Fabrication of germanium micro and nanostructures by laser induced electrachemical anodization method
Germanyum mikro ve nano yapıların darbeli lazer içeren elektrokimyasal anodizasyon yöntemi ile üretilmesi
- Tez No: 450568
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karamanoğlu Mehmetbey Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 107
Özet
Farklı şekil ve boyutlara sahip mikro ve nano yapılı yarıiletkenler 0.01 Ω-cm dirençli Antimon (Sb) katkılı ve kristal yönelimi (100) olan n tipi Germanyum(Ge) plakanın elektrokimyasal anodizasyonu ile hazırlanmıştır. Ge plakalar oda sıcaklığında içerisinde HF:C2H5OH (1:3) elektrolit çözeltisi bulunan çift elektrokimyasal asit hücresinde aşındırıldı. Anodizyon koşullarını iyileştirmek için, anodizasyon süresi, akım yoğunluğu, aydınlatma yönü ve aydınlatma kaynağı gibi çeşitli parametrelerin elde edilen nano yapılar üzerinde etkileri incelendi. Ge plakalar katot ve anot yönünden halojen lamba, lazer gibi farklı ışık kaynakları tarafından aydınlatıldı. Anot yönünden farklı aydınlatma kaynaklarını kullanılması ile nano-piramit, nano-çubuk, nano-koni ve nano-plaka gibi farklı Ge yüzey morfolojilerinin elde edilebileceği gösterildi. En homojen ve sürekli Ge nano piramit yapısı 30mA/cm2 akım yoğunluğunda 45 dakika 470 nm lazer ile aydınlatılarak hazırlanan numunede elde edilmiştir. Ge nano piramitlerin 400-600 aralığında foto ışıma yaptığı gözlemlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Semiconductor micro and nanostructures with different shapes and sizes are prepared by electrochemical anodization of n-type Sb doped (100) oriented germanium (Ge) wafers with resistivity of 0.01 Ω-cm. Ge wafers are etched in an electrochemical double cell with a HF:C2H5OH (1:3) electrolyte solution at room temperature. The effects of various parameters such as the illumination source, illumination side, current density, anodization time on the obtained Ge nanostructures are investigated in order to optimize anodization conditions. Ge wafers are illuminated by different light sources such as halogen lamp, laser from anode and cathode side. It is demonstrated that different Ge surface morphologies such as nano-pillars, nano-rods, nano-sheets and nano-pyramids can be obtained using different anode side illumination source. The most uniform and continuous Ge nanopyramid array is obtained at the current density of 30mA/cm2 for 45 min under 470nm laser illumination. It is observed that Ge nanopyramids exhibit a broad photoluminescence band between 400 and 600 nm.
Benzer Tezler
- Design and fabrication of strained light emitting germanium microstructures by liquid phase epitaxy
Sıvı faz epitaksi yöntemiyle geliştirilmiş çekme gerinimli ışık saçan germanyum microyapılarının tasarımı ve üretimi
BUSE ÜNLÜ
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇİÇEK HATİCE BOZTUĞ YERCİ
- Silindirik odaklı lazer hüzmeleri ile yüzey temizleme ve cam işleme çalışmaları
Surface cleaning and glass processing studies with cylindrical focused laser beam
TUĞBA TUNAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SELÇUK AKTÜRK
- Development of a large area germanium on insulator platform by liquid phase epitaxy
Sıvı faz epitaksi ile yalıtkan üzerine geniş alan germanyum platformu geliştirilmesi
ZİŞAN İREM ÖZYURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. SELÇUK YERCİ
DOÇ. ALPAN BEK
- Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications
P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları
FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER
Doktora
İngilizce
2024
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ZAYİM
PROF. DR. MUSTAFA ALTUN
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU