Geri Dön

Atmosferik ortamda hazırlanan Ag/p-Si Schottky engel diyotun elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of Ag/p-Si Schottky diode prepeared in atmospheric condition

  1. Tez No: 334402
  2. Yazar: ATİLLA EREN MAMUK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. NEŞE KAVASOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 87

Özet

Bu çalışmada Ag/p-Si aygıtı atmosferik koşullarda üretildi. Üretilen aygıtın elektronik performansının anlaşılabilmesi için sistematik tavlama işlemleri uygulandı. Tavlama işleminin oda sıcaklığındaki aygıt performansına etkisi dc ve ac elektriksel ölçümleri yardımıyla anlaşılmıştır. Karanlık ve atmosferik ortamda yapılan I-V ölçümlerinden ters doyma akımı (I0), diyot faktörü (n) değerleri, potansiyel engeli (?b0), seri direnci (Rs), doğrultma faktörü hesaplanmıştır. Kapasitans-gerilim ölçümlerinden ara yüzey oksit tabaka kalınlığı, potansiyel engeli (V0), katkı yoğunluğu (NA) ve tükenme bölgesi genişliği (WD) hesaplanmıştır. Ac ve dc ölçümlerden elde edilen sonuçlar yardımıyla aygıtın ara yüzey durumları Card-Rhoderick ve Hill-Coleman yöntemleri ile incelenmiştir. Her iki yöntemle bulunan ara yüzey durum yoğunlukları (Nss) birbirleri ile uyumlu çıkmıştır. Yapılan ölçüm ve analizler sonucu 363 K de yapılan tavlama işleminin aygıt parametrelerini iyileştirdiği tespit edilmiştir. Ayrıca Ag/p-Si aygıtının ışığa duyarlılığının tespiti için oda sıcaklığında ışık altında I-V ölçümü gerçekleştirilmiştir. Karanlık ve aydınlık ortamlar arasında aygıttan geçen akımda yaklaşık 2 mertebelik bir değişim gözlenmiştir. Işık altında yapılan ölçümler aygıtın optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir. Yapılan elektronik ölçümler atmosferik koşullarda üretilen Ag/p-Si aygıt yapısının ticari diyotlarla karşılaştırılabilir elektronik özelliklere sahip olduğunu ortaya koymaktadır.

Özet (Çeviri)

In this study, Ag/p-Si device is fabricated at atmospheric conditions. Systematic annealing processes are implemented to understand electronic performance of the device. The effect of annealing processes on the device performance at room temperature are investigated by ac and dc electrical measurements. Reverse saturation current (I0), diode factor (n), barrier height (?b0), series resistance (Rs) and rectification ratio values are calculated using current-voltage (I-V) characteristics. Also, oxide layer thickness at the interfacial between metal and semiconductor, build in potential, doping concentration of the semiconductor, depletion width are calculated by using capaticance-voltage (C-V) characteristics. Interface state densities of the device are analyzed by Card-Rhoderick and Hill-Coleman method in the light of ac and dc analizing results. Card-Rhoderick ve Hill-Coleman methods give consistent results. It is concluded that annealing up to 363 K enhances device parameters. Illuminated I-V measurement is performed for investigation of light responsivity of the device at room temperature. Two order current variation is determined between light and and dark stuations. These measurements showed us investigated device structure has a potential application in optoelectronics. Electrical measurements reveal that fabricated device has electronic properties comparable with commercial diodes.

Benzer Tezler

  1. Yeraltı madenciliğinde uzaktan gözlem ve kontrol

    Underground remote monitoring and control

    MUSTAFA CEM YÜZLER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDumlupınar Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. M. ALİ EBEOĞLU

  2. Al 2050-T84 alaşımının tuzlu su çözeltisinde korozyonlu yorulma davranışının incelenmesi

    Investigation of corrosion fatigue behavior of Al 2050-T84 alloy in salt water solution

    MÜFİT KACAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN

  3. Cam elyaflı kompozit malzemelerin atmosferik ortamda ve deniz ortamında yorulma simülasyonu

    Simulation of fatigue behaviour of E-glass fiber reinforced polyester composites in atmospheric and marine environments

    ENGİN ÜNAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Gemi MühendisliğiEge Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. TURGUT GÜRSEL

  4. Hassas döküm yöntemiyle üretilen femoral diz komponentlerinde seramik maça kullanımı ile talaşlı imalat minimizasyonu

    Minimization of machining by using ceramic cores during the investment casting process of femoral knee components

    CEVAT YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NECİP ÜNLÜ

  5. Investigation of wear behaviors of Al matrix composites reinforced with different B4C rate produced by powder metallurgy methods

    Toz metalürjisi yöntemi ile üretilmiş farklı oranlarda B4C takviyeli Al matrisli kompozitlerin aşınma davranışlarının araştırılması

    KÜBRA SEÇİLMİŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Makine MühendisliğiBatman Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YAHYA HIŞMAN ÇELİK