InP bazlı Schottky diyotlarda I-V, C-V, DLTS çalışmaları
Studies of I-V, C-V, DLTS on Schottky diodes based on InP
- Tez No: 268084
- Danışmanlar: PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 155
Özet
Bu çalışmada LEC tekniğiyle büyütülmüş p-InP ve MBE tekniğiyle büyütülmüş n-InP yarıiletken malzemeleri kullanarak hazırlanan Sn/p-InP ve Au/n-InP Schottky engel diyotların (SBDs) geniş bir sıcaklık aralığında akım-voltaj (I-V), kapasite-voltaj (C-V) ve derin seviye geçici spektroskopisi (DLTS) ölçümleri yapıldı. Elde edilen Schottky engel diyotların I-V ölçümlerinin analizinden artan sıcaklıklarla ideallik faktörü (n) değerleri azalırken; engel yüksekliği ( ? B) değerlerinin arttığı görüldü. C-V ölçümlerinin analizinden SBD yapıların engel yüksekliği ( ? B), taşıyıcı konsantrasyonu (NA ve ND) veFermi enerji seviyesi (EF) gibi parametreler hesaplandı. Sn/p-InP SBD yapının 80-400 K sıcaklık aralığında yapılan DLTS ölçüm sonuçlarının analizinden yasak bant aralığında Ev+0,31 eV pozisyonunda yerleşmiş bir adet derin tuzak seviyesi tespit edildi. Bu seviyesinin Zn-ilişkili bir kusur seviyesi olduğu yorumu yapıldı. Ayrıca 100-340 K sıcaklık aralığında Au/n-InP SBD yapısında DLTS ölçüm sonuçlarından Ec-0,14 ve Ec-0,70 eV seviyelerinde yerleşmiş iki tuzak seviyesi tespit edildi. Bu iki kusur seviyesinin sırasıyla fosfor boşluğu ve bant aralığı ortasında yerleşim gösteren bir kusur seviyesi olduğu yorumu yapıldı.Deneysel sonuçlar, hazırlanan Schottky diyot yapıların elektriksel karakteristiklerinde, engel yüksekliklerindeki homojensizliklerin, arayüzey durumlarının ve seri direncin önemli bir rol oynadığını göstermiştir. Sn/p-InP ve Au/n-InP SBD yapılarda kaydedilen DLTS ölçümlerinin analizinden, bu derin seviyeler yarıiletkenin yasaklanmış band aralığında yerleşmiş etkin kusur seviyeleri olarak yorumlandı.
Özet (Çeviri)
In this study, current-voltage (I-V), capacite-voltage (C-V) and deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements of Sn/p-InP and Au/n-InP Schottky barrier diodes (SBDs) that were prepared by using LEC grown p-InP and MBE grown n-InP semiconductor materials have been done in wide temperature ranges. From analizing of I-V measurements of Schottky barrier diodes it has been seen that when the values of ideality factors (n) decrease values of barrier height increase with increasing temperature. By analizing of C-V measurements, some parameters such as barrier height ( ? B) concentration of carriers (NA and ND) and Fermi energy level (EF) of SBD structure have been calculated. From analizing of DLTS measurement results in the Sn/p-InP SBD, one deep level that was located at Ev+0,31 eV position has been detected at temperature range of 80-400 K. This level has been interpretated as Zn-related defect level. Also two deep levels that were located at Ec-0,14 and Ec-0,70 eV have been detected from DLTS measurement results of Au/n-InP SBD structure at the temperature range of 100-340 K. This two defect levels have been interprated as phosphorus vacancy and mid-gap related defect, respectively. Experimental results show that inhomogeneous barrier height, interface states existence of series resistance have played an important role in the electrical characteristics of prepared Schottky diodes. Analising of recorded DLTS measurements in the Sn/p-InP and Au/n-InP SBD, this deep levels that were located at the forbidden band gap of semiconductor are interprated as effective defect levels.
Benzer Tezler
- Ag/n-InP/In, Au/n-InP/In ve Cd/n-InP/In schottky diyotların akım-voltaj ve kapasite-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının ve termal tavlamanın etkileri
The effects of sample temperature and termal annealing on characteristic parameters of Ag/n-InP/In, Au/n-InP/In and Cd/n-InP/In schottky diodes determined from current-voltage and capacitance-voltage measurements
FULYA ESRA CİMİLLİ ÇATIR
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- n-InP yarıiletkeni üzerine schottky diyotunun yapımı, diyotun akım-voltaj ve kapasitans-voltaj özeliklerinin incelenmesi
Production of schottky diode on n-InP semiconductor and investigation current-voltage and capacitance-voltage properties
GÜLCAN ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ADİL CANIMOĞLU
- n-InP yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type InP semiconductor and investigating its electrical properties
HÜSEYİN DÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ADİL CANIMOĞLU
- n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties
ŞAKİR ŞANE
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. REFİK KAYALI
- Au/n-InP ve Au/Pyronine-B/n-InP Schottky yapıların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependence of electrical characteristics of Au/n-InP and Au/Pyronine-B/n-InP Schottky structures
MURAT SOYLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. BAHATTİN ABAY