Sol-jel yöntemiyle kalkoprit Cu (AlxGa1-x) Se2 (CAGS) ince filmlerinin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of chalcopyrite Cu (AlxGa1-x) Se2 (CAGS) thin films by using sol-gel method
- Tez No: 335351
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SAVAŞ SÖNMEZOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
Bu tez çalışmasında, ince film teknolojisinde büyük önem taşıyan CuAlxGa1-xSe2 (CAGS) ince filmler indiyum kalay oksit (ITO) alttaş üzerine büyütülmüştür. Bunun için ince film üretim yöntemleri arasında basit ve uygulanabilirliği kolay olan sol-jel yönteminin döndürme ile kaplama metodu kullanılmıştır. Değişen alüminyum (Al) ve galyum (Ga) konsantrasyonlarının CAGS ince filmlerin yapısal, morfolojik ve optiksel özellikleri üzerindeki etkileri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden (XRD), artan Al konsantrasyonuyla filmlerin kristal yapılarının iyileştiği görülmüştür. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntüleriyle filmlerin iki boyutlu ve üç boyutlu yüzey görüntüleri alınmış ve bu filmlerin yüzeye iyi bir şekilde tutunduğu, homojen bir dağılım sergilediği ve taneli bir yapılanmanın varlığı dikkat çekmiştir. Ayrıca, filmlerin optiksel analiz ölçümleri yardımıyla geçirgenlik, yasak enerji band aralığı, kırılma indisi, eğrilik (bükülme ) parametresi gibi bazı optik parametreleri hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, CuAlxGa1-xSe2 (CAGS) thin films which have a great importance for thin film technology were grown on indium tin oxide (ITO) substrate. Among the thin film production methods, sol-gel spin coating method having some benefits such as basic and easy applicable was used. To investigate the effect of varying concentrations of aluminium (Al) and gallium (Ga) on the physical properties of CAGS thin films, the structural, morphological and optical properties of growth thin films were examined. It is seen from the X-ray diffraction results that crystallinity is improved with increasing Al concentration. Two and three dimensional surface topography of these thin films have been examined by atomic force microscopy (AFM). From these images, good adhesion onto substrate, a homogeneous distribution and existence of a granular structure on the surface have been noticed. Besides, some optical parameters such as transparency, band energy gap, refractive index, bowing parameter have been calculated from the optical measurements.
Benzer Tezler
- Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı
Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation
UTKU CANCİ MATUR
Doktora
Türkçe
2017
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells
Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi
ELİF PEKSU
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- Sol jel yöntemiyle gümüş ve ceviz kabuğu ekstresinin tekstil ürünleri üzerindeki uygulamaları ve yapısal tayinleri
Applications and structural determinations of silver and walnut shell extract on textile products by sol gel method
TURAN BİRİMOĞLU
- Sol-jel yöntemiyle büyütülen kalay oksit filmlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical and optical properties of tin oxide films growth by sol-jel method
AYSUN ARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECMİ SERİN