Yarıiletken yapılarında derin tuzak seviyelerinin transiyent spektroskopisi yöntemleri ile incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 34499
- Danışmanlar: PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 53
Özet
V-OZET YARIİLETKEN YAPILARINDA DERİN TUZAK SEVİYELERİNİN TRANSİYENT SPEKTROSKOPİSİ YÖNTEMLERİ İLE İNCELENMESİ Bu çalışmada,“ Moleculer Beam Epitaxy - MBE ”yöntemi ile büyütülen GaAs/Gaı_xAlxAs“ Multiple Quantum Well's ”çoklu kuantum çukuru yapılannda gerek epitaksiyel tabakaların içinde, gerekse arakesit düzlemlerinde oluşabilen derin enerji seviyelerinin özellikleri“ Işıkla Uyarılan Transient Spektroskopi - PITS ”yöntemi kullanılarak incelendi. Bu yöntem, değişik uyarma zamanına ve enerjilere sahip ışık darbeleri ile doldurulan enerji seviyelerinin, uyarmanın bitiminde boşalmasıyla fotoiletkenlikte meydana gelen azalmanın lineer olarak arttınlan sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi eşasma dayanmaktadır. Tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjileri ve yakalama tesir kesitleri, farklı uyarma zamanına ve enerjiye bağlı olarak elde edilen spektrumlardan hesaplandı. Aktivasyon enerjileri 0.40 ile 0.80 eV arasında olan altı tuzak seviyesi belirlendi. Bu seviyelerin bazıları kolaylıkla tanımlanabilmesine rağmen, bazılarının tanımlanması biraz karmaşık oldu. Elde edilen sonuçlar, deneysel şartlara bağlı olarak tartışılarak yorumlandı ve daha önceden literatürde verilmiş olan sonuçlarla karşılaştırıldı. 45
Özet (Çeviri)
SUMMARY THE INVESTIGATION OF THE DEEP TRAP LEVELS İN THE SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH TRANSIENT SPECTROSCOPY METHODS in this work, the properties of deep levels present in both the epitaxial layers and interfaces of GaAs/Gaı.xAlxAs multiple quantum well structures grown by MBE, were investigated using the PITS technique. This technique uses light pulses to fiil the deep level traps. The subsequent decay of the photo current follovving the end of the light pulse due to the release of camers from these traps, is recorded as the temperature is increased linearly. Spectra were obtained by varying the pulse duration and energy. Activation energies and capture cross sections of some traps were calculated from the spectra.. Those results include data for six kinds of trap with activation energies from 0.4 to 0.8 eV of which some are readily identifiable and others are not. The results are discussed and interpreted in terms of the experimental conditions and compared with previously reported results. 46
Benzer Tezler
- Doğrultucu yapıların sığa özellikleri, DLTS tekniği ve yapısal kusurların araştırılması
Başlık çevirisi yok
SEBAHATTİN KARTAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Akım transiyent spektroskopi yöntemi ile yarıiletken yapıların incelenmesi
An investigation of semiconductor structures with current transient spectroscopy
HATİCE BAŞAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- InP bazlı Schottky diyotlarda I-V, C-V, DLTS çalışmaları
Studies of I-V, C-V, DLTS on Schottky diodes based on InP
DEMET KORUCU
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Joint calibration and reconstruction for focal plane array imaging
Odak düzlemi dizisi görüntüleme için birleşik kalibrasyon ve geriçatım
MUHAMMET UMUT BAHÇECİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENDER METE EKŞİOĞLU