Atmosferik ortamda hazırlanan Ag/p-Si Schottky engel diyotun elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Ag/p-Si Schottky diode prepeared in atmospheric condition
- Tez No: 334402
- Danışmanlar: DOÇ. DR. NEŞE KAVASOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Arayüzler, Elektriksel karakterizasyon, Schottky diyodları, Interfaces, Electrical characterization, Schottky diodes
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada Ag/p-Si aygıtı atmosferik koşullarda üretildi. Üretilen aygıtın elektronik performansının anlaşılabilmesi için sistematik tavlama işlemleri uygulandı. Tavlama işleminin oda sıcaklığındaki aygıt performansına etkisi dc ve ac elektriksel ölçümleri yardımıyla anlaşılmıştır. Karanlık ve atmosferik ortamda yapılan I-V ölçümlerinden ters doyma akımı (I0), diyot faktörü (n) değerleri, potansiyel engeli (?b0), seri direnci (Rs), doğrultma faktörü hesaplanmıştır. Kapasitans-gerilim ölçümlerinden ara yüzey oksit tabaka kalınlığı, potansiyel engeli (V0), katkı yoğunluğu (NA) ve tükenme bölgesi genişliği (WD) hesaplanmıştır. Ac ve dc ölçümlerden elde edilen sonuçlar yardımıyla aygıtın ara yüzey durumları Card-Rhoderick ve Hill-Coleman yöntemleri ile incelenmiştir. Her iki yöntemle bulunan ara yüzey durum yoğunlukları (Nss) birbirleri ile uyumlu çıkmıştır. Yapılan ölçüm ve analizler sonucu 363 K de yapılan tavlama işleminin aygıt parametrelerini iyileştirdiği tespit edilmiştir. Ayrıca Ag/p-Si aygıtının ışığa duyarlılığının tespiti için oda sıcaklığında ışık altında I-V ölçümü gerçekleştirilmiştir. Karanlık ve aydınlık ortamlar arasında aygıttan geçen akımda yaklaşık 2 mertebelik bir değişim gözlenmiştir. Işık altında yapılan ölçümler aygıtın optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir. Yapılan elektronik ölçümler atmosferik koşullarda üretilen Ag/p-Si aygıt yapısının ticari diyotlarla karşılaştırılabilir elektronik özelliklere sahip olduğunu ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
In this study, Ag/p-Si device is fabricated at atmospheric conditions. Systematic annealing processes are implemented to understand electronic performance of the device. The effect of annealing processes on the device performance at room temperature are investigated by ac and dc electrical measurements. Reverse saturation current (I0), diode factor (n), barrier height (?b0), series resistance (Rs) and rectification ratio values are calculated using current-voltage (I-V) characteristics. Also, oxide layer thickness at the interfacial between metal and semiconductor, build in potential, doping concentration of the semiconductor, depletion width are calculated by using capaticance-voltage (C-V) characteristics. Interface state densities of the device are analyzed by Card-Rhoderick and Hill-Coleman method in the light of ac and dc analizing results. Card-Rhoderick ve Hill-Coleman methods give consistent results. It is concluded that annealing up to 363 K enhances device parameters. Illuminated I-V measurement is performed for investigation of light responsivity of the device at room temperature. Two order current variation is determined between light and and dark stuations. These measurements showed us investigated device structure has a potential application in optoelectronics. Electrical measurements reveal that fabricated device has electronic properties comparable with commercial diodes.
Benzer Tezler
- Poli(metakrilik asit) graft biyopolimerlerin üretimi ve özelliklerinin incelenmesi
Synthesis of poly(methacrylic acid) graft biopolymers and investigation of their properties
MEHMET ALİ GÜLER
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Kimya Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SAADET KEVSER PABUCCUOĞLU
- Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi
Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque
EVREN YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Mimarlıkİstanbul Teknik ÜniversitesiMimarlık Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE
- Erken Hristiyan ve ilk Bizans resim ve kabartma sanatında kaynak ve okullar (2 cilt)
Sources and school of painting and sculpture during the early Christian and first Byzantine period
AHMET MEHMET KİPMEN
- P3HT tabanlı farklı yalıtkan tabakalı ofet karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of P3HT based ofet fabricated with different gate dielectrics
DİLEK TAŞKIN GAZİOĞLU
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
PROF. DR. FATİH DUMLUDAĞ
- Design of functional polyhipe and MOF architectures for tunable heterogeneous catalysis
Ayarlanabilir heterojen kataliz için fonksiyonel polyhıpe ve MOF tabanlı mimarilerin tasarımı
ÇİĞDEM ÇAKICI
Doktora
İngilizce
2026
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERDEM YAVUZ
DOÇ. DR. VOLKAN DEĞİRMENCİ