Nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitörlerin geliştirilmesi
Improvement of mos capacitor with ge nanocrystals
- Tez No: 344015
- Danışmanlar: PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 61
Özet
Bu çalışmada kapasitör özelliği gösteren Metal-Oksit-Yarıiletken (MOS) yapılar ile çalışılmıştır. Silisyum alt yüzeyler üzerine amorf ince filmler Plazma ile Zenginleştirilmiş Kimyasal Buhar Depolama (PECVD) tekniği ile büyütülmüştür. Ardından yüksek sıcaklık fırınında tavlanarak nanokristaller elde edilmiştir.PECVD yöntemi ile Ge-SiO2 tabakalar büyütüldükten sonra üst tarafı vakum buharlaştırma yöntemi ile alüminyum ile kaplanarak Nanokristalli MOS kapasitörler oluşturulmuştur. Tek katlı ve üç katlı 35 nm Ge-SiO2 ve 5 nm Si3N4 tabakaları büyütülerek oluşturulan iki farklı örneğin kristalleşme özellikleri, Raman Spektroskopisi kullanılarak kontrol edildi. Malzeme içeriği ise Taramalı Elektron Mikroskobunda (SEM) X-ışını Dağılımı Spektoroskopisi (EDAX) dedektörü ile taranmıştır. Nanokristalli Metal Oksit Yarıiletken (MOS-C) Kapasitör? ün tek katlı ve üç katlı üretilme amacı; şarj tutma özelliklerini incelemektir. Şarj kapasiteleri kapasitans-gerilim (C-V) eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiştir. Histerislerdeki kayma tek katlı MOS-C yapı için 0,62 V, üç katlı MOS-C yapı için ise 0,86 V olarak bulunmuştur. Omik kontak direnci ise Geçirgen Çizgi Methodu (TLM) kullanılarak ölçülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this thesis, Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structures were studied in order to improve its capacitive behaviour. Thin films on the silicon substrate were grown by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique, Then they were annealed in high temperature furnace to obtain the nanocrystals. After obtaining the crystals, thin aliminium layers were deposited by using metal coater to obtain ohmic contacs on the sample surface, Resistance of the ohmic contacts were measured by Transmission Line Method (TLM). Crystalinity of the nanocrystals in Single layer and Multi-Layer Ge-SiO2 (35 nm) and Si3N4 (5 nm) layers were analyzed by using Raman Spectroscopy. Structure properties and elemental compositions are checked by Scanning Electron Microspcope (SEM) which has an Energy Dispersive X-Ray (EDAX) dedector. The Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitors (MOS-Cs) with Ge nanocrystals embedded in oxide have been fabricated to investigate the charge trapping effect of Ge nanocrystals. A current spike phenomenon in I-V curve has been observed. The highest obtainable memory window with single layer Ge nanocrystals was 0,62 V, with multilayer Ge nanocrystals was 0,86 V.
Benzer Tezler
- Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri
Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals
ALİM BOZER
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR
- Mos (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde kapasitans ölçümleri
Capacitance measurements of mos capacitors
NEBİ MUSTAFA GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluşumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitör uygulaması
Fabrication of multilayer Ge, SiGe nanocrystals and it? s application in dot mos capacitor
BEKTAŞ AKYAZI
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Nanocrystal silicon based visible light emitting pin diodes
Nanokristal silisyum tabanlı görünür ışık yayan pin diyotlar
MUSTAFA ANUTGAN
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Vanadyum oksit nanoyapıların doğrusal olmayan optik özellikleri
Nonlinear optical properties of vanadium oxide nanostructures
ULAŞ KÜRÜM
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ELMALI