InAs/GaAs ve GaSb/GaAs kuantum noktaları içeren yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical properties of the structures including InAs/GaAs and GaSb/GaAs quantum dots
- Tez No: 305329
- Danışmanlar: PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 99
Özet
Bu çalışmada, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örneklerin elektriksel özellikleri incelenmiştir.Her iki örnek de MBE (Moleküler Işın Epitaksi) yöntemiyle büyütülmüştür. Her iki örnekte de Kuantum Noktaları n+- p ekleminin arınma bölgesi civarına yerleştirilmiştir.Her bir örnek için 20K ve 300K sıcaklık aralığında, Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj, DLTS (Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ve Seviye Seçici DLTS (Charge Selective Derin Seviye Geçiş Spektroskopisi) ölçümleri alınmıştır.InAs/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için, aktivasyon enerjisi Seviye Seçici DLTS metodu ile 198 meV olarak bulunmuştur. GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnek için ise aynı metotla aktivasyon enerjisi 461 meV olarak bulunmuştur.Araştırmanın daha ileri bir adımı olarak, InAs/GaAs ve GaSb/GaAs Kuantum Noktası içeren örnekler için, saklama zamanları oda sıcaklığında sırasıyla 0.5 ns ve 1 ?s olarak bulunmuştur.Çalışmanın bir bölümü Berlin Teknik Üniversitesi, Katıhal Fiziği Enstitüsü'nde gerçekleştirilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this working, electrical properties of the samples which have including InAs/GaAs Quantum Dots and GaSb/GaAs Quantum Dots has been investigated.Both of the samples have been grown by Moleculer Beam Epitaxy (MBE). Quantum Dots are embedded in depletion region of n+-p junction for on all of the samples.For each one of the samples, the Current-Voltage (I-V), the Capacity-Voltage (C-V), the DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) and the Charge Selective DLTS measurements have been done, between 20K and 300K.For the sample that includes InAs/GaAs Quantum Dots, the activation energy has been determined as 198 meV by the method of Charge Selective DLTS. For the sample that includes GaSb/GaAs Quantum Dots, the activation energy has been determined as 461 meV by the method of Charge Selective DLTS.Furthermore, for both of the samples that include InAs/GaAs Quantum Dots and GaSb/GaAs Quantum Dots, the storage times have been determined as 0.5 ns and 1 ?s respectively at room temperature.A part of this work has been performed at the Technical University of Berlin, Institute of Solid State Physics.
Benzer Tezler
- Kuantum noktaları temelli bellek aygıtlar
Memory devices based on quantum dots
NAMIK AKÇAY
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- Strained empirical pseudopotential generation from hybrid density functionals: GaAs, InAs, GaSb, InSb
Hibrit yoğunluk fonksiyonellerinden gerinmeli yarı deneysel görünür potansiyel üretimi: GaAs, InAs, GaSb, InSb
ASLI ÇAKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY
- Characterization of epitaxially grown iii-v nanostructures by electron microscopy
Epi̇taksi̇yel olarak büyütülen iii-v nanoyapilarin elektron mi̇kroskopi̇ i̇le karakteri̇zasyonu
YUSUF EREN SUYOLCU
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BÜLENT ASLAN
PROF. DR. SERVET TURAN
- InAs/GaSb tip-II süperörgü kızılötesi fotodedektör yapıların MBE tekniği ile GaSb ve GaAs alttaşlar üzerine büyütülmesi
Growth of InAs/GaSb Type-II superlattice infrared photodetector structures on GaSb and GaAs substrates by MBE technique
BÜLENT ARIKAN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Küresel kuantum noktalarında safsızlık problemi
The impurity problem on the spherical quantum dots
SAİT YILMAZ
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. HALUK ŞAFAK