Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
Numerical investigation of the 2-dimensional carriers in AlQN/AlN/GaN--based (Q=Ga, In) transistors with multi-quantum well back-barriers
- Tez No: 323036
- Danışmanlar: DOÇ. DR. DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 102
Özet
Bu çalışmada AlGaN ve InAlN bariyerli InGaN/GaN çoklu kuvantum kuyularına sahip AlQN/AlN/GaN/InGaN/GaN/AlGaN/AlN/GaN (Q=Ga,In) çokluyapılarının 2-Boyutlu Elektron Gazı (2DEG) özellikleri 1-boyutlu kendini-eşleyebilen Schrödinger-Poisson denklemlerinin çözümleri ile incelendi. Bu çözümler sonucunda elde edilen veriler kullanılarak InAlN bariyerli çoklu kuvantum kuyulu çokluyapıların bariyer kalınlığına ve sıcaklığa bağlı elektron hareketlilikleri analiz edildi. Bu elektron hareketlilik değerlerinin kullanıldığı Simba hareketlilik modeli sayesinde InAlN bariyerli çoklu kuvantum kuyulu çokluyapıların farklı bariyer kalınlıkları, kanal uzunlukları ve geçit uzunlukları için akım-gerilim karakteristikleri incelenmiştir. Numerik ve analitik hesaplamalar sonucu elde edilen 2DEG'e ait elektron hareketliliği gibi özellikler ve akım-gerilim karakteristikleri gelecekte elektronik özellikleri daha iyi numune ve aygıtların üretilmesine yardımcı olacaktır.
Özet (Çeviri)
In this study, we investigated 2-Dimensional Electron Gas (2DEG) properties of AlQN/AlN/GaN/InGaN/GaN/AlGaN/AlN/GaN (Q=Ga,In) heterostructures based InGaN/GaN multiple quantum well with AlGaN and InAlN barrier by solving 1-dimensional self-consistent Schrödinger-Poisson equations. As a result, electron mobilities are analyzed dependent temperature and barrier thickness for heterostructures based multiple quantum well with InAlN barrier. Current-voltage characteristics are examined using this electron mobility values via Simba mobility model for different barrier thicknesses, channel lenghts and gate lenghts. 2DEG properties and current-voltage characteristics, which obtained via numerical and analytical calculations, help to produce sample and devices which have better electronic properties for further investigations.
Benzer Tezler
- Florofor çapraz bağlı çoklu duyarlı polimerik materyaller ve optik uygulamalarda kolloidal kuvantum kuyu katkılanmış polimer kompozitler
Fluorophore crosslinked multi-responsive polymeric materials and colloidal quantum well doped polymer composites in optical applications
ZEYNEP DİKMEN
Doktora
Türkçe
2021
KimyaEskişehir Osmangazi ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. VURAL BÜTÜN
PROF. DR. İDRİS AKYÜZ
- GaN/InGaN tabanlı LED çip fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of GaN/InGaN based light emitting diodes (LEDs)
MUHAMMET SIDDIYK GENÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DENİZ UZUNSOY
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Çoklu kuantum tel yapısının dışarıdan uygulanan elektrik alan ve lazer alanın elektronik özelliklere etkisi
The effect of electric field and lazer fi̇eld on electronic specifications in multiple quantum wire structure
HAVVA UYAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSTAFA ULAŞ
- Çoklu kuantum tel ve noktalarının elektronik özellikleri
The electronic properties of multiple quantum wires and quantum dots
ABDULLAH BİLEKKAYA
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ŞABAN AKTAŞ
- Elektrik alan etkisi altında çoklu kuantum kuyu yapılarının optiksel özellikleri
Optical propertis of multiple quantum wells structures under the influence of electric field
MUSTAFA SENA ÇAKICI
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İBRAHİM KARABULUT