Geri Dön

Au/tio2/n-4h-sic (mıs) schottky diyotların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi

Frequency dependent electric and dielectric properties of au/tio2/n-4h-sic (mis) schottky diodes

PDF İndir

  1. Tez No: 778872
  2. Yazar: ESRA ERBİLEN TANRIKULU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH GÜNEN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 116

Özet

Au/TiO2/n-4H-SiC (MIS) tipi Schottky engel diyotların temel elektrik ve dielektrik özellikleri, frekansın ve uygulanan voltajın fonksiyonu olarak incelendi. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin frekansın ve uygulanan voltajın güçlü bir fonksiyonu olduğunu göstermektedir. İdealite faktörü (n), sıfır beslem potansiyel engel yüksekliği (Bo), seri direnç ve kısa devre direnci (Rs, Rsh) gibi bazı elektriksel parametreler oda sıcaklığında, düz ve ters beslem Ln (I)-V karakteristiklerinden elde edildi. Arayüzey durum yoğunluğu (Dit), voltaja bağlı idealite faktörü (n(V)), etkin engel yüksekliği (e) ve Rs değerleri dikkate alınarak düz beslem I-V verilerinden elde edildi. Düz ve ters beslem C-V verileri ile fermi enerji seviyesi (EF), verici katkı atomların yoğunluğu (ND), engel yüksekliği (B), ve seri direnç (Rs) değerleri elde edildi. Yine düz ve ters beslem C-V ve G/-V verileri ile dielektrik sabitinin reel ve imajiner kısmı (ε', ε''), kayıp tanjant (tan), ac elektriksel iletkenlik (ac), ve elektrik modüllerinin reel ve imajiner kısmı (M' ve M'') değerleri elde edildi. Ayrıca tüm bu elektrik ve dielektrik parametrelerin voltaja bağlı profilleri her frekans için çizildi. Bu sonuçlar, Au/TiO2/n-4H-SiC (MIS) tipi SBD' un hem elektriksel hem de dielektrik özelliklerinin yüzey polarizasyonundan, arayüzey durum yoğunluğundan (Dit) ve arayüzey tabakadan dolayı hem frekansa hem de uygulanan voltaja oldukça bağlı olduğunu doğrulamıştır.

Özet (Çeviri)

The main electrical and dielectric properties of Au/TiO2/n-4H-SiC (MIS) type Schottky barrier diodes (SBDs) have been investigated as functions of frequency and applied bias voltage. From the experimental data, both electrical and dielectric parameters were found as strong function of frequency and applied bias voltage. Some electrical parameters, such as ideality factor (n), zero-bias barrier height (Bo), series and shunt resistances (Rs, Rsh), were obtained from reverse and forward bias Ln(I)-V chareacteristics at room temperature. Density distribution of interface traps (Dit) was extracted from the forward-bias I-V data by taking into account voltage dependent of the ideality factor (n(V)), effective barrier height (e), and Rs. In addition, the Fermi energy level (EF), the concentration of doping donor atoms (ND), barrier height (B) and series resistance (Rs) values were obtained from reverse and forward bias C-V characteristics. The real and imaginary parts of dielectric constant (ε', ε''), tangent loss (tan), ac electrical conductivity (ac), and real and imaginary parts of electric modulus (M' and M'') values were also obtained from reverse and forward bias C-V and G/-V characteristics. In addition, the voltage dependent profiles of all these electrical and dielectric parameters were drawn for each frequency. These results confirmed that both electrical and dielectric properties of Au/TiO2/n-4H-SiC (MIS) type SBD are quite sensitive to both the frequency and applied bias voltage due to surface polarization, density distribution of interface traps (Dit), and interfacial layer.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    460945

    Au/TiO2/n-Si (MIS) yapının elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of electrical properties of Au/TiO2/n-Si (MIS) structure

    HAKAN TANRIKULU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  2. Tez No

    321654

    Au/TiO2/n-Si/Au Schottky engelinin diyot parametrelerinin sıcaklığa ve frekansa bağlı incelenmesi

    Temperature and frequency depent investigation of diode parameters of Au/TiO2/n-Si/Au Schottky barrier

    MURAT SEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN ÖZER

  3. Tez No

    303554

    Püskürtme tekniği ile elde edilen TiO2 filminin yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of structural and electrical analyses of TiO2 films deposited by sputtering method

    YUNUS ÖZEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ

  4. Tez No

    395660

    n-InP yarıiletkeni ile hazırlanan TiO2 arayüzey tabakalı metal yarıiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    INVESTIGATING THE ELECTRICAL PROPERTIES OF METAL SEMICONDUCTOR CONTACTS PREPARED ON n-InP SEMICONDUCTOR WITH TiO2 INTERFACIAL LAYER

    AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN ÖZER

  5. Tez No

    441966

    Fabrication and investigation of extremely thin CdTe absorber layer solar cells

    Çok ince CdTe soğurucu tabakalı güneş hücrelerinin üretimi ve incelenmesi

    AREZOO HOSSEİNİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ

Geri Dön