Kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen katkısız ve Ga katkılı CdO bileşiklerinin yapısal, optiksel ve elektriksel özellikleri
The structural, optıcal and electrıcal propertıes of CdO and Ga doped CdO compounds produced by chemıcal spray prolysıs technıque
- Tez No: 315187
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SENEM AYDOĞU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dumlupınar Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Bu çalışmada II-VI grup ikili bileşiklerinden olan CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 275 ±5°C taban sıcaklığında üretilmiştir ve CdO yarıiletken filmlerinin fiziksel özelliklerine Galyum elementi katkısının (%2, %4, %6, %8) etkisi araştırılmıştır. Katkısız ve Ga katkılı CdO filmlerinin spektroskopik elipsometri ölçümlerinden kalınlıkları belirlenmiştir. Üretilen yarıiletken ince filmlerin kalınlıkları, 0.222?0.286 µm arasında değişmektedir. Elde edilen filmlerin X-ışınları kırınım desenlerinden elde edilen filmlerin yapısının polikristal ve yüzey merkezli kübik yapıda oldukları belirlenmiştir. Katkısız ve Ga katkılı CdO ince filmlerinin x-ışını kırınım deseninden yararlanarak a örgü sabiti değerlerinin 4.68248 ? ile 4.69052? arasında, tanecik büyüklüklerinin 220.2 ? ile 314.9 ? arasında ve dislokasyon yoğunluklarının 1.00845x10?3 (nm)?2 ile 2.06236 x10?3 (nm)?2 arasında oldukları hesaplanmıştır. Katkısız ve Ga katkılı CdO yarıiletken filmlerinin optik özellikleri incelenmiş, direkt bant geçişine sahip oldukları saptanmış ve ayrıca 2.50?2.66 eV arasında yasak enerji aralığının değiştiği belirlenmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla, sırasıyla iki nokta prob metodu ve dört nokta prob metodu kullanılmıştır. Özdirençleri 0.2800x10?1?0.7437x10?2 ?.cm arasında, iletkenlileri ise 0.3571x101?1.3617x102 (?.cm) ?1 arasında değişmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, CdO semiconductor films belong to II ? VI group binary compounds have been produced by Ultrasonic Spray Pyrolysis (USP) technique at the substrate temperature of 275 ± 5 °C and the effect of Ga doping (at different concentrations %2, %4, %6, %8) on physical properties of CdO semiconductor films has been investigated. The thickness of undoped and Ga doped CdO films have been determined by spectroscopic ellipsometry. The thickness of the produced semiconductor thin films varies between 0.222?0.286 µm. From the x-ray diffraction spectra of produced films, their structures found to be polycrystal and face centered cubic. Referring to x-ray diffraction spectra of undoped and Ga doped CdO thin films; the lattice constant a, the grain size and the dislocation density values have been calculated for each and vary between 4.68248 ? and 4.69052?, between 220.2 ? and 314.9 ? and between 1.00845×10?3 (nm)?2 and 2.06236×10?3 (nm)?2, respectively. By investigating optical properties of undoped and Ga doped CdO semiconductor films, they are found to have direct band gap and also calculated the varition of forbidden energy gap values between 2.50 eV and 2.66 eV. Two probes method and four probes method have been used to determine the resistivity and electrical conductiviy values varying between 0.2800×10?1 ?.cm and 0.7437×10?2 ?.cm and between 0.3571×101(?.cm) ?1 and 1.3617×102 (?.cm) ?1, respectively.
Benzer Tezler
- Kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen katkısız ve Ga katkılı ZnO bileşiklerinin yapısal,optiksel ve elektriksel özellikleri
The structural, optical and electrical properties of undoped and Ga doped ZnO compounds produced by chemical spray prolysis technique
SEDA UZKALAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HURİYE SENEM AYDOĞU
- Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile büyütülen katkısız ve bor katkılı ZnO filmlerinin optiksel, elektriksel, yapısal ve yüzeysel özelliklerinin ġncelenmesi
Investigation of optical, electrical, structural and surface properties of undoped and boron doped ZnO films deposited by ultrasonic spray pyrolysis technique
SENİYE KARAKAYA
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÖMER ÖZBAŞ
- Kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen CdO bileşiklerinin yapısal ve optik özellikleri
The structural and optical properties of CdO compounds produced by chemical spray pyrolysis technique
MUSTAFA BURAK ÇOBAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SENEM AYDOĞU
- Production and characterizaton of SnO2:Cu/CdS films for solar cell applications
Güneş pili uygulamaları için SnO2:Cu/CdS filmlerinin üretim ve karakterizayonu
WALEED WASEA KHALAF ALKUBAISI
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OLCAY GENÇYILMAZ
- Kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen Al katkılı CdS filmlerinnin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of Al doped CdS films produced by spray pyrolysis technique
SEVAL ATEŞ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. YRD.DOÇ.DR.SALİH KÖSE