Organik arayüzey tabakaya sahip Au/n-GaAs schottky engel diyotların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi
The investigation of current-voltage characteristics of Au/n-GaAs schottky barrier diodes with organic interfacial layer
- Tez No: 316273
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. HABİBE USLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Energy, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karabük Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Bu çalışmada katkısız ve katkılı organik arayüzey (PVA) tabakalı çok sayıda Au/n-GaAs Schottky engel diyotları (SBDs) hazırlandı. Hazırlanan diyotların temel elektriksel parametreleri olan sıfır-beslem potansiyel engel yüksekliği (?Bo), idealite faktörü (n), seri direnç (Rs) ve doyma akımı (Io) oda sıcaklığındaki akım-voltaj (I-V) ölçümleri kullanılarak elde edildi. Bu yapıların Rs değerleri Ohm yasası, Norde metodu ve Cheung fonksiyonları kullanılarak hesaplandı ve bu değerlerin birbiriyle uyum içinde olduğu görüldü. Polivinil alkol (PVA)' den yapılmış organik arayüzey tabakasının bir metal (Zn) ile katkılanarak diyotun performansı üzerine etkisi araştırıldı. Deneysel sonuçlar, Zn katkılı PVA arayüzey tabakasının Io, n, Rs değerlerini düşürdüğü; ?Bo ve diyotun iletkenliğini arttırdığı gösterdi. Bu sonuçlar, katkılı PVA arayüzey tabakanın diyotun performansını iyileştirdiğini göstermektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, Au/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) with and without metal doped organic interfacial layer (PVA) were fabricated. The main electrical parameters such as zero-bias barrier height (?Bo), ideality factor (n), series resistance (Rs) and reverse-saturation current (Io) of these diodes were obtained using current-voltage (I-V) characteristics at room temperature. The Rs values of these diodes were obtained by using Ohm law, modificated Norde method by Bohlin and Cheung functions. The obtained values of Rs for three methods are agreement each other. In addition, the effect of Zn doped PVA layer on diode performance was investigated. The obtained results show that Zn doped PVA layer decrease the Io, n, Rs values and increase ?Bo and conductivity values. It is clear that the dopedinterfacial PVA layer has improved the diode performance.
Benzer Tezler
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Yüksek bor ayırma kapasitesine sahip yeni nesil ince film nanokompozit membranlar
Novel thin film nanocomposite membranes with high boron removal capacity
SÜER KÜRKLÜ KOCAOĞLU
Doktora
Türkçe
2023
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞERİFE BİRGÜL ERSOLMAZ
- MOCVD tekniği ile farklı kalınlıklarda büyütülen ALN tampon tabakalarının yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural and optical properties of ALN buffer layers grown at different thicknesses by MOCVD technique
DURMUŞ DEMİR
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
- Organik arayüzeyli GaAs schottky diyodların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of GaAs schottky diodes with organic interface
FEZA BOY
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN
- Çeşitli organo- ve anorgano- killerin ara-yüzey özelliklerinin FTIR, XRD, BET, UV-GÖR, HPLC ve termik analiz teknikleriyle incelenmesi
An Investigation through the use of FTIR, XRD, BET, UV-VIS, HPLC and thermal analysis techniques of interface properties of various organo- and inorgano- clays
AHMET TABAK