RF magnetron püskürtme yöntemi ile ZnO:Al2O3 ince filmlerın üretimi ve karakterizasyonu
Production of ZnO:Al2O3 thin films by RF magnetron sputtering method and characterization
- Tez No: 334790
- Danışmanlar: PROF. DR. TOFİG MEMMEDLİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 103
Özet
Bu çalışmada RF Magnetron Püskürtme Yöntemi ile silikon alttaş üzerine 200 °C'de Al2O3 katkılı ZnO (çinko oksit) ince filmler üretildi. Farklı Ar/O2 oranlarında büyütülen ince filmler daha sonra hızlı termal tavlama (RTA) sistemi ile bir dakika süresince vakum ve oksijen ortamında tavlandı. Biriktirme süresince argon-oksijen oranının ve farklı ortamlarda tavlama sıcaklığının filmlerin yapısal, optik ve yüzey özelliklerine etkisi XRD, PL ve AFM yöntemleriyle incelendi. ZnO:Al2O3/n-Si numunelerin kristal tanecik boyutu, örgü parametresi, maksimum pik yarı genişliği (FWHM) ve kristallografik analizleri X-ışını kırınım yöntemiyle belirlendi. Hazırlanan numunelerin optik özellikleri, fotolüminesans (PL) spektrumundan alınan veriler yardımı ile belirlendi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) kullanarak yüzeyin atomik yapısı ve yüzey topografisi incelendi. Hazırlanan ZnO:Al2O3 ince filmlerin en optimal üretim ve tavlama şartları, optik ve yapısal özellikleri belirlendi. Hazırlanan ince filmlerin tavlamadan önce ve tavladıktan sonraki karakterizasyon sonuçları kıyaslandı ve tavlamanın numuneler üzerine olumlu etki yaptığı gözlendi.Anahtar Kelimler : ZnO, RF magnetron püskürtme yöntemi, X- Işını, AFM, Tavlama, optiksel ve yapısal özellikler,
Özet (Çeviri)
In this study, Al2O3 doped ZnO thin films were deposited on silicon substrates at 200°C by RF magnetron sputtering method. The thin films deposited at different Ar/O2 rates were annealed in vacuum and oxygen ambient by rapid thermal annealing (RTA) system during 1 minute. During deposition the change in argon-oxygen rate and annealing ambient and temperature of thin films on structural, optical and surface properties were investigated by XRD, PL and AFM methods. Crystal grain size, lattice parameter, full width at half maximum (FWHM) values and crystallographic analysis of ZnO: Al2O3/n-Si structure was carried out by x-ray diffraction method. Optical properties of prepared samples were investigated with the help of photoluminescence (PL) spectroscopy. Atomic surface structure and surface topography were measured by atomic force microscopy (AFM) method. According to optical and structural properties, the optimum deposition and annealing conditions of deposited ZnO: Al2O3/n-Si thin films were determined. The experimental results of prepared thin films were compared with before and after annealing procedure and it was concluded that the annealing procedure has positive effect on prepared samples.Key Words : ZnO, RF magnetron sputtering system, X- Ray, AFM, Annealing, Optical and structural properties,
Benzer Tezler
- Farklı püskürtme güçleri altında üretilen n-ZnO/AlN/p-GaN yakın UV mavi ışık yayan diyotların (LED) elektriksel, optik, yapısal ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical, optical, structural and morphological properties of n-ZnO/AlN/p-GaN near UV-blue light emitting diodes (LED) fabricated under different sputtering
DERYA ÜNAL
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİYA MERDAN
DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL
- ZnO tabanlı UV dedektör geliştirilmesi ve prototip üretimi
Development and production of ZnO-based UV detector prototype
NİHAN AKIN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
- P3ht:PCBM tabanlı heteroeklem organik güneş pillerinin fabrikasyonu ve ZnO ince film tabakasının inverted yapıya uygulanması
Fabrication of p3ht:pcbm based heterojunction organicsolar cells and application of ZnO thin film layer toinverted structure
YASİN NUHOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT ÇAKMAK
- p-Si, GaAs ve ge alttaşlar üzerine Al:ZnO filmlerin büyütülmesi; yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The deposition of Al:ZnO films on p-Si, GaAs and ge substrates: The investigation of structural, optical and electrical properties
GÜRKAN KURTULUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGÜN KASAP
- Nanokristal ZnXO (X=Mn, Zr, ZrMn) ince filmlerin fabrikasyon ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of nanocrystalline ZnXO (X=Mn, Zr, ZrMn) thin films
PARSAI PASHAEI
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK