Geri Dön

InSe ve InSe:Ag ikili bileşiklerin büyütülmesi ve yapısal analizleri

Growth of InSe and InSe:Ag binary semiconductor and structural of analysis

  1. Tez No: 312938
  2. Yazar: MEHMET ŞATA
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 70

Özet

InSe ve InSe:Ag ikili yarıiletken bileşikleri, bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, modifiye edilmiş Bridgman-Stockbarger metodu ile büyütüldü. Büyütülen InSe ve InSe:Ag numunelerinin yüzeylerinde herhangi bir çatlak yoktu ve numuneler ayna parlaklığında pürüzsüz yüzeye sahipti. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını Kırınımı (XRD), Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji Ayrımlı X-ışını Spektroskopisi (EDX) teknikleri kullanılarak gerçekleştirildi. XRD sonuçları, büyütülen numunelerin hekzagonal kristal yapıya sahip olduklarını ve Ag katkılamanın pik şiddetlerini artırdığını gösterdi. XRD sonuçları kullanılarak, örgü parametreleri InSe için a=b=4.002 Å, c=17.160 Å ve InSe:Ag için ise a=b=4.619 Å ve c=17.003 Å olarak hesaplandı. SEM sonuçlarından, ortalama tanecik büyüklüğünün sırasıyla, InSe için 40-150 nm ve InSe:Ag için 75-120 nm aralığında olduğu gözlendi. EDX sonuçları, In ve Se elementlerinin ağırlıkça %57.12 ve %38.08 olarak yapıda yer aldığını gösterdi. In ve Se miktarlarının büyütmenin hemen başlangıcında hesaplanan stokiyometrik değerlere oldukça yakın olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

InSe and InSe:Ag binary semiconductor compounds were grown in our crystal growth laboratory by the modified Bridgman-Stockbarger method. There were no cracks on the surface of the grown InSe and InSe:Ag samples, and they had the natural mirror-like cleavage faces. The structural and morphological characterizations of the samples were carried out by X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy-dispersive X-ray Spectroscopy (EDX) techniques. The XRD results indicated that the grown films had hexagonal structure and Ag doping increased the peak intensities. The lattice parameters were calculated to be a=b=4.002 Å, c=17.160 Å for InSe and a=b=4.619 Å and c=17.003 Å for InSe:Ag using the XRD results. From the SEM results, it was observed that the average grain size values for InSe and InSe:Ag were between 40-150 nm and 75-120 nm, respectively. EDX results showed that In and Se elements were in weight 57.12% and 38.08% in the structure. It was observed that the amounts for the In and Se were quite close to the stoichiometric values calculated just before the growth.

Benzer Tezler

  1. The effects of post-annealing process on the physical properties of silver-indium-selenium ternary semiconductor thin films deposited by electron beam technique

    Üretim sonrası tavlama işleminin elektron demeti tekniğiyle büyütülen gümüş-indiyum-selenyum üçlü yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkileri

    TAHİR ÇOLAKOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  2. Yeni nesil self-etching adeziv sistemlerin mikrogerilim bağlanma dayanımları ve nanosızıntı bakımından etkinliğinin karşılaştırmalı olarak incelenmesi

    A comparison of microtensile bond strength and nanoleakage of current-generation self-etching adhesive systems

    İHSAN HUBBEZOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Diş HekimliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Diş Hastalıkları ve Tedavisi Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. FERİDUN HÜRMÜZLÜ

  3. Biyomedikal öneme sahip bazı elementlerin bileşiklerinin kütle soğurma katsayılarının ölçülmesi ve katkılı, katkısız yarıiletkenlerde transmisyon faktörlerinin tavlama sıcaklığı ve süresine bağlı değişimi

    Measurement of mass attenuation coefficients of compounds of biomedically important some elements and change according to the anneali̇ng temperature and time of transmission factors at doped, undoped semiconductors

    BURCU AKÇA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİH ZEKİ ERZENEOĞLU

  4. Investigation of InSe thin film based deviges

    İnSe ince film tabanlı aygıtların incelenmesi

    KORAY YILMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET PARLAK

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

  5. Characterization of vacuum deposited indium selenide thin films and Schottky barrier diodes

    Vakumda büyütülmüş p-InSe ince filmlerin ve Schottky diyotların karakterizasyonu

    ÖZLEM PEHLİVAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ