Geri Dön

Mos (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde kapasitans ölçümleri

Capacitance measurements of mos capacitors

  1. Tez No: 344014
  2. Yazar: NEBİ MUSTAFA GÜMÜŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEDAT AĞAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Ge Nanokristal, C-V, TEM, XRD, SEM, PECVD, Fotolüminesans, Raman Spektroskopisi, Ge Nanocrystal, C-V, TEM, XRD, SEM, PECVD, Photolüminescence, Raman Spectroscopy
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

Bu çalışmada, nano teknolojik uygulamalarda birçok araştırmacının dikkatlerini üzerine çekmeyi başaran, nano boyutlarda hafızalı malzeme üretimi amaçlandı. Bu doğrultuda, Plazma Destekli Kimyasal Buharlaştırma Tekniği (PECVD) yardımı ile ince filmler büyütüldü. Büyütülen bu filmler, daha sonra nanokristallerin oluşabilmesi için farklı sürelerde ısıl tavlanma işlemine tabi tutuldu. Silisyum oksit (SiO2) film içerisinde tavlama sonucu oluşan Ge nanokristallerin yapısal ve optiksel özellikleri; HRTEM, Raman ve Fotolüminesans teknikleri yardımıyla incelendi. Ge nanokristal içeren SiO2 ince filmler GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının farklı akış oranları kullanılarak plazma ortamında büyütüldü. Raman ve TEM spektroskopisi yardımı ile farklı gaz akış oranlarında büyütülmüş filmlerde ve farklı sürelerdeki tavlamalarda Ge nanokristallerin oluşturulabileceği görüldü. Oluşturulan bu nanokristallerin boyutlarının gaz akış oranı ile tavlama süresine bağlı olduğu görüldü. Ayrıca SiO2 film içerisinde tavlama sonucu oluşan nanokristallerinin optiksel özelliklerine ilişkin olarak fotoışıma ölçümleri alındı. Elde edilen tüm bu sonuçlar, literatürle karşılaştırıldı ve uyum içerisinde olduğu görüldü. Ayrıca yeni sonuç ve bilgilerle literatüre katkı sağlandı.

Özet (Çeviri)

In this study, we have proposed to produce nano size memory metarials which are promised for nano technological aplications by many scienties. In this aim, thin films have been grown using by Plasma Enchanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). After that, grown these films have been annealed to form nanocrystals inside the matrix for different temperature ranges. As a result of annealing in the SiO2 film structural and optical properties of Genanocrystals; HRTEM, Raman and Photoluminescence techniques were covered. SiO2 thin films with Ge nanocriystals have been grown GeH4, SiH4 and N2O gases different flow rates using plasma chamber. Ge nanocrystals formations have beenobserved depends on annealing time and various gas flow rates by Raman and TEM. The results show that nanocrystals sizes depends on annealing time, temperature and flow rates, clearly. Morever, optical properties have been searched for these nanocrystals using by Photoluminescence (PL). The results werepresented in these thesis, have been showed good agrement with literature. Also our results and informations have been contributed to the literature

Benzer Tezler

  1. Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri

    Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals

    ALİM BOZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR

  2. Electrical characterization and gamma irradiation response of HFSIO4 metal oxide semiconductor (MOS) capacitors

    HFSIO4 metal oksit yarıiletken (MOS) kapasitörlerin elektriksel karakterizasyonu ve gamma radyasyonu duyarlılıkları

    RAMAZAN LÖK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve TeknolojiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN KARAÇALI

  3. Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerin elektriksel özelliklerinin oksit tabakası kalınlığına bağlı değişimlerinin incelenmesi

    Variation of electrical properties of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors depending on oxide layer thickness

    CÜNEYT HACIİSMAİLOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE

  4. Capacitance voltage spectroscopy in metal-tantalum pentoxide (Ta250)-silicon MOS capacitors

    Metal-tantalyum pentoksit (Ta250)-silisyum MOS kapasitörlerin kapasite-gerilim tekniğiyle incelenmesi

    PINAR ÖZDAĞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET GÜNEŞ

  5. Nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitörlerin geliştirilmesi

    Improvement of mos capacitor with ge nanocrystals

    EREN CEM KAYİKCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN