Geri Dön

InGaAs temelli güneş pili yapılarının kusur analizi

The defect analysis of solar cells basen InGaAs

  1. Tez No: 301867
  2. Yazar: GİZEM ÖZAT
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 67

Özet

(100) ve (110) GaAs alt taşlar üzerine büyütülen iki InGaAs kuantum kuyulu güneş pili, Moleküler Demet Epitaxy ile hazırlandı. Farklı (100) ve (110) yörüngeli GaAs alt taşlar üzerine tavlama etkileri yüksek çözünürlüklü X-ışını difraktometre ile araştırıldı ve iki örnek için elde edilen yapısal özellikler ayrıntılı olarak karşılaştırıldı. Temel olarak düzlem içi ve dışı örgü parametreleri XRD analizi ile Vegard yasası kullanılarak elde edildi. Daha sonra örnek için paralel ve dik X-ışını zorlamaları, örgü uyumsuzluğu, alaşım yüzdesi, filmin eğilme açı değerleri ve dislokasyonlar hesap edildi. Tanımlanan zorlama parametreleri kullanılarak bu yapısal özellikler için dinamik teori temelli hesaplamalar rahatlama mekanizmasının (ağırlıklı göç difüzyonu) ortaya çıktığı sıcaklıklarda yapıldı.

Özet (Çeviri)

Two InxGa1-xAs quantum well solar cell (QWSC) grown on (100) and (110) orientated GaAs substrates were prepared by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The annealing effects on the structural properties of the QWSCs over different (100) and (110) orientated GaAs substrates were investigated by high resolution X-ray diffractometer (HRXRD) and the obtained structural properties for two samples were compared with each other in detailed. Primarily, in-plane and out of-plane lattice parameters were found using Vegard law with the analysis of XRD data. Then, Parallel X-ray strain (?||), perpendicular X-ray strain (??), misfit (?f), alloy composition (x), tilt angle values and dislocations of the samples were carried out. Using the determined strain parameters, a dynamical theory based calculations for these structural properties have done by using increasing temperatures bringing out relaxation mechanism; interdiffusion and favored migration.

Benzer Tezler

  1. GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu

    GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum

    MEHMET ALİ TOPRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  2. High speed and high efficiency infrared photodetectors

    Yüksek hızlı ve yüksek verimli kızılötesi fotodedektörler

    İBRAHİM KİMUKİN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. EKMEL ÖZBAY

  3. Characterization of InGaAs detectors for non-contact radiation temperature measurements

    Temassız radyasyon sıcaklığı ölçümleri için InGaAs detektörlerin karakterizasyonu

    SEMİH YURTSEVEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT

    DR. SEDA OĞUZ AYTEKİN

  4. Fabrication and characterization of InP based quantum well infrared photodetectors

    InP temelli kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin üretimi ve karakterizasyonu

    GAMZE TORUNOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  5. Design, fabrication and characterization of subwavelength-scale distance sensors based on optical directional coupling

    Optik yönlü bağlaşım temelli dalgaboyu-altı mesafe ölçüm sensörlerinin tasarımı, imalatı ve karakterizasyonu

    SHAHAB BAKHTIARI GORAJOOBI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERDAL BULĞAN