Geri Dön

Zn tabanlı heteroeklemlerin kapasitans-voltaj karakterizasyonu

Capacitance-voltage characterization of Zn based heterojunctions

PDF İndir

  1. Tez No: 373189
  2. Yazar: AYDIN YILDIRIMLAR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. TAYYAR GÜNGÖR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Saydam iletken Oksit, Çinko Oksit, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği, Heteroeklem, C-V Karakterizasyonu
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 91

Özet

Bu tez çalışmasında, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği (UKP) kullanılarak p-tipi Si (100) alttaş üzerine n-tipi ZnO biriktirilerek elde edilen n-ZnO/pSi heteroeklemlerin akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) karakterizasyonları yapılmıştır. n-tipi ZnO elde etmek için Zn kaynağı olarak metanol içinde çözünmüş çinko asetat dihidrat (Zn(CH3COO)2 2H2O, ZAD) tuzu kullanılmıştır. ZAD miktarına bağlı olarak 0,04 M – 0,08 M ve 0,1 M başlangıç çözeltileri, 400 oC sabit sıcaklıktaki p-tipi Si alttaşlar üzerine taşıyıcı gaz olan hava yardımı ile gönderilmiştir. n-ZnO ince filmlerin film kalınlıkları ve optik band aralıkları gibi optik sabitleri optik geçirgenlik spektrumları kullanılarak belirlenmiştir. Eklemlerin ileri besleme durumunda akım-voltaj karakterizasyonu ile idealite faktörü belirlenmiştir. 0,04 M ve 0,08 M ZAD içeren eklemler için düşük voltaj değerlerinde idealite faktörü 2 civarında iken 0,1 M ZAD içeren örnek için bu değerden daha yüksek değerler gözlenmiştir. Bütün örnekler için C-V ölçümlerinde artan frekans ile kapasitans değerlerinde azalma gözlenmiştir. Ters besleme voltajı altında C-f değişimleri dikkate alındığında, düşük frekanslarda (1 kHz) gözlenen tepe noktası, artan frekans ile (10 kHz) düşük voltaj değerlerine kaymaktadır. Ancak, beklendiği gibi frekans arttıkça örneklerin kapasitans değerlerindeki değişim azalmakta ve C-V değişiminde pik gözlenmemektedir. Bununla beraber artan ZAD miktarı ile C-f spekturumunda gözlenen tepe noktası daha düşük ters voltaj değerlerine doğru hareket etmektedir. Sıcaklığa bağlı C-V değişimleri incelendiğinde ise düşük sıcaklıklarda (~200 K), voltajdan bağımsız sabit olan C değerleri, sıcaklık artışı ile artmakta ve iki eğimli doğrusal davranış sergilemektedir. Çalışmada başlangıç çözelti konsantrasyonunun, heteroeklemin elektiriksel özelliklerine etkisi de incelenmiştir. Çözelti konsantrasyonları değiştirilerek, daha geniş bir aralığın taranması ve farklı elektriksel kontakların eklemin elektriksel karakteristiğine etkisi ayrıntılı bir şekilde incelenmelidir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characterization of n-ZnO/p-Si heterojunctions formed with n-ZnO and p-Si (100) substrates by using Ultrasonic Spray Pyrolsis Technique (USP) were carried out. In order to obtain n-ZnO thin films, zinc-acetate dihydrate (Zn(CH3COO)2 2H2O, ZAD) dissolved in methanol was used as a source of zinc. The precursor solutions with different molarities such as 0.04 M, 0.08 M and 0.1 M were sprayed onto the p-Si substrate held at 400 C. Compressed air was used as the carrier gas. The thicknesses of n-ZnO thin films, optical band gap and other optical constants were determined by means of optical transmission spectra. The ideality factors were determined from the forward-biased characteristic of the heterojunctions. The ideality factor of heterojunctions containing 0.04 M and 0.08 M ZAD were found to be approximately 2 at low voltage regime. However, the ideality factor of heterojunction containing 0.1 M ZAD is higher than the other heterojunctions. Considering C-V measurement, capacitance values are decreased with increasing frequency for the all of the samples. Under reverse bias, the peak observed in the C-f spectrum at low frequency such as 1 kHz shifted to low voltage with increasing frequency. However, as expected, the capacity change of the samples decreases with increasing frequency and the peak observed in the spectrum is disappeared. When the amount of zinc increased in the precursor solution, the peak observed in C-f spectrum is moving towards to the lower reverse voltage value. Taking into account of temperature dependent C-V measurements, the capacitance value is independent of reverse bias voltage and it seems to be constant at low temperatures (~ 200 K). However, C values increase with increasing temperature and exhibit a linear behavior that is having two slope. In this study, the effects of starting solution onto the electrical properties of the heterojunction were also examined. However, how the concentration and electrical contact materials are effecting electrical properties of the heterojunction sholud be investigated for the different values of starting solution molarity.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    269690

    Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

    Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

    HATİCE ASIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN

  2. Tez No

    677690

    Nasturtium officinale R. Br. bitkisinin yaprak ekstraktı kullanılarak, çinko (Zn) nanopartikülünün (NP) biyosentezi ve nanopartikülün MCF-7 meme kanseri hücreleri üzerine sitotoksik etkisi

    Nasturtium officinale R. Br. biosynthesis of zinc (Zn) nanoparticle (NP) and cytotoxic effect of nanoparticle on MCF-7 breast cancer cells using leaf extract of the plant

    KEVSER GÜNAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    BiyolojiNevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi

    Moleküler Biyoloji ve Genetik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZELİHA LEBLEBİCİ

  3. Tez No

    515892

    Development of colloidal alloyed nanocrystals for quantum dot based device applications

    Kuantum nokta temelli cihaz uygulamaları için kolloidal alaşım nanokristallerin geliştirilmesi

    SEÇİL SEVİM ÜNLÜTÜRK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERDAR ÖZÇELİK

    PROF. DR. CANAN VARLIKLI

  4. Tez No

    836751

    Toward efficient electrochemical reduction of CO2 to CO: Decorating ZnO nanorods with CuxO

    CO2'nin CO'ya verimli elektrokimyasal dönüşümü: ZnO nanoçubuklarinin CuxO ile dekorasyonu/modifikasyonu

    MUHAMMED YUSUFOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Mühendislik BilimleriKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SARP KAYA

    DR. TİMUÇİN BALKAN

  5. Tez No

    413451

    Ultrafast spin dynamics in diluted magnetic semiconductor nanostructures

    Seyreltilmiş manyetik yarıiletken nanomalzemelerde ultrahızlı spin dinamiği

    MUHAMMET ARUCU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞAHİN AKTAŞ

    PROF. DR. ROY W. CHANTRELL

Geri Dön