Yarıiletkenler ve n-tipi Ge yarıiletkende taşıyıcı yük yoğunluğunun tayini
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 34626
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SITKI GÜRCAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Taşıma yükü, Yarı iletkenler, Bearing load, Semiconductors
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
öz Yarıiletkenlerin genel yapısı ve ilgili teoriler ile p-ü ekleminin yapısı verildi. Kesit almak suretiyle elde edilen germanyum kristali üzerinde Hail deneyi gerçekleştirildi ve Hail gerilimi ölçüldü. Hail gerilimi kullanılarak germanyum kristalinin n-tipi olduğu tesbit edildi. Bu ölçümlerden faydalanarak, Hail katsayısı bulundu ve buradan hareketle taşıyıcı yük yoğunluğu (n) tayin edildi. Germanyumun yapısı, özellikleri ve n-tipi germanyumun taşıyıcı yoğunluğu ile ilgili yapılan çalışmalar verildi. Teori ile deneyin uygunluğu gösterildi. m
Özet (Çeviri)
ABSTRACT General behaviour of semiconductors, related theories and also formation of a p-n junction was explained. Hall effect measurements were performed on germanium crystal by means of Hall samples. From Hall effect measurements germanium crystal was found to be n-type and then electron density (n-type) was calculated electronic properties. Briefly the electronic properties of germanium, investigated and it is shown that the experimental results is consistent with the theory. TV
Benzer Tezler
- Katkılı ve katkısız GaAs ince filmlerin üretilmesi ve bazı özelliklerinin incelenmesi
Preparation of doped and undoped GaAs thin films and investigation of their some properties
VOLKAN ŞENAY
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SUAT PAT
- n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi
The Determination of the interfacial parameters in Sn-n-GaAs contact structures formed on to then-tipi Ga As semiconductor
HÜLYA ÇİFTÇİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENİSE AYYILDIZ
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
- Fotovoltaik üreteç parametrelerinin bilgisayar ile ölçüm ve değerlendirilmesinde kullanılacak bir elektronik düzenin geliştirilmesi
Ein Computer gesteurtes messwerterfassungssystem zur beobachtung eines fotovoltaischen energieerzeugers
FATİH BÜLENT BAYAT
- Fabrication of germanium micro and nanostructures by laser induced electrachemical anodization method
Germanyum mikro ve nano yapıların darbeli lazer içeren elektrokimyasal anodizasyon yöntemi ile üretilmesi
EMİN ÖZÜNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ
- Oxidative coupling of methane using superconductor and semiconductor type catalytic materials
Metanın süperiletken ve yarıiletken tipi katalitik malzemeler kullanılarak oksidasyonu
YEŞİM ERARSLANOĞLU
Doktora
İngilizce
1995
Kimya MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPROF.DR. IŞIK ÖNAL
PROF.DR. TİMUR DOĞU