Geri Dön

Zno aktif tabanlı heteroeklemlerin oluşturulması ve karakterizasyonu

Formation and characterization of Zno active layered heterojunctions

  1. Tez No: 312937
  2. Yazar: SÜLEYMAN TEKMEN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 181

Özet

Bu çalışmada ilk olarak elektrokimyasal büyütme yöntemiyle ZnO ince film farklı alttaşlar üzerine büyütülmüştür. En uygun büyütme potansiyelin bulmak için çeşitli büyütme potansiyeleri uygulandı. Büyütme potansiyelinin -0,9 V ile -1,2 V arasında geniş bir aralıkta olduğu gözlendi. Alttaş olarak n(p)-Si, p-GaAs ve n-ITO kullanıldı. XRD ölçümlerinden ZnO numunelerinin 002 tercihli yöneliminde büyüdükleri gözlendi. Ayrıca tüm numumelerde örgü sabitlerinde bir artış gözlendi. I-V karakteristikleri heteroeklemlerin diyot gibi doğrultucu davranış gösterdiği görüldü. İkinci olarak Na, Mg ve Sb katkı atomları kullanılarak p-tipi ZnO ince film elde etme çalışmaları yapıldı. Hall ölçümleri katkılı filmlerin p-tipi özellik gösterdiğini doğruladı. Elde edilen p-ZnO ince filmlerinin taşıyı yoğunluğu 1017cm-3 en düşük özdirenç değeri 0,023 ?cm ve en yüksek mobilite 2760 cm2/Vs olarak hesaplandı. Son olarak elde edilen katkılı ve katkısız ZnO aktif tabanlı heteroeklemlerin elektrolüminesans (EL) karakteristikleri incelendi. EL karakterinden 450-500nm aralığında baskın emisyon pikleri gözlendi. Katkı atomlarının EL karakteristiğine etkisi açık bir şekilde gözlendi. Katkılamaya bağlı olarak bazı emisyon piklerind azalma meydana gelirken bazılarında artış gözlendi.

Özet (Çeviri)

In this study first, ZnO thin films were deposited on various substrates via electrochemical deposition. Different growth potentials were applied in order to find out the optimum growth potential. It was observed that the growth potential was ranging from -0,9 V to -1,2 V. n(p)-Si, p-GaAs, and n-ITO were used as substrates. Form XRD results, it was found out that the ZnO thin films were grown in the peered direction of 002. Additionally, an increase in the lattice parameters of all samples was observed. From the I-V measurements it was found that heterojunctions had a diode-like rectifying behavior. Secondly, researches on p-ZnO were carried out using Na, Mg, and Sb dopants. Hall measurement confirmed the p-type conductivity of doped ZnO thin films. The carrier concentration of doped films was about 1017 cm-3, the lowest resistivity of 0,023 ?cm, and the highest mobility of 2760 cm2/Vs were calculated. Finally, electroluminescence characteristics of doped and nominally undoped active layered ZnO heterojunctions were investigated. The dominant EL emission was observed between 400nm and 450nm. The effects of dopants on EL emission were obviously observed. Depending on doing, it was found that there was an increase in some emission peak while a decrease in other ones.

Benzer Tezler

  1. Zn tabanlı heteroeklemlerin kapasitans-voltaj karakterizasyonu

    Capacitance-voltage characterization of Zn based heterojunctions

    AYDIN YILDIRIMLAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMehmet Akif Ersoy Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TAYYAR GÜNGÖR

  2. Farklı boyaların ZNO tabanlı boya duyarlı güneş pillerinin verimine etkisi

    The effect of different dyes on the efficiency of ZNO based dye sensitive solar cells

    ARMAĞAN PEKUSLU YAKA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MÜJDAT ÇAĞLAR

  3. Katkısız ve ZnO nanoparçacık katkılı NIPAM nanojellerininsentezlenmesi ve karakterizasyonu

    Synthesis and characterization of undoped and ZnO nanoparticles doped NIPAM nanogels

    OĞUZ GÜRCÜOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ESRA ALVEROĞLU DURUCU

  4. Sağlık uygulamaları için yapay zeka tabanlı formaldehit sensörü

    Al-based formaldehyde sensor for healthcare applications

    HİLAL KÜBRA SAĞLAM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL

  5. Yarı iletken metal oksit karışımların fotosensör duyarlılığına etkisi

    The effect of semiconductor metal oxide mixtures on photosensor sensitivity

    HALİL İBRAHİM ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    EnerjiFırat Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİKMET ESEN

    DR. ÖĞR. ÜYESİ FEHMİ ASLAN