Influence of substrate and environmental conditions on nanoscale patterning of graphene via local anodic oxidation
Alttaşın ve çevresel koşulların lokal anodik oksidasyon aracılığıyla grafen üzerine yapılan nano-desenlemeye etkisi
- Tez No: 999398
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ONUR ERGEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Karbon temelli materyaller, Madde fiziği, Nano grafen, Nanomateryaller, Carbon based materials, Matter physics, Nano graphene, Nanomaterials
- Yıl: 2026
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
İnsanlık tarihi boyunca malzeme bilimi ve mühendisliği, hammaddelerin yığınsal ölçekte işlenmesine dayanan geleneksel yaklaşımlardan, atomik hassasiyet gerektiren nano ölçekteki manipülasyon tekniklerine doğru kesintisiz ve yönlü bir evrim geçirmiştir. Bronz Çağı'ndan yarı iletken devrimine uzanan bu süreçte üretim paradigmaları sürekli olarak küçülme, hassasiyet artışı ve fonksiyonel karmaşıklık yönünde ilerlemiştir. Geleneksel üretim yöntemleri makro ölçekte yüksek verimlilik ve tekrarlanabilirlik sağlasa da özellikle grafen başta olmak üzere iki boyutlu (2D) malzemelerin keşfi, ultra yüksek taşıyıcı hareketliliği, olağanüstü mekanik dayanıklılık ve yüksek optik şeffaflık gibi üstün özellikler sunarak yoğun madde fiziği ve nanoyapı mühendisliğinde devrim yaratmıştır. Ancak bu üstün içsel özelliklerin işlevsel ve ölçeklenebilir cihazlara dönüştürülmesi, nanoteknoloji araştırmalarında temel bir üretim zorluğu olarak karşımıza çıkmaktadır. Atomik kalınlıktaki bu malzemelerde yüzey bütünlüğünün korunması bu malzemeler tarafından üretilecek cihazların kalitesinin bozulmaması için kritik olduğundan, nanoteknolojide yüksek hassasiyetli, tahribatsız ve kontaminasyonsuz üretim yaklaşımlarına duyulan ihtiyaç belirgin biçimde artmıştır. Grafen, altıgen bal peteği örgü yapısında düzenlenmiş tek atom kalınlığında bir karbon tabakası olan bir malzeme olarak, yoğun madde fiziği, nanoelektronik ve kuantum teknolojileri açısından benzersiz bir platform sunmaktadır. Olağanüstü yüksek taşıyıcı hareketliliği, mekanik dayanımı, termal iletkenliği, yüksek optik geçirgenliği ve kuantum Hall etkisi gibi özellikleri sayesinde grafen, geleceğin yüksek hızlı elektronik ve algılama sistemleri için güçlü bir aday olarak görülmektedir. Bununla birlikte, bu yapısal özelliklerin gerçek cihaz mimarilerine aktarılması, yalnızca malzemenin senteziyle değil, aynı zamanda atomik düzeyde kontrollü ve seçici nano boyutta desenleme süreçlerinin geliştirilmesiyle mümkündür. Bu bağlamda, grafen ve benzeri iki boyutlu malzemelerin işlevsel ve ölçeklenebilir cihazlara dönüştürülmesi, günümüz nanoteknoloji araştırmalarının en kritik üretim darboğazlarından biri olarak öne çıkmaktadır. Nanoyapılı iki boyutlu malzemelerden üretilen cihazların mühendisliğinde litografi teknikleri, atomik yapıların belirli bölgelerini elektriksel olarak yalıtmak, iletken kanallar tanımlamak veya fiziksel olarak şekillendirmek için merkezi bir rol üstlenmektedir. Alan etkili transistörler (FET), kuantum noktaları, nanotel tabanlı mimariler ve yüksek hassasiyetli sensörler gibi ileri cihaz konseptleri, tipik olarak onlarca nanometre ve altı çözünürlükte güvenilir desenleme gerektirmektedir. Elektron Demeti Litografisi (EDL) ve fotolitografi gibi yerleşik teknikler yüksek çözünürlük sunabilmelerine rağmen, polimerik rezist kullanımı, agresif kimyasal geliştiriciler ve yüksek enerjili ışın maruziyeti nedeniyle özellikle tek atom kalınlığındaki iki boyutlu sistemlerde ciddi dezavantajlar doğurmaktadır. Rezist kalıntıları, statik yüklenmeler ve yapısal hasarlar, grafenin yapısal olarak sahip olduğu yük taşıyıcı hareketliliğini düşürmekte, temas direncini artırmakta ve cihaz performansını sınırlamaktadır. Atomik incelikteki malzemelerde bu kalıntılar, litografinin yararlanmayı hedeflediği yüksek iletkenlik gibi malzemenin içsel olarak sahip olduğu özellikleri yok edebilmektedir. İki boyutlu malzemelerin teorik potansiyeli ile pratik uygulamaları arasındaki boşluğu doldurmak için nanometre ölçeğinde çözünürlük sunan, rezist gerektirmeyen, kimyasal olarak temiz, ucuz ve vakum gerektirmeyen, hava ortamında uygulanabilecek desenleme metodolojilerine ihtiyaç duyulmaktadır. Bu nedenlerle, rezist gerektirmeyen, doğrudan yazıma izin veren ve kimyasal olarak temiz bir alternatif olarak Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) tabanlı Yerel Anodik Oksidasyon (YAO) yöntemi son yıllarda güçlü bir araştırma odağı haline gelmiştir. Yerel Anodik Oksidasyon yönteminin temelinde, Atomik Kuvvet Mikroskobu probu ile numune yüzeyi arasında nano ölçekli bir su menisküsünün kontrollü biçimde oluşturulması yatmaktadır. Ortam bağıl neminin belirli bir eşik üzerinde tutulmasıyla kendiliğinden oluşan bu su köprüsü, lokal bir elektrokimyasal hücre gibi davranarak reaksiyon için gerekli iyonik iletkenliği sağlar. Tipik düzende yerel anodik oksidasyon metodu uygulandığı esnada AKM ucu katot, grafen yüzeyi ise anot rolünü üstlenerek ortamda yerel bir elektrokimyasal hücre oluştururlar. Uca uygulanan potansiyel farkı, menisküs içindeki su moleküllerinin ayrışmasına yol açarak H⁺ ve OH⁻ iyonlarının oluşmasını tetikler. Güçlü lokal elektrik alan altında hareket eden oksijen türleri grafen yüzeyi ile reaksiyona girerek karbon atomlarını CO/CO₂ formunda uzaklaştırabilir veya bölgesel olarak grafen oksit (GO) oluşumuna neden olarak elektriksel yalıtım sağlayabilir. Bu doğrudan yazım süreci, herhangi bir maske, rezist veya kimyasal geliştirici gerektirmemesi nedeniyle malzemenin yüzey saflığını koruma açısından önemli bir avantaj sunmaktadır. Yerel Anodik Oksidasyon tekniği, ilk olarak 1990'larda silikon ve metal filmler üzerindeki çalışmalarla literatüre girmiştir. Bu erken dönem çalışmaları, AKM ucunun altında oluşan elektrik alanının silikon yüzeyinde kalıcı oksit yapıları oluşturabileceğini kanıtlamıştır. Daha sonra yapılan araştırmalar, bu sürecin kuvvet tabanlı değil, su menisküsünün elektrolit görevi gördüğü elektrokimyasal bir süreç olduğunu doğrulamış voltaj kararsızlıklarını bastırmak için sabit akımlı kontrol mekanizmalarını geliştirmişlerdir. 2000'li yılların başında yürütülen çalışmalarda, bu nanometre ölçekli eklemin fiziksel modelini detaylandırarak su menisküsünün reaksiyon kinetiğini belirleyen temel unsur olduğunu ortaya koymuşlardır. Bu modelde, su köprüsü on binlerce çözücü molekülü içeren kısıtlanmış bir elektrokimyasal hücre olarak tanımlanmış reaksiyon hızının AKM ucu ile etkileşim süresi ve voltaj değerlerine sıkı sıkıya bağlı olduğu gösterilmiştir. Tekniğin grafen üzerindeki ilk başarılı uygulaması ise 2008 yılında araştırılmaya başlanmıştır. Grafeni fiziksel güçle kazımanın başarısız olduğunu, ancak yerel anodik oksidasyon ile 30 nm'den küçük yalıtkan kanalların temiz bir şekilde açılabileceği gösterilmiştir. İlerleyen zamanlarda, oksidasyonun sadece grafen kenarlarından değil, tabakanın merkezinden de başlatılabileceğini kanıtlayarak sürecin evrenselliği genişletilmiştir. 2010 ve sonrasında yapılan araştırmalar sonucunda, yerel anodik oksidasyon yönteminin tek tabakalı grafende, çok tabakalı örneklerden daha hızlı ilerlediğini keşfederek çözünürlüğün tabaka sayısıyla arttığı saptanmıştır. İlerleyen deneyler, grafende“pseudocut”(yalancı kesik) olarak adlandırılan, malzemenin fiziksel olarak yüzeyden tamamen kopmuş gibi göründüğü ancak elektronik yapısının değişmediği ve dolayısıyla yalıtkan bölgeler yaratılamadığı durumları tanımlayarak elektriksel karakterizasyonun önemini vurgulamışlardır. 2018 yılında Li ve ekibi tarafından geliştirilen elektrotsuz yerel anodik oksidasyon yöntemi, yüksek frekanslı AC voltaj kullanarak alttaş üzerinden kapasitif eşleşme sağlamış ve sadece grafen değil, heksagonal bor nitrür (h-BN) gibi yalıtkan malzemelerin de 10 nm çözünürlükle desenlenmesine olanak tanımıştır. 2020'li yıllara gelindiğinde yöntemin tekrarlanabilirliği ve çalışma şartları iyice anlaşılmış, optimizasyon üzerine yoğunlaşılmıştır. 2022'de tek atom tabakalı hassasiyete sahip dikey çözünürlük üzerine yoğunlaşılırken, 2025 yılında ise düşük baskı kuvvetleri ve yüksek tarama hızlarıyla 15 nm genişliğinde nano-kanallar oluşturularak bu teknik basit bir litografi yöntemi olmaktan çıkmış, kuantum meta-malzeme üretimi için uygun bir platforma dönüştürmüştür. Literatürdeki bu evrim, yerel anodik oksidasyonun laboratuvar ölçekli bir deneyden, iki boyutlu malzemelerin yapısal bütünlüğünü koruyan güvenilir bir nano-litografi aracına dönüştüğünü göstermektedir. Bu tez çalışması, söz konusu literatürdeki alttaş etkileşimi ve ortam nemi boşluklarını doldurarak, tekniğin tekrarlanabilirliği üzerindeki kritik parametreleri sistematik bir çerçeveye oturtmayı hedeflemektedir. Bu tez çalışmasının temel amacı, grafen–alttaş etkileşiminin yerel anodik oksidasyon sürecinin kinetiği ve desen kalitesi üzerindeki belirleyici rolünü sistematik olarak ortaya koymaktır. Bu doğrultuda, yüksek kalitede grafen üretilebilmesi için Kimyasal Buhar Biriktirme (KBB) metodu kullanılmıştır. KBB yöntemi, yüksek kaliteli ve geniş alanlı ince filmlerin üretilmesinde kullanılan en etkili biriktirme tekniklerinden biridir. Bu süreçte, gaz halindeki öncül malzemeler, yüksek sıcaklık altındaki termal bir silindirik kuvars tüp içerisinden geçirilerek bir iletken bir alttaş üzerinde ince film büyümesi sağlanır. Filmin kalınlığı ve kristal kalitesi çalışma sıcaklığı, basınç, kullanılan gaz türü, akış hızı ve alttaş seçimi gibi parametrelerin hassas bir şekilde kontrol edilmesine bağlıdır. Geleneksel mekanik eksfoliasyon yöntemi grafen üretimini mikron ölçekli pullarla sınırlandırırken, KBB tekniği elektronik cihazlara entegre edilebilecek kadar geniş ve sürekli ince filmlerin sentezlenmesine olanak tanımaktadır. Literatürde grafen sentezi için genellikle nikel (Ni) ve bakır (Cu) folyolar alttaş olarak tercih edilmektedir. Bu çalışmada grafen üretiminde bakır folyolar kullanılarak yüksek sıcaklık ve atmosferik basınç altında metan gazı karbon kaynağı bir gaz olarak kullanılarak grafen sentezlenmiştir. Kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle iletken bakır üzerine sentezlenen grafenlerin yapısal ve elektriksel özelliklerinin altındaki iletken bakır folyodan bağımsız bir şekilde incelenebilmesi ve kullanılabilmesi için grafenin yalıtkan veya yarıiletken bir yüzeye aktarılması gerekmektedir. Bakır üstüne sentezlenen grafenler, poli-metil-metakrilat isimli polimer destekli yaş transfer protokolü kullanılarak farklı dielektrik özelliklere sahip SiO₂/Si ve mika alttaşlar üzerine aktarılmıştır. Yerel anodik oksidasyon yönteminin uygulandığı deneysel çalışmalar, bağıl nemin ısıtmalı bir su rezervuarı aracılığıyla hassas biçimde ayarlanabildiği ve gerçek zamanlı izlenebildiği kapalı bir atomik kuvvet mikroskobu çevresel kabininde yürütülmüştür. Bu kabin sayesinde yerel anodik oksidasyonun gerçekleşeceği ortam dış ortamdan ayrılarak kapatılmış ve nemin içeride tutulması hedeflenmiştir. Atomik Kuvvet Mikroskobu temas modunda çalıştırılmış, yaklaşık 10 V mertebesindeki gerilim farkı ve ~40 kHz frekanslı uyarımlar altında farklı alttaşlar üzerinde bulunan grafen numuneler üzerinde kontrollü oksit hatları yazılmıştır. Oluşturulan nanoyapılar daha sonra optik mikroskop ile yüzey pürüzlülüğü incelenerek, taramalı elektron mikroskobu ile aynı yüzeyin elektriksel yapısı araştırılarak ve Atomik Kuvvet Mikroskobu ile topografi, faz kontrastı ve yüzey potansiyeli teknikleriyle çok yönlü olarak karakterize edilmiştir. Elde edilen deneysel bulgular, alttaşın hem dielektrik özelliklerinin hem de yüzey morfolojisinin yerel anodik oksidasyon performansını doğrudan etkilediğini açık biçimde göstermektedir. Termal olarak büyütülmüş 300 nm kalınlığındaki SiO₂/Si alttaşlar üzerinde transfer edilen grafende, yüzeyin görece yüksek pürüzlülüğü ve hidrofilik doğası nedeniyle su menisküsünün yanal yönde yayılma eğilimi gösterdiği gözlenmiştir. Bu durum, elektrik alanın lateral olarak genişlemesine ve sonuç olarak çizgi kenar keskinliğinin bozulmasına yol açmıştır. Buna karşılık atomik olarak düz ve kristal yapılı mika alttaş üzerinde, menisküsün daha yerel bir şekilde oluştuğu ve yaklaşık 20 nm genişliğe kadar inebilen daha keskin oksit hatlarının elde edildiği belirlenmiştir. Gwyddion yazılımı kullanılarak yapılan kesit analizlerinde, SiO₂ üzerindeki oksitlenmiş bölgelerin yaklaşık 3 nm derinliğe ulaştığı ölçülmüştür. Bir Atomik Kuvvet Mikroskobu karakterizasyon yöntemi olan ve yüzeyin elektriksel yapısını ve yüzeyler arasındaki potansiyel farkını incelemeye yarayan Kelvin Probu Kuvvet Mikroskobu (KPFM) ölçümleri ise oksitlenmiş alanlarda oksitlenmemiş alana kıyasla iş fonksiyonunun belirgin biçimde değiştiğini ve bu bölgelerin etkin elektriksel yalıtım sağladığını doğrulamıştır. Deneysel süreç boyunca yöntemin pratik uygulamada son derece hassas olduğu ve yüksek tekrarlanabilirlik elde etmenin önemli mühendislik zorlukları içerdiği de ortaya konmuştur. Bazı deneylerde oksidasyonun beklenen voltaj eşiklerinde başlamadığı veya süreksiz ilerlediği gözlenmiştir. Ayrıntılı analizler, bu kararsızlığın büyük ölçüde Atomik Kuvvet Mikroskobu probunun elektrokimyasal stres altında zamanla aşınması ve deneyde kullanılan Atomik Kuvvet Mikroskobu ucunun körelmesi ile ilişkili olduğunu göstermiştir. Taramalı elektron mikroskobu ile proses sonrasında Atomik Kuvvet Mikroskobu ucu incelenmiştir. Proses öncesi ve sonrasında yapılan incelemeler sonucunda, metal kaplı uçların oksidasyon sırasında hem mekanik deformasyona uğradığını hem de yüzeydeki polimer kalıntılarını toplayarak“double-tip”ismi verilen yüzeydeki maddelerin çift görünmesine sebep olan tarama bozulmalarına neden olabildiğini ortaya konulmuştur. Bu bozulmalar, lokal elektrik alan şiddetini düşürerek desenleme çözünürlüğünü ve tutarlılığını olumsuz etkilemektedir. Dolayısıyla güvenilir nano boyutta desenleme için prob geometrisinin korunması, uç kaplamasının dayanıklılığı ve elektriksel temas kararlılığının sürdürülebilmesi kritik parametreler olarak tanımlanmıştır. Sonuç olarak bu tez çalışması, Atomik Kuvvet Mikroskobu tabanlı Yerel Anodik Oksidasyon tekniğinin grafen ve diğer iki boyutlu malzemelerin rezistsiz, maliyetsiz ve vakum gerektirmeyen bir şekilde desenlenebilmesi için güçlü, temiz ve tahribatsız bir yaklaşım sunduğunu deneysel olarak ortaya koymaktadır. Çalışma, özellikle alttaş seçimi ve çevresel nem kontrolünün oksidasyon kinetiği üzerindeki belirleyici etkilerini nicel olarak göstererek literatüre anlamlı bir katkı sağlamaktadır. Elde edilen bulgular, geleneksel litografiye tamamlayıcı ve potansiyel olarak ölçeklenebilir bir alternatifin mümkün olduğunu işaret etmektedir. Gelecekte elmas kaplı aşınma dirençli probların kullanımı, hBN gibi atomik olarak düz yeni nesil dielektrik alttaşların entegrasyonu ve kapalı çevrim nem kontrol sistemlerinin geliştirilmesiyle, yerel anodik oksidasyon tabanlı nano boyutta litografi metodunun çözünürlük, kararlılık ve üretilebilirlik açısından daha da ileri taşınması beklenmektedir.
Özet (Çeviri)
The advent of two dimensional (2D) materials has significantly impacted condensed matter physics and nano engineering. These materials have allowed researchers to study electronic, optical, and quantum phenomena confined to an atomic plane. They have a high surface-to-volume ratio, and a unique lattice structure, making them a highly promising area of research for developing future technologies. Despite the outstanding intrinsic properties of 2D materials, translating these properties into usable, scalable devices is a major fabrication challenge in nanotechnology research today. A key barrier to achieving this goal is the need for nanoscale patterning methods to define the complex architecture of devices such as field effect transistors, high speed interconnects, and quantum dots. However, the most difficult part of achieving this level of precision is doing so without generating structural defects, lattice strains, or chemical contamination that degrade the performance of the fabricated devices. Standard lithographic methods, including standard photolithography and electron beam lithography, have been shown to be unsuitable for the fragile nature of the 2D limit. Polymeric resists used in many lithographic methods, combined with aggressive chemical developers and high energy exposures can cause irreparable lattice damage, unintentional doping, and residual chemicals on the surface of the material. In atomically thin materials such as graphene, these residual chemicals can destroy the very electronic properties that lithography aims to take advantage of. As a result, to bridge the gap between the theoretical potential of 2D materials and their practical applications, a new generation of patterning methodologies is needed. New methodologies must be able to achieve nanometer scale spatial resolution, while preserving the non-destructive nature of the process, and eliminating the use of resists and chemicals from the processing environment that can contaminate the pristine atomic lattice of the material. This dissertation addresses the current technological need for a new patterning method to address the critical need of providing a“dry”and non-destructive patterning method, by exploring the capabilities of Local Anodic Oxidation (LAO) using an Atomic Force Microscope (AFM) to create patterns in graphene, a model 2D material with excellent conductivity to allow for the deconstruction of the basic processes involved in modifying surfaces and to develop a repeatable fabrication process. The LAO process is formed when the AFM tip is used as a cathode and the graphene surface is used as an anode, forming a localized electrochemical cell. The formation of a nanoscale water meniscus is a central process in this work, and it forms spontaneously under certain ambient humidity levels between the biased AFM tip and the substrate. The meniscus acts as the electrolyte for the reaction, allowing for the localized oxidation of the surface of the substrate. Using this method, insulating oxide features can be created directly on the surface of the substrate, allowing for the creation of potential barriers in the material, without physically removing or etching the material. One of the main goals of this dissertation is to examine in detail the effects of substrate interactions and environmental parameters on the kinetics and geometry of the oxidation process. One of the primary focus points of the experimental investigation was the comparison of the behavior of graphene on two substrates: traditional amorphous silicon dioxide (SiO₂/Si) and atomically flat hexagonal boron nitride (hBN). By studying the effects of these different dielectric environments on the material, we demonstrated that surface roughness and substrate induced doping can affect both the reproducibility and the electronic isolation of the patterns. Additionally, we studied the effects of environmental parameters, such as relative humidity and ambient temperature, on the size and stability of the water meniscus. Our results show that finding the optimal combination of the applied bias voltage and the humidity level is crucial in preventing meniscus broadening, which can cause a loss of spatial resolution in the created patterns. Our experimental results were supplemented by a detailed mechanistic analysis of the oxidation process based on the Cabrera-Mott theory of field-induced oxidation. This theory provides a means of modeling the growth rate of the oxide layers and understanding how the electric field strength affects the final dimension of the created patterns. Our study shows that although LAO is a highly effective tool for the rapid prototyping of nanodevices, achieving consistent and high-quality results requires extremely careful control of tip stability, electrical contact resistance, and ambient environmental conditions. We also investigated the effects of the coating material of the AFM tip on the long-term stability of the tip during multiple patterning sessions, and identified the parameters that cause tip wear and the subsequent degradation of the quality of the created patterns over time. The findings of the study provide insight on graphene but also provide insight to 2d material systems, as well as the nano-scale patterning of heterostructures; therefore, the methodology of the study can be applied to Transition Metal Dichalcogenides (TMDs), as well as the other emerging van der Waals materials, which will aid in the transition of these materials from their current status of being a scientifically interesting phenomenon to being a core component of future electronic and quantum technologies; in addition, this research is an important step toward a scalable, cost-effective alternative to traditional lithography methods, to design and manufacture complex 2d device architectures and structures, which are both structurally intact and chemically pure.
Benzer Tezler
- Nikel köpüklerin ergimiş KOH içerisinde anodik oksidasyonu ile süperkapasitör uygulamaları için elektroaktif nikel oksit üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of electroactive nickel oxides grown on nickel foam by anodic oxidation in KOH melts for supercapacitor applications
NAZLI İREM TOKMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
- Çinko nanotanecik içeren polimer nanokompozit malzeme üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of polymer nanocomposite materials incorporated zno nanoparticles
ALEV AKBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SADRİYE KÜÇÜKBAYRAK OSKAY
- BIOINTERFACIAL CELL/PROTEIN–POLYMER INTERACTIONS INVESTIGATED BY QUARTZ CRYSTAL MICROBALANCE WITH DISSIPATION
Hücre/protein–polimer biyoarayüzündeki etkileşimlerin disipasyon izlemeli kuvars kristal mikroterazi ile incelenmesi
AYŞE BUSE ÖZDABAK SERT
Doktora
İngilizce
2023
Biyoteknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMoleküler Biyoloji-Genetik ve Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DR. ÖĞR. ÜYESİ ABDULHALİM KILIÇ
- The Influence of design parameters on solder joint reliability in electronic packages
Tasarım parametrelerinin elektronik paketlerde kullanılan lehim bağlantılarının güvenilirliğine etkisi
AYLİN YENİLMEZ
- Taban malzeme ile emaye kaplama arasındaki difüzyon mekanizmasının araştırılması ve düşük metal migrasyonuna sahip emaye geliştirilmesi
Investigation of diffusion mechanisms at substrate enamel interface and development of new enamel surface with low metal migration
ÖZGE IŞIKSAÇAN
Doktora
Türkçe
2020
Besin Hijyeni ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ONURALP YÜCEL