Geri Dön

Yarıiletkenler ve n-tipi Ge yarıiletkende taşıyıcı yük yoğunluğunun tayini

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 34626
  2. Yazar: FAZLI PAK
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SITKI GÜRCAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 87

Özet

öz Yarıiletkenlerin genel yapısı ve ilgili teoriler ile p-ü ekleminin yapısı verildi. Kesit almak suretiyle elde edilen germanyum kristali üzerinde Hail deneyi gerçekleştirildi ve Hail gerilimi ölçüldü. Hail gerilimi kullanılarak germanyum kristalinin n-tipi olduğu tesbit edildi. Bu ölçümlerden faydalanarak, Hail katsayısı bulundu ve buradan hareketle taşıyıcı yük yoğunluğu (n) tayin edildi. Germanyumun yapısı, özellikleri ve n-tipi germanyumun taşıyıcı yoğunluğu ile ilgili yapılan çalışmalar verildi. Teori ile deneyin uygunluğu gösterildi. m

Özet (Çeviri)

ABSTRACT General behaviour of semiconductors, related theories and also formation of a p-n junction was explained. Hall effect measurements were performed on germanium crystal by means of Hall samples. From Hall effect measurements germanium crystal was found to be n-type and then electron density (n-type) was calculated electronic properties. Briefly the electronic properties of germanium, investigated and it is shown that the experimental results is consistent with the theory. TV

Benzer Tezler

  1. Katkılı ve katkısız GaAs ince filmlerin üretilmesi ve bazı özelliklerinin incelenmesi

    Preparation of doped and undoped GaAs thin films and investigation of their some properties

    VOLKAN ŞENAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SUAT PAT

  2. Fabrication of germanium micro and nanostructures by laser induced electrachemical anodization method

    Germanyum mikro ve nano yapıların darbeli lazer içeren elektrokimyasal anodizasyon yöntemi ile üretilmesi

    EMİN ÖZÜNAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ

  3. Fotovoltaik üreteç parametrelerinin bilgisayar ile ölçüm ve değerlendirilmesinde kullanılacak bir elektronik düzenin geliştirilmesi

    Ein Computer gesteurtes messwerterfassungssystem zur beobachtung eines fotovoltaischen energieerzeugers

    FATİH BÜLENT BAYAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    EnerjiEge Üniversitesi

    DOÇ.DR. METİN ÇOLAK

  4. Yeni organik pil tasarımı ve üretilmesi

    New organic battery design and production

    AYŞEGÜL DERE

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU

  5. Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

    Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

    HATİCE ASIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN