Grafen transistörlerin elektriksel parametrelerinin belirlenmesi
The determination of electrical parameters of the graphene transistors
- Tez No: 300159
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HİDAYET ÇETİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elektriksel özellikler, Nem, Raman spektroskopisi, Sıcaklık, Vakum, Electrical properties, Moisture, Raman spectroscopy, Temperature, Vacuum
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bozok Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Grafen, bal peteği örgüsü seklinde sıkıca paketlenmis karbon atomlarının düz tek tabakasıolarak tanımlanmaktadır. Bu sıkıca bağlı iki boyutlu madde, birçok uygulamalarda heyecanuyandıran yüksek sağlamlık, üstün termal ve elektriksel iletkenlik gibi olağanüstü özelliklersergiler. Tek tabaka grafenler, 285 nm termal oksitli silisyum alttas üzerine mekanik ayrılmametoduyla hazırlanır. Bu tek tabaka grafenler optik mikroskobu ve daha sonra RamanSpektroskobisiyle karakterize edilir. Sonra elektriksel ölçümler yapmak için, alttas olaraksilisyum kullanılarak grafen tabakalar üzerine grafen alan etkili transistor üretilir. Buçalısmanın asıl amacı; atmosfer, vakum, nem altında ve farklı sıcaklık değerlerinde grafeninelektriksel parametrelerini incelemektir.
Özet (Çeviri)
Graphene is defined as flat monolayer of carbon atoms tightly packed into a honeycomblattice. This strictly two-dimensional (2D) material exhibits a range of unusual properties,such as excellent electrical and thermal conductivities and extremely high strength, whichhold great promise in many applications. Mechanical exfoliated single layer graphene sheetsare transfered on silicon wafer which have 285 nm thermal oxide. These single graphenelayers are characterized by optical microscopy and then Raman Spectroscopy. In order tomeasure electrical characteristics, graphene field effect transistor is fabricated on thegraphene sheet by using the silicon substrate as backgate. The main objectives of this studyare to explore electrical parameters of the graphene under the atmosphere, vacuum, humidityand different temperature.
Benzer Tezler
- LiP-CVD growth of multi-shape monolayer WS2: Determination and investigation of defect domains
Çok şekilli tek katmanlı WS2' ün LiP-CVD ile büyütülmesi: Kusur alanlarının belirlenmesi ve incelenmesi
HASRET AĞIRCAN
Doktora
İngilizce
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLDEM KARTAL ŞİRELİ
- Bakır yüzeyinde kimyasal buhardan çöktürme yöntemi ile grafen büyütmede süreç parametrelerinin etkilerinin araştırılması
The effects of process parameters on graphene growth on copper surface via chemical vapor deposition
DOĞUKAN ŞENYILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiTobb Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DOÇ. DR. ZARİFE GÖKNUR BÜKE
- Influence of substrate and environmental conditions on nanoscale patterning of graphene via local anodic oxidation
Alttaşın ve çevresel koşulların lokal anodik oksidasyon aracılığıyla grafen üzerine yapılan nano-desenlemeye etkisi
YAREN SEZEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ONUR ERGEN
- Grafen tabanlı alan etkili transistörlerin hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Preparation of graphene based field effect transistors and investigation of their electrical properties
İBRAHİM KARTERİ
Doktora
Türkçe
2015
Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Grafen tabanlı alan etkili transistörler
Graphene based field-effect transistors
MERVE AKIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiNecmettin Erbakan ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET AKİF ERİŞMİŞ