinin bant değerleri ise 2.69 ? 2.87 eV aralığındadır. Termoelektriksel ölçüm sonuçları CuInS2 filmlerinin Cu/In oranına bağlı olarak n ve p tipi özellikte olduğunu göstermektedir. In2S3 filmleri sadece n-tipi özellik göstermiştir. Bu filmlerle yapılan güneş pili denemeleri sonucunda ITO kaplı cam altlıklar üzerine cam/ITO/n-In2S3/p-CuInS2/In heteroeklem cihazları oluşturuldu. Elde edilen güneş pillerinin açık devre voltajlarının (Vad) ve kısa devre akım yoğunluklarının (Jkd), ~ 250 mV ve ~ 10-1 mA/cm2 civarında olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

In this study In2S3 and CuInS2 thin film semiconductors were prepared by sol-gel dip coating method. Effects of Cu/In, S/In ratios and annealing temperatures on the prepared films were investigated by x-ray diffraction analysis (XRD), scanning electron microscope (SEM), energy dispersive x-ray diffraction spectroscopy (EDX), UV spectrometer, four point probe electrical and thermoelectrically measurement methods. XRD results showed that CuInS2 and In2S3 were in tetragonal structure with the (112) and (109) characteristic peaks, respectively. It was observed that the crystallinity and particle size increase by increasing the Cu/In ratio and annealing temperature. According to UV spectrometer results, band gaps of the CuInS2 films are between 1.30 -1.44 eV. On the other hand, band gap values of the In2S3 films are between 2.69 ? 2.87 eV. Thermoelectrically measurement results showed that CuInS2 films were in n and p type properties depending on Cu/In ratio. In2S3 films only showed n-type properties. By using these thin films, glass/ITO/n-In2S3/p-CuInS2/In heterojunction devices were prepared on ITO coated glass substrates. The open circuit voltage (Voc) and short circuit current density (Jsc) of these solar cells were measured as approximately ~ 250 mV and ~ 10-1 mA/cm2.

Benzer Tezler

  1. N, n′-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksiimid organik yarı iletken katkılı n-zno/p-si heteroeklem fotodiyotun ışığaduyarlılık performansının araştırılması

    Investigation photosensitivity performance of n,n′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide organicsemiconductor doped n-zno/p-si heterojunction photodiode

    EMRECAN EMEKSİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    BiyoteknolojiSelçuk Üniversitesi

    Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM

  2. Metal katkılı tio2 bileşenli boya duyarlı güneş hücrelerinin (DSSCs) üretimi ve parametrelerinin belirlenmesi

    Fabrication of metal doped tio2 based dye sensitized solar cells (DSSCs) and determination of their photovoltaic parameters

    ALİ UĞUR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ARİFE GENÇER İMER

  3. ZNS ve Cu2ZNS4(CZTS) ince filmlerin sentezi, karakterizasyonu ve optoelektronik uygulamaları

    Synthesis, characterization and optoelectronic applications of ZNSand Cu2ZNS4(CZTS) thin films

    ZEKİYE ABA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH GÖKTAŞ

  4. ZnO esaslı nanoyapılı yarı iletken ince filmlerin büyütülmesi ve gaz sensörlerinin üretilmesi

    Grown of ZnO based on nanostructure semiconductor thin films and fabrication of gas sensors

    HANDAN AYDIN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU

  5. Sol jel spin kaplama metodu ile elde edilen sno2 filmlerinin optik ve yapısal özellikleri

    The optical and structural properties of sno2 films deposited by sol gel spin coating method

    Aİ YENER BÜYÜKKÖROĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MÜJDAT ÇAĞLAR