Geri Dön

Metal/organik/inorganik Schottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

Temperature dependent electrical characterization of metal/organic/inorganic Schottky diodes

  1. Tez No: 315922
  2. Yazar: NARİN ŞİMŞİR
  3. Danışmanlar: PROF. HALUK ŞAFAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Selçuk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 67

Özet

Bu çalışmada organik ara yüzeyli GaAs yarıiletkenli Schottky diyot hazırlandı. Hazırlanan diyotların 75-350 K sıcaklık aralığında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Akım-gerilim karakteristiklerinden idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç gibi diyota ait bazı parametreler hesaplandı. Bu parametreler farklı metotlarla elde edilerek karşılaştırmalı olarak verilmiştir. Elde edilen parametrelerden hazırlanan diyotun iyi bir doğrultucu özelliği taşıdığı ve ideal diyot davranışına yakın olduğu tespit edildi. Ayrıca perylene ara yüzeyli Schottky diyotun ara yüzey durumlarını belirlemek için oda sıcaklığında 1MHz frekansında sığa-gerilim karakteristikleri incelendi. Bu ölçümlerden taşıyıcı yoğunluğu, engel yüksekliği gibi diyota ait bazı elektriksel parametreler elde edildi. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği ile sığa-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği karşılaştırılmalı olarak verildi. Her iki yöntemden elde edilen değerlerin uyum içinde olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

In this study, the GaAs semiconductor Schottky diodes with organic interface have been fabricated. The current- voltage characteristics of prepared Schotty diodes have been measured at a range of temperature of 75-350 K. By using current-voltage characteristics, the idealite factor, barrier height and some other parameters of diode have been calculated for all temperatures. These parameters were given as comparatively. It was observed that the diode have a good rectification behavior at all temperature and considerably near the ideal diode behavior. Besides, for determine the interface states of Schottky diode with perylene interface, capacitance-voltage characteristics have been investigated at room temperature for 1MHz frequency. From these measurements, concentration of ionized donors, barrier height and some other diode parameters have been obtained. Some parameters of diode have been compared with the results obtained by different methods. It was seen that there is a good agreement with each other.

Benzer Tezler

  1. Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi

    Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures

    ENİSE ÖZERDEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU

  2. Organik yarıiletken/inorganik yarı iletken heteroeklem diyodunun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of electrical properties organic semiconductor/inorganic semiconductor diode

    ŞURA HAMİDİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ENVER AYDIN

  3. Organik bileşenli Schottky diyotlarında arayüzey durumlarının elektriksel iletkenliğe etkisi

    THE EFFECT OF INTERFACE STATES ON ELECTRICAL CONDUCTION OF ORGANIC COMPOSITED SCHOTTKY DIODES

    SİTEM ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Mühendislik BilimleriGiresun Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERDAR KARADENİZ

  4. Makrosiklik ligandların geçiş metal kompleksleri ile oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Electrical and optical properties of heterojunction formed by metal complexes of macrocyclic ligands

    CİHAT ÖZAYDIN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. KEMAL AKKILIÇ

  5. Al/metil kırmızısı/p-Si Schottky diyotların elektiriksel karakterizasyonu

    The electrical characterization of Al/methyl red/p-Si Schottky diode

    YUSUF SELİM OCAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. TAHSİN KILIÇOĞLU