Metal/organik/inorganik Schottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of metal/organic/inorganic Schottky diodes
- Tez No: 315922
- Danışmanlar: PROF. HALUK ŞAFAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 67
Özet
Bu çalışmada organik ara yüzeyli GaAs yarıiletkenli Schottky diyot hazırlandı. Hazırlanan diyotların 75-350 K sıcaklık aralığında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Akım-gerilim karakteristiklerinden idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç gibi diyota ait bazı parametreler hesaplandı. Bu parametreler farklı metotlarla elde edilerek karşılaştırmalı olarak verilmiştir. Elde edilen parametrelerden hazırlanan diyotun iyi bir doğrultucu özelliği taşıdığı ve ideal diyot davranışına yakın olduğu tespit edildi. Ayrıca perylene ara yüzeyli Schottky diyotun ara yüzey durumlarını belirlemek için oda sıcaklığında 1MHz frekansında sığa-gerilim karakteristikleri incelendi. Bu ölçümlerden taşıyıcı yoğunluğu, engel yüksekliği gibi diyota ait bazı elektriksel parametreler elde edildi. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği ile sığa-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği karşılaştırılmalı olarak verildi. Her iki yöntemden elde edilen değerlerin uyum içinde olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, the GaAs semiconductor Schottky diodes with organic interface have been fabricated. The current- voltage characteristics of prepared Schotty diodes have been measured at a range of temperature of 75-350 K. By using current-voltage characteristics, the idealite factor, barrier height and some other parameters of diode have been calculated for all temperatures. These parameters were given as comparatively. It was observed that the diode have a good rectification behavior at all temperature and considerably near the ideal diode behavior. Besides, for determine the interface states of Schottky diode with perylene interface, capacitance-voltage characteristics have been investigated at room temperature for 1MHz frequency. From these measurements, concentration of ionized donors, barrier height and some other diode parameters have been obtained. Some parameters of diode have been compared with the results obtained by different methods. It was seen that there is a good agreement with each other.
Benzer Tezler
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Organik yarıiletken/inorganik yarı iletken heteroeklem diyodunun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties organic semiconductor/inorganic semiconductor diode
ŞURA HAMİDİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENVER AYDIN
- Organik bileşenli Schottky diyotlarında arayüzey durumlarının elektriksel iletkenliğe etkisi
THE EFFECT OF INTERFACE STATES ON ELECTRICAL CONDUCTION OF ORGANIC COMPOSITED SCHOTTKY DIODES
SİTEM ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Mühendislik BilimleriGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERDAR KARADENİZ
- Makrosiklik ligandların geçiş metal kompleksleri ile oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Electrical and optical properties of heterojunction formed by metal complexes of macrocyclic ligands
CİHAT ÖZAYDIN
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KEMAL AKKILIÇ
- Al/metil kırmızısı/p-Si Schottky diyotların elektiriksel karakterizasyonu
The electrical characterization of Al/methyl red/p-Si Schottky diode
YUSUF SELİM OCAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TAHSİN KILIÇOĞLU