Ingan-kuvantum kuyulu AllnN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapılarında elektron iletim özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electron transport properties AllnN/AlN/(InGaN)/GaN in multi-structures with InGaN quantum well
- Tez No: 321558
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
Bu çalışmada MOVPE kristal büyütme yöntemi ile büyütülen 3 adet InxGa1-xNkuvantum kuyulu AlInN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapı için Hall ölçümleri ve özdirenç analizleri gerçekleştirildi. Özdirenç, Hall hareketliliği ve taşıyıcı yoğunluğu 15-300K sıcaklık aralığında, 0,4T manyetik alan altında ölçüldü. x=0 , 0,12 ve 0,18 değerlerine sahip numunelerin elektron iletim özellikleri açıklandı. Ayrıca elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmaları üzerine tartışıldı. Yapılan özdirenç ölçümlerine bağlı olarak özdirenç analizleri gerçekleştirilmiştir.Anahtar Kelimeler : MOVPE, InxGa1-xN-kuvantum kuyu, saçılma analizi, özdirenç ölçümü, ?0 önfaktörü, Pudalov teorisi
Özet (Çeviri)
In this study, Hall measurement and conductivity analyse have been investigated for 3 samples of AlInN/AlN/(InGaN)/GaN multi-structures with InxGa1-xN- quantum well grown by MOVPE crystal growth method. Resistivities, Hall mobilities and carrier concentrations were measured in a temperature range of 15-300K and 0,4T magnetic field. Electron transport characteristics of the samples with the values of x =0 , 0,12 and 0,18 were explained. Also, upon of scattering mechanisms that effect the mobility of electrons were discussed. Resistivity analyses were performed which are dependent to the resistivity measurements.KeyWords : MOVPE, InxGa1-xN-quantum well, scattering analys, resistivty analysis, ?0 prefactor, Theory of Pudalov
Benzer Tezler
- Nitratlı fonksiyonel malzemelerin (GaN/AlN/alInN/InGaN ) mozaik kusurlarının incelenmesi
Mosaic defect investigation in the functional materials with nitrate (GaN/AlN/alInN/InGaN )
MEHMET TAMER
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
Numerical investigation of the 2-dimensional carriers in AlQN/AlN/GaN--based (Q=Ga, In) transistors with multi-quantum well back-barriers
GÖKHAN ATMACA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- GaN/InGaN tabanlı LED çip fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of GaN/InGaN based light emitting diodes (LEDs)
MUHAMMET SIDDIYK GENÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DENİZ UZUNSOY
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Enhancing light extraction efficiency of IngaN/GaNmulti quantum well light emitting diodes with embedded two dimensional photonic crystal structures
İki boyutlu fotonik kristal yapıları gömülü IngaN/GaN çoklu kuantum kuyulu ışık saçan diyotların ışık çıkarım verimlerini artırma
ALİ GÜNEŞ KAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİM ÇIRACI
YRD. DOÇ. DR. AYKUTLU DANA
YRD. DOÇ. DR. BİLGE İMER
- Geniş yasak enerji aralıklı sıcak elektron lazer ve ışın yayıcı yarıiletken hetero-yapılar
Wide band gap hot electron lasing and light emission in semiconductor heterostructures
SELMAN MUTLU
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ