Investigation of Si1-x Gex alloy formation by using STM
Si1-x Gex Alaşımının büyümesinin TTM ile incelenmesi
- Tez No: 33489
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 125
Özet
Sii^Ge* ALAŞIMININ BÜYÜMESİNİN TTM İLE İNCELENMESİ Ahmet Oral Fizik Doktora Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Recai Ellialtıoğlıı Şubat 1994 Bu tezde, SiGe alaşımının Si(100)(2xl) yüzeyinde büyümesinin ilk safhaları Taramalı Tünelleme Mikroskobu (TTM) kullanılarak incelenmiştir. Ayrıca, Ultra Yüksek Vakum (UYV) altında çalışan bir yüzey inceleme/hazırlama sisteminin ve bir UYV-Taramalı Tünelleme Mikroskobunun tasarımı ve imalatı açıklanmaktadır. Sio.36Ge0.64 alaşımı silikon yüzeyinde eşörgüsel olarak değişik miktarlarda, 0.1-3.6 tektabaka (TT), ve çeşitli sıcaklıklarda (~300~500°C) büyütülmüştür. Düşük dozlarda alaşım büyümesi hemen hemen tek boyutlu olup silikon çiftil sıralarına dik olarak yönelmektedir. Karşı-Faz sınırlarının çok- katlı büyümeye neden olduğu gözlenmiştir. Büyütülen alaşım tabakası ile silikon yüzeyi arasındaki kuvvetli etkileşimin silikon çiftlilerini büktüğü bulunmuştur. Alçak ve yüksek büyüme sıcaklıklarında değişik büyüme mekanizmalarının etkili olduğu, sırasıyla ada oluşumu ve basamak akışı, tespit edilmiştir. (2xn) sıralanmasının yalnız orta bir sıcaklık değerinde oluştuğu gözlenmiştir (~400°C). Anahtar Sözcükler : TaramalıTünelleme Mikroskobu, Ultra Yüksek Vakum, SiGe, Eşörgüsel Büyüme. ıı
Özet (Çeviri)
Abstract INVESTIGATION OF Si^Ge* ALLOY FORMATION by USING STM Ahmet Oral Ph. D. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Recai Ellialtıoğlu February 1994 In this thesis, initial stages of SiGe alloy growth on the Si(001)(2xl) surface is analysed by Scanning Tunneling Microscopy (STM). Design and construction of an Ultra High Vacuum (UHV) surface analysis/preparation chamber and an UHV-Scanning Tunneling Microscope are also described. The Sio.36Ge0.64 alloy was epitaxially grown on the silicon substrate at various coverages (0.1- 3.6 ML) and at different temperatures (~300-500°C). The growth was almost one dimensional preferring the direction perpendicular to the underlying silicon dimer rows at the low coverages. Anti-phase boundaries were observed to lead multi-layer growth. Strong interaction between the overlayer and the substrate was found to buckle the substrate dimers. Different growth mechanisms, island formation and step flow, were identified at low and high temperatures. (2xn) ordering of the strained overlayer was only observed at an intermediate temperature (~400°C). Keywords : Scanning Tunneling Microscope, Ultra High Vacuum, SiGe, Epitaxial growth.
Benzer Tezler
- Metal/Si ve metal/Si1-xGex/Si Schottky bariyer diyotlarının elektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical properties of metal/Si and metal/Si1-xGex/Si Schottky barrier diodes
KADİR ERTÜRK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAİM DEREBAŞI
- Ge nanokristallerin SiNx ve SiOx matris içerisindeki optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of ge nanocrystal in SiNx and SiOx matrix
MEHMET SERKAN TOKAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. SEDAT AĞAN
- Döviz kurunu belirleyen faktörler ve kur riski
Determination of foreign exchange rates and foreign exchange risk
MEHMET COŞKUN ÖZAVNİK
- Devital dişlerde kullanılan hidrojen peroksit içerikli bir ağartma ajanının dişin ultrastrüktürel yapısına olan etkisinin değerlendirilmesi
Evaluation of the effect of hydrogen peroxide containing bileaching on the ultrastructure of tooth
HALİL CENK ALTINÖZ
Doktora
Türkçe
2001
Diş HekimliğiSelçuk ÜniversitesiDiş Hastalıkları ve Tedavisi Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. AYDIN BAYRAKTAR