Au/n-4H-SiC (MS) schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel karekteristiklerinin frekansa bağlı incelenmesi
The preparation of Au/n-4H-SiC (MS) schottky diodes and the investigation their electrical characteristicsas function of frequency
- Tez No: 343671
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Au/n-4HSiC (MS) Schottky engel diyotları hazırlandı ve bunların temel elektriksel karekteristikleri oda sıcaklığında frekansa bağlı kapasitans/iletkenlik-voltaj (C-V ve G/w-V) verileri kullanılarak incelendi. Katkılanan verici atomların (ND) yoğunluğu, Fermi enerji seviyesi (EF), ve potansiyel engel (?b(C-V)) yüksekliği değerleri geniş bir frekans aralığında (0,7 kHz-1MHz) ölçülen ters gerilimdeki C-2-V eğrilerinden elde edildi. Hem C hem de G/w değerleri oldukça frekansa bağlı olup artan frekansla üstel olarak azalmaktadır. C ve G/w değerlerinde özellikle tüketim bölgesindeki bu değişiklikler, metal yarıiletken arasında yerleşmiş olan arayüzey durumlarının (Nss) varlığına atfedildi. Seri direnç (Rs)-logf grafiği, C ve G/w değerleri kullanılarak elde edildi ve artan frekansla azaldığı gözlendi. Yüksek-düşük frekans kapasitans (CHF-CLF)değerleri kullanılarak elde edilen Nss-V grafiğinde bir pik gözlendi. Özellikle yüksek frekanslardaki C-V eğrilerinde ileri voltajlarda gözlenen bükülme Rs değerine atfedildi.
Özet (Çeviri)
In this study, Au/n-type 4H-SiC Schottky diodes were fabricated and their main electrical characteristics have been investigated as function of frequency by using the capacitance/conductance-voltage (C-V and G/w-V) measurements at room temperature. The doping density of donor atoms (ND), Fermi energy level (EF), and barrier height (?b(C-V)) values were obtained from the reverse bias C-2-V plots in the wide frequency range of 0,7 kHz-1MHz. Both C and G/w values were found as strongly function of frequency and decrease with increasing frequency as almost exponential. The changes in C and G/w values in depletion region were attributed to the particular density distribution of surface states (Nss) between metal and semiconductor. The series resistance (Rs)-logf plots were also obtained by using the C and G/w data and decreases with increasing frequency. The voltage dependent of Nss was also obtained from high-low frequency capacitance (CHF-CLF) method and shows a peak. Especially the concave curvature in high frequency C-V plots for forward biases was attributed to the value of Rs.
Benzer Tezler
- The preparation of Au/Zn-nanoparticle-doped PVA/n- SiC (MPS) structures and the investigation of their electrical and dielectric properties as function of frequency and temperature using impedance spectroscopy method
Au/Zn-nanoparçacıkla-katkılı PVA/n- SiC (MPS) yapıların hazırlanması ve elektrik ile dielektrik özelliklerinin empedans spektroskopi metodu kullanılarak frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
MOHAMMAD HUSSEIN ALI AL DHAROB
Doktora
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Kuru incirlerde küf florası ve aflatoksigenik küflerin saptanması
Başlık çevirisi yok
SİBEL BÜYÜKŞİRİN
- Kapalı hacimlardaki tabii yangınların analizinde yeni bir model
Ein Neues brandraummodeli für die analyse der natürlichen braende in geschlofenen raeumen
AYŞEN HAKSEVER
- Au/(Zn-katkılı PVA)/n-4HSiC (MPS) yapıların elektrik ve dielektrik özelliklerinin oda sıcaklığında arayüzey tabakasının kalınlığına bağlı incelenmesi
The investigation electrical and dielectric properties of Au/(Zn-doped PVA)/n-4HSiC (MPS) structures as function of interfacial layer thickness at room temperature
HAVVA ELİF LAPA
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE