Geri Dön

2-18Gh2 Mmic distributed amplifiers

2-18Gh2 Düzeyinde monolitik tümleşik dağıtılmış yükseltici devreleri

  1. Tez No: 33485
  2. Yazar: SANLI ERGÜN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: aynı tabana oturtulmuş mikrodalga tümleşik devreleri, dağıtılmış yükseltici, yapay iletişim hattı, parametrik göze yordamlığı iv, MMIC, distributed amplifier, artificial transmission line, parametrized cell library m
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 180

Özet

ÖZET 2-i8 GHZ düzeyinde monolitik, tümleşik DA?ITILMIŞ YÜKSELTİCİ DEVRELERİ Sanlı Ergun Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Abdullah Atalar 26 Ocak 1994 Aynı tabana oturtulmuş (monolitik) mikrodalga tümleşik devreler uygulayımından yararlanılarak üç tane dağıtılmış yükseltici tasarlanıp üretilmiştir. Bu yükselticilerden iki tanesi tek kapılı alan etkili transistörler kullanmakta olup, 2-18 GHz düzeyinde çalışmaktadırlar. Bu yükselticilerin kazancı, sırasıyla, 5 ve 6.5 dB seviyesindedir. Üçüncü yükseltici için ardarda bağımlı alan etkili transistörlerden yararlanılmıştır. Bu yükseltici 2-20 GHz seviyesinde çalışmakta olup, yaklaşık 10 dB kazancı vardır. Bütün üç tasarımın da giriş ve çıkış yansıma yitimleri 10 dB'den daha iyidir. Tek kapılı alan etkili transistörlerîe yapılan tasarımlar 20 dB'den daha iyi bir yalıtım sağlarken, ardarda bağımlı alan etkili transistörlerin kullanıldığı tasarımda 30 dB'nin üstünde yalıtım elde edilmiştir. Yükselticiler 50 O'luk bir ortama göre tasarlanmıştır. Çözümlemeler doğrusal olarak yapılmıştır ve sonuçlar teorik çalışmalarla uyum içindedir. Yükselticilerin tasarımında, yapay iletişim hatlarının incelendiği ve frekansa göre davranışlarının en iyileştirildiği, daha ayrıntılı bir yöntem kullanılmıştır. Bunun yanında, yükselticileri gerçekleştirmek (yonga çizimlerinin yapılması) için, GEC-Marconi şirketinin F20 döküm işlemine dayanarak, yeni bir parametrik göze yordamlığı oluşturulmuş ve kullanılmıştır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT 2-18 GHZ MMIC DISTRIBUTED AMPLIFIERS Sanlı Ergun M.S. in Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Abdullah Atalar 26 January 1994 Using GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) technology three distributed amplifiers are realized. Two of these amplifiers employ single gate FETs and operate in the 2-18 GHz frequency range. They have 4.5 and 6.5 dB gain, respectively. The third amplifier utilizes cascode connected FETs. This amplifier operates in the 2-20 GHz range and has a gain of ~10 dB. All the three amplifiers have input and output return losses better than 10 dB. The isolation of the amplifiers with single gate FETs is better than 20 dB, whereas the cascode connection improves the isolation over 30 dB. The amplifiers are designed for a 50O-system. The simulations are made linearly, and the results match the theoretical work. In the design of these amplifiers a more detailed method is used in which the artificial transmission lines are investigated and optimized in their frequency behaviour. Besides, to realize these amplifiers, a new parametrized cell library for GEC-Marconi's F20 foundry process is created and utilized.

Benzer Tezler

  1. Waveguiding of electromagnetic waves and investigation of negative phase velocity in photonic crystals and metamaterials

    Elektromanyetik dalgaların kılavuzlanması ve fotonik kristaller ve metamalzemelerde eksi değerli faz hızının incelenmesi

    İLYAS EVRİM ÇOLAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  2. Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı

    High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology

    HİLAL HİLYE CANBEY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI

  3. Sivil havayolu taşımacılığında pazar payının artırılmasına yönelik rekabetçi stratejilerin geliştirilmesi

    Development of the competitive strategy that will be increaset of the marketing share in the commercial transportation of airlines

    VAHAP ÖNEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    İşletmeMarmara Üniversitesi

    İşletme Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KADİR AYKUT TOP

  4. Türkiye'deki dil ve konuşma terapistlerinin çalışma yerlerine göre yaşam kalitesi ve mesleki doyum arasındaki ilişkinin incelenmesi

    Investigation of the relationship between the quality of life and professional satisfaction of speech-language therapists in turkey, according to their working place

    MUHAMMED RIFAT YAVUZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Dil ve Konuşma TerapisiKapadokya Üniversitesi

    Dil ve Konuşma Terapisi Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ RUKİYE YALAP