Metal/ CuPc / inorganik yarıiletken kontakların fabrikasyonu ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Fabrication of metal/ CuPc / inorganic semiconductor contacts and investigation of electrical properties
- Tez No: 338632
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ÖMER GÜLLÜ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky Diyot, Bakır Fitalosiyanin, dealite Faktörü, Engel Yüksekliği, Schottky Diodes, Copper Phthalocyanine, Ideality Factor, Barrier Height
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 63
Özet
Bu çalışmada (1 0 0) doğrultusunda büyütülmüş 1-5x10-17 cm-3 yoğunluğuna sahip p tipi InP kullanıldı. Termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince film üzerine 5 x 10-6 torr basınç altında %99,9 saflığında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyotu oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotumuzun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (?b) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.
Özet (Çeviri)
We used p-type InP grown in the direction of (1 0 0) and has 1-5x10-17 cm-3 carrier density in this work. Copper phthalocyanine (CuPc) was covered on p-InP crystal by using thermal evaporation method. The Al/CuPc/p-InP diode was constructed by evaporating %99.9 purity aluminum metal on the thin film which composed by thermal evoparating method under presure order of 5x10-6 torr. Current-Voltage (I-V) measured was carried out for Al/CuPc/p-InP diode at room temperature, in the dark and under light. By using (I-V) graphs, it was seen that structure shows rectifying property. We use light of 100 mW/cm2 intencity and found that our diode has photodiode properties. Furthermore, Al/CuPc/p-InP Schottky diode characteristic parameters (ideality factor (n), barier height ( ?b) and series resistance (Rs) ) were calculated by different methods
Benzer Tezler
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR
- Fabrication and characterization of new generation organic field effect transistors
Yeni nesil organik alan etkili transistörlerin üretimi ve karakterizasyonu
BETÜL CANIMKURBEY
Doktora
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SAVAŞ BERBER
PROF. DR. ZAFER ZİYA ÖZTÜRK
- Organik alan etkili transistörlerin üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of organic field effect transistors
HİDAYET GÖK
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- Synthesis of 4-(2,6-di-tert-butyl-4-methyl phenoxy) substituted phthalocyanine complexes and investigation of electrochemical and thermal properties
4- (2,6-di-tert-butil-4-metil fenoksi) sübstitüe ftalosiyanin kompkslerinin sentezi ile elektrokimyasal ve termal özelliklerinin araştırılması
PESHANG KHDIR OMER MANGURI
- Periferal tetraetilenglikolmetileter sübstitüe metalli ftalosiyaninlerin sentezi
Synthesis of peripheral tetraethyleneglycolmethylether substituted metallophthalocyanines
BERKAY AKKOÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESİN HAMURYUDAN