InGaAs temelli güneş pili yapılarının kusur analizi
The defect analysis of solar cells basen InGaAs
- Tez No: 301867
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
(100) ve (110) GaAs alt taşlar üzerine büyütülen iki InGaAs kuantum kuyulu güneş pili, Moleküler Demet Epitaxy ile hazırlandı. Farklı (100) ve (110) yörüngeli GaAs alt taşlar üzerine tavlama etkileri yüksek çözünürlüklü X-ışını difraktometre ile araştırıldı ve iki örnek için elde edilen yapısal özellikler ayrıntılı olarak karşılaştırıldı. Temel olarak düzlem içi ve dışı örgü parametreleri XRD analizi ile Vegard yasası kullanılarak elde edildi. Daha sonra örnek için paralel ve dik X-ışını zorlamaları, örgü uyumsuzluğu, alaşım yüzdesi, filmin eğilme açı değerleri ve dislokasyonlar hesap edildi. Tanımlanan zorlama parametreleri kullanılarak bu yapısal özellikler için dinamik teori temelli hesaplamalar rahatlama mekanizmasının (ağırlıklı göç difüzyonu) ortaya çıktığı sıcaklıklarda yapıldı.
Özet (Çeviri)
Two InxGa1-xAs quantum well solar cell (QWSC) grown on (100) and (110) orientated GaAs substrates were prepared by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The annealing effects on the structural properties of the QWSCs over different (100) and (110) orientated GaAs substrates were investigated by high resolution X-ray diffractometer (HRXRD) and the obtained structural properties for two samples were compared with each other in detailed. Primarily, in-plane and out of-plane lattice parameters were found using Vegard law with the analysis of XRD data. Then, Parallel X-ray strain (?||), perpendicular X-ray strain (??), misfit (?f), alloy composition (x), tilt angle values and dislocations of the samples were carried out. Using the determined strain parameters, a dynamical theory based calculations for these structural properties have done by using increasing temperatures bringing out relaxation mechanism; interdiffusion and favored migration.
Benzer Tezler
- GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu
GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum
MEHMET ALİ TOPRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- High speed and high efficiency infrared photodetectors
Yüksek hızlı ve yüksek verimli kızılötesi fotodedektörler
İBRAHİM KİMUKİN
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. EKMEL ÖZBAY
- Characterization of InGaAs detectors for non-contact radiation temperature measurements
Temassız radyasyon sıcaklığı ölçümleri için InGaAs detektörlerin karakterizasyonu
SEMİH YURTSEVEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT
DR. SEDA OĞUZ AYTEKİN
- Fabrication and characterization of InP based quantum well infrared photodetectors
InP temelli kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin üretimi ve karakterizasyonu
GAMZE TORUNOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Design, fabrication and characterization of subwavelength-scale distance sensors based on optical directional coupling
Optik yönlü bağlaşım temelli dalgaboyu-altı mesafe ölçüm sensörlerinin tasarımı, imalatı ve karakterizasyonu
SHAHAB BAKHTIARI GORAJOOBI
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERDAL BULĞAN