Geri Dön

Yarıiletken yapılarında derin tuzak seviyelerinin transiyent spektroskopisi yöntemleri ile incelenmesi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 34499
  2. Yazar: SEVAL CENK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 53

Özet

V-OZET YARIİLETKEN YAPILARINDA DERİN TUZAK SEVİYELERİNİN TRANSİYENT SPEKTROSKOPİSİ YÖNTEMLERİ İLE İNCELENMESİ Bu çalışmada,“ Moleculer Beam Epitaxy - MBE ”yöntemi ile büyütülen GaAs/Gaı_xAlxAs“ Multiple Quantum Well's ”çoklu kuantum çukuru yapılannda gerek epitaksiyel tabakaların içinde, gerekse arakesit düzlemlerinde oluşabilen derin enerji seviyelerinin özellikleri“ Işıkla Uyarılan Transient Spektroskopi - PITS ”yöntemi kullanılarak incelendi. Bu yöntem, değişik uyarma zamanına ve enerjilere sahip ışık darbeleri ile doldurulan enerji seviyelerinin, uyarmanın bitiminde boşalmasıyla fotoiletkenlikte meydana gelen azalmanın lineer olarak arttınlan sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi eşasma dayanmaktadır. Tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjileri ve yakalama tesir kesitleri, farklı uyarma zamanına ve enerjiye bağlı olarak elde edilen spektrumlardan hesaplandı. Aktivasyon enerjileri 0.40 ile 0.80 eV arasında olan altı tuzak seviyesi belirlendi. Bu seviyelerin bazıları kolaylıkla tanımlanabilmesine rağmen, bazılarının tanımlanması biraz karmaşık oldu. Elde edilen sonuçlar, deneysel şartlara bağlı olarak tartışılarak yorumlandı ve daha önceden literatürde verilmiş olan sonuçlarla karşılaştırıldı. 45

Özet (Çeviri)

SUMMARY THE INVESTIGATION OF THE DEEP TRAP LEVELS İN THE SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH TRANSIENT SPECTROSCOPY METHODS in this work, the properties of deep levels present in both the epitaxial layers and interfaces of GaAs/Gaı.xAlxAs multiple quantum well structures grown by MBE, were investigated using the PITS technique. This technique uses light pulses to fiil the deep level traps. The subsequent decay of the photo current follovving the end of the light pulse due to the release of camers from these traps, is recorded as the temperature is increased linearly. Spectra were obtained by varying the pulse duration and energy. Activation energies and capture cross sections of some traps were calculated from the spectra.. Those results include data for six kinds of trap with activation energies from 0.4 to 0.8 eV of which some are readily identifiable and others are not. The results are discussed and interpreted in terms of the experimental conditions and compared with previously reported results. 46

Benzer Tezler

  1. Doğrultucu yapıların sığa özellikleri, DLTS tekniği ve yapısal kusurların araştırılması

    Başlık çevirisi yok

    SEBAHATTİN KARTAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN

  2. Akım transiyent spektroskopi yöntemi ile yarıiletken yapıların incelenmesi

    An investigation of semiconductor structures with current transient spectroscopy

    HATİCE BAŞAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN

  3. InP bazlı Schottky diyotlarda I-V, C-V, DLTS çalışmaları

    Studies of I-V, C-V, DLTS on Schottky diodes based on InP

    DEMET KORUCU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TOFİG MAMMADOV

  4. A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission

    GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi

    MURAT ODUNCUOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL

  5. Joint calibration and reconstruction for focal plane array imaging

    Odak düzlemi dizisi görüntüleme için birleşik kalibrasyon ve geriçatım

    MUHAMMET UMUT BAHÇECİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENDER METE EKŞİOĞLU